发明授权
- 专利标题: 一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法
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申请号: CN202211679739.0申请日: 2022-12-27
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公开(公告)号: CN115872447B公开(公告)日: 2024-07-09
- 发明人: 吉祥 , 田野 , 彭倩文 , 陈正 , 李卫月 , 关春洋
- 申请人: 中国矿业大学 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
- 申请人地址: 江苏省徐州市铜山区大学路1号;
- 专利权人: 中国矿业大学,江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
- 当前专利权人: 中国矿业大学,江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省徐州市铜山区大学路1号;
- 主分类号: C01G27/00
- IPC分类号: C01G27/00
摘要:
本发明公开了一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法,包括以下步骤:按照Ba、Ca、Ti、Hf的摩尔比称取乙酸钡、乙酸钙、四氯化铪、钛酸四丁酯原料,利用溶胶‑凝胶方法制得BCHT溶胶;对溶胶进行活化处理;将活化处理后的溶胶放入油浴锅中保温陈化得到凝胶,于真空干燥箱中干燥后得到凝胶干粉;对凝胶干粉进行煅烧、研磨,得到BCHT粉体。本发明克服了现有铪钛酸钡钙粉体制备方法存在的粉体球磨混料不均匀,引入外部杂质,煅烧温度高等问题,具有大幅降低煅烧温度、成分均匀、组分准确、纯度高、产物粉体细小、单分散等优势,有利于提升粉体的烧结性能,为进一步制备高磁电耦合性能多铁半导体压电相奠定了坚实基础。
公开/授权文献
- CN115872447A 一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法 公开/授权日:2023-03-31
IPC分类: