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公开(公告)号:CN117881642A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202280058264.5
申请日:2022-06-16
申请人: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC分类号: C04B35/465 , C01G23/00 , C01G25/00 , C01G27/00 , C04B35/48
摘要: 本发明为一种包含碱土金属元素、选自Ti、Zr和Hf中的至少1种元素以及氧、且具有60%以上的相对密度的致密质的钙钛矿型陶瓷成型体的制造方法,所述制造方法具备如下的接触反应工序:使单独包含含有选自Ti、Zr和Hf中的至少1种的氧化物以及水的凝胶的前体成型体、和包含碱土金属元素的氢氧化物的液体接触。得到的成型体是钙钛矿型陶瓷晶体(1)的集合体形成晶畴(2)、该晶畴(2)多个连接而成的。
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公开(公告)号:CN117361619A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311308306.9
申请日:2023-10-10
申请人: 河北科技大学
摘要: 本发明提供的一种氧化铪锆纳米线、一种纳米氧化铪锆粉体及其制备方法和应用,属于材料合成及催化技术领域,一种氧化铪锆纳米线,其化学式为HfxZr1‑xO2,x的范围为0.1‑0.9;本发明的氧化铪锆纳米线为亚纳米尺寸(直径小于1纳米),具有易弯折卷曲的类高分子柔性和优越的铁电性。
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公开(公告)号:CN114516657B
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202111619399.8
申请日:2021-12-27
申请人: 上海交通大学
摘要: 本发明涉及一种高熵氧化物陶瓷纳米晶及其制备方法和应用,具体涉及高熵氧化物陶瓷(High entropy Ceramics,HEC)纳米凝胶制备,在大气条件下利用热致气相分离原理实现HEC凝胶体的瞬态固化方法。瞬态固化之后的HEC凝胶体在马弗炉低温煅烧,获得介观跨尺度( 2000℃),几何外形、内部微观结构和孔隙率(>80%)高度可调控;这类气凝胶材料还具有高比强度和高比表面积,具备抗冲击性强,不易破碎的特点。
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公开(公告)号:CN115872447A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202211679739.0
申请日:2022-12-27
申请人: 中国矿业大学 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
IPC分类号: C01G27/00
摘要: 本发明公开了一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法,包括以下步骤:按照Ba、Ca、Ti、Hf的摩尔比称取乙酸钡、乙酸钙、四氯化铪、钛酸四丁酯原料,利用溶胶‑凝胶方法制得BCHT溶胶;对溶胶进行活化处理;将活化处理后的溶胶放入油浴锅中保温陈化得到凝胶,于真空干燥箱中干燥后得到凝胶干粉;对凝胶干粉进行煅烧、研磨,得到BCHT粉体。本发明克服了现有铪钛酸钡钙粉体制备方法存在的粉体球磨混料不均匀,引入外部杂质,煅烧温度高等问题,具有大幅降低煅烧温度、成分均匀、组分准确、纯度高、产物粉体细小、单分散等优势,有利于提升粉体的烧结性能,为进一步制备高磁电耦合性能多铁半导体压电相奠定了坚实基础。
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公开(公告)号:CN114100600A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202010889906.9
申请日:2020-08-28
申请人: 中国科学院大连化学物理研究所
摘要: 本申请公开了一种钙钛矿材料及其制备方法与应用,所述材料结构式为ABO3,其中,A选自Ca、Sr、Ba中的至少一种,B选自Zr、Ti、Hf中的至少一种;所述钙钛矿材料具有多孔结构。所述钙钛矿材料的比表面积为常规钙钛矿材料的1.73~4.63倍,在催化湿式氧化再生活性炭工艺中具有优异的催化再生效果。该钙钛矿材料制备工艺简单、易于控制,比表面积远大于传统方法制备的钙钛矿粉体。
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公开(公告)号:CN113023776A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN202110257874.5
申请日:2021-03-10
申请人: 上海交通大学
IPC分类号: C01G27/00 , C04B35/50 , C04B35/622
摘要: 本发明涉及一种热障涂层用萤石结构高熵氧化物粉体及其制备方法,该粉体具有单一的萤石结构,化学分子式为RE2HE2O7,其中RE为稀土元素Y、Ho、Er、Yb、Lu中的一种;HE为Ce、Zr、Hf、Sn、Ti中的至少三种元素,各HE元素的摩尔数与所有HE元素总摩尔数的百分比为10%~30%。制备方法:按比例混合RE2O3和HEO2的原始粉末,加热混合粉末至一定温度发生固相反应,经球磨干燥过筛得到高熵陶瓷粉体。本与现有技术相比,发明高熵氧化物粉体制备的陶瓷材料具有极低的热导率以及较高的热膨胀系数,综合力学性能优良,工艺简单,适用范围广,可应用于陶瓷热障涂层材料领域。
