发明公开
CN108217608A 二维材料纳米卷及其制备方法和应用
无效 - 驳回
- 专利标题: 二维材料纳米卷及其制备方法和应用
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申请号: CN201711445170.0申请日: 2017-12-27
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公开(公告)号: CN108217608A公开(公告)日: 2018-06-29
- 发明人: 郑健 , 崔雪萍
- 申请人: 中国科学院化学研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村北一街2号
- 专利权人: 中国科学院化学研究所
- 当前专利权人: 中国科学院化学研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村北一街2号
- 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 严政; 刘依云
- 主分类号: C01B19/00
- IPC分类号: C01B19/00 ; C01B25/02 ; C01B33/021 ; C01G19/00 ; C01G23/00 ; C01G25/00 ; C01G27/00 ; C01G31/00 ; C01G33/00 ; C01G35/00 ; C01G39/06 ; C01G41/00 ; C01G47/00 ; C01G53/11 ; C01G55/00 ; C01B32/186 ; C01B32/184 ; C23C14/12 ; C23C14/24 ; H01L29/24 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明涉及纳米材料及其制备领域,公开了一种二维材料纳米卷及其制备方法和应用,其中,该二维材料纳米卷为通过采用溶液浸渍和/或滴涂在二维材料薄膜的表面上,从而使该二维材料薄膜自动卷曲而得到的;其中,该二维材料纳米卷为中空棒状,长度为50nm‑1cm,外直径为5‑500nm,内中空层直径为2‑100nm,层间距为0.3‑10nm;制备的基于该二维材料纳米卷的场效应晶体管的迁移率为8‑4000厘米/(伏·秒)。采用本发明的方法能够高收率地制备高质量的二维材料纳米卷,另外,该方法操作简单灵活,合成成本低,反应时间短。