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公开(公告)号:CN108217608A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201711445170.0
申请日:2017-12-27
申请人: 中国科学院化学研究所
IPC分类号: C01B19/00 , C01B25/02 , C01B33/021 , C01G19/00 , C01G23/00 , C01G25/00 , C01G27/00 , C01G31/00 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G39/06 , C01G41/00 , C01G47/00 , C01G53/11 , C01G55/00 , C01B32/186 , C01B32/184 , C23C14/12 , C23C14/24 , H01L29/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要: 本发明涉及纳米材料及其制备领域,公开了一种二维材料纳米卷及其制备方法和应用,其中,该二维材料纳米卷为通过采用溶液浸渍和/或滴涂在二维材料薄膜的表面上,从而使该二维材料薄膜自动卷曲而得到的;其中,该二维材料纳米卷为中空棒状,长度为50nm‑1cm,外直径为5‑500nm,内中空层直径为2‑100nm,层间距为0.3‑10nm;制备的基于该二维材料纳米卷的场效应晶体管的迁移率为8‑4000厘米/(伏·秒)。采用本发明的方法能够高收率地制备高质量的二维材料纳米卷,另外,该方法操作简单灵活,合成成本低,反应时间短。
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公开(公告)号:CN101124040B
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN200580048353.8
申请日:2005-12-12
申请人: 凯密特尔有限责任公司
IPC分类号: B01J13/00 , C01G1/02 , C01G17/00 , C01G17/02 , C01G19/00 , C01G19/02 , C01G23/00 , C01G23/04 , C01G25/00 , C01G25/02 , C01G27/00 , C01G27/02 , C01B33/14
CPC分类号: C01B33/145 , B01J13/0026 , B01J13/0047 , C01G1/02 , C01G17/00 , C01G17/02 , C01G19/00 , C01G19/02 , C01G23/00 , C01G23/04 , C01G25/00 , C01G25/02 , C01G27/00 , C01G27/02 , C01P2002/86 , C01P2006/60
摘要: 本发明涉及了一种于非质子有机溶剂或溶剂混合物中的具有如下通式的无水金属氧化物胶体和/和金属氧化物聚合物:[M(O)X3X4]n (1)其中的M=Si,Ge,Sn,Ti,Zr或Hf;X3和X4相互独立地为O1/2、H、烷氧基(-OR),其中R为具有1-20个C原子的有机基团,具有1至20个C原子的烷基和具有6至20个C原子的芳基,且所述烷基和芳基可以带有一个或多个其他的选自F、Cl、Br或I的卤素取代基;并且n的典型取值为10至1000000。
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公开(公告)号:CN101475216A
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200910010150.X
申请日:2009-01-19
申请人: 沈阳化工学院
摘要: 溶胶-凝胶法制备闪烁体材料纳米粉体的方法,涉及用于核医学成像技术、X射线探测器材料的掺铈二氧化铪纳米粉体的制备方法,本发明提供了一种湿化学溶胶-凝胶法制备掺杂Ce3+的BaHfO3闪烁体纳米粉体的方法。该闪烁体材料化学式为BaHfO3:Ce3+,其中Ba2+:Hf4+的原子比率是从0.85∶1-0.95∶1;冒号后的Ce3+表示掺杂剂,Ce3+的掺杂浓度(摩尔分数)是从0.3%-1.1%。采用柠檬酸为螯合剂,在加入少量乙二醇的情况下合成BaHfO3:Ce3+纳米发光粉体。该方法工艺简单,可以在较低的温度下制备,所得BaHfO3:Ce3+粉体粒径小,分布均匀,基本呈球状。
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公开(公告)号:CN115872447B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202211679739.0
申请日:2022-12-27
申请人: 中国矿业大学 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
IPC分类号: C01G27/00
摘要: 本发明公开了一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法,包括以下步骤:按照Ba、Ca、Ti、Hf的摩尔比称取乙酸钡、乙酸钙、四氯化铪、钛酸四丁酯原料,利用溶胶‑凝胶方法制得BCHT溶胶;对溶胶进行活化处理;将活化处理后的溶胶放入油浴锅中保温陈化得到凝胶,于真空干燥箱中干燥后得到凝胶干粉;对凝胶干粉进行煅烧、研磨,得到BCHT粉体。本发明克服了现有铪钛酸钡钙粉体制备方法存在的粉体球磨混料不均匀,引入外部杂质,煅烧温度高等问题,具有大幅降低煅烧温度、成分均匀、组分准确、纯度高、产物粉体细小、单分散等优势,有利于提升粉体的烧结性能,为进一步制备高磁电耦合性能多铁半导体压电相奠定了坚实基础。
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