公开(公告)号：CN120040183A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510273783.9

申请日：2025-03-10

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 唐华 ,  苏俊材 ,  翟福强 ,  孟祥 ,  程江 ,  李璐

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622

Abstract: 一种钙钛矿型高温热电陶瓷材料，是以钛酸锶为基体，金属元素钐和钽共掺杂形成的热电陶瓷材料Sr1‑xSmxTi1‑yTayO3，其中x=0.05~0.12、y=0.01~0.03。本发明通过在钛酸锶中共掺杂特定量的Sm和Ta，有效提高了钙钛矿陶瓷材料的赛贝克系数（1300K左右从单一掺杂Sm的278.66μV/K提高到了663.61μV/K）、降低其热导率（1300K下从单一掺杂Sm的278.66μV/K提高到了663.61μV/K），同时不降低材料的电导率，从而提高了陶瓷的热电优值，达到1.3，是单一掺杂Sm的钛酸锶陶瓷材料的3倍。

公开(公告)号：CN115966618B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202211383955.0

申请日：2022-11-07

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 唐华 ,  李皓阳 ,  程江 ,  孟祥 ,  李璐

IPC: H10F77/12 ,  H10F10/16 ,  H10F71/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/18

Abstract: 一种双层堆叠硫锑银基梯度薄膜，以硫锑银（AgSbS2）为基体，添加铟（In）制备的AgInxSb(S,Se)2为第一层，添加锑（Sb）形成AgSb1+y(S,Se)2为第二层，其中x=0.1~0.5，y=0.1~0.5。本发明中双吸收层梯度带隙AgInxSb(S,Se)2/AgSb1+y(S,Se)2薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，双吸收层的配合在保有AgInxSb(S,Se)2薄膜高的短路电流的基础上，通过第二层的AgSb1+y(S,Se)2减小了开路电压的降低，通过双吸收层配合，使得整个太阳能电池的效率提升至最大3.5%，以AgInxSb(S,Se)2/AgSb1+y(S,Se)2薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgIn0.5Sb(S,Se)2/AgSb1.25(S,Se)2/Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到17mA·cm‑2，Voc达到396.5mV，FF为52.7%。

公开(公告)号：CN116874854A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310839088.5

申请日：2023-07-10

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 柏栋予 ,  李璐 ,  程江 ,  李颖

IPC: C08J7/04 ,  C09D179/08 ,  C09D133/00 ,  C09D7/62 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明公开了一种耐高温聚酰亚胺扩散层的光学复合膜及其制备方法。该复合膜包括光扩散层和光增亮层，所述光扩散层为耐高温聚酰亚胺/无机粒子纳米复合物，所述光增亮层为表面具有微棱镜结构的光固化树脂。所述方法包含以下步骤：(1)将无机纳米粒子进行改性处理，与透明型耐高温聚酰亚胺复合制备得到光扩散层胶液，并涂覆在透明型耐高温聚酰亚胺薄膜的表面得到光扩散层薄膜；(2)将改性丙烯酸树脂涂覆在光扩散薄膜上，采用表面具有微结构的模具对其进行模压紫外光固化成型。本发明提供的光学复合膜，兼具光扩散和光增亮的效果及优异的耐高温性能和机械性能，可以减少液晶背光模组的厚度和重量，降低成本，具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN113355500B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202110701665.5

申请日：2021-06-24

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 孟祥 ,  陈西浩 ,  程江 ,  李璐

IPC: C21D1/64 ,  H02N11/00 ,  C21D9/08

Abstract: 本发明涉及一种淬火冷却的热量利用设备，包括有冷却水池，冷却水池内有冷却液，冷却水池内设置有可升降的升降单元，升降单元的升降端上转动设置有转动单元，转动单元的转动端上设置有夹持待冷却的管状淬火零件的夹持单元，夹持单元上设置有利用待冷却的管状淬火零件的热量进行发电的热电单元，热电单元与蓄电池电性连接，蓄电池为动力单元提供能量，动力单元为升降单元和转动单元提供升降动力。本申请通过热电单元利用待冷却的管状淬火零件的热量进行发电，其发的电通过动力单元带动升降单元带动零件进行冷却，并在冷却时带动零件转动，实现了快速高效的冷却。

公开(公告)号：CN114711184A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210557694.3

申请日：2022-05-19

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 陈西浩 ,  孟祥 ,  程江 ,  李璐

IPC: A01K63/00 ,  A01K63/06 ,  A01K61/80 ,  A01G2/10 ,  A01C5/06 ,  A01D44/00 ,  A01D43/06 ,  A01D43/077 ,  A01K63/04

Abstract: 一种智能控制的养殖池，所述养殖池包括有主池，主池前侧顶面设置有安装台，安装台上开设有流水槽，流水槽上方设置有用于传输水草与饵料的传输单元，主池前方设置有用于实时调控主池水温的温控水池，温控水池上设置有出水管道，出水管道的出口与流水槽连通，流水槽另一端与主池连通，所述主池顶面还设置有用于投食和清理主池的清理单元。本发明可以实时调节水温，自动化扦插水草，定期投食、清洁水草避免挂脏，利于养殖。

公开(公告)号：CN113235166B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202110520744.6

申请日：2021-05-13

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 程江 ,  李璐 ,  柏栋予 ,  李颖 ,  唐华

IPC: C30B29/46 ,  C30B11/00

Abstract: 一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法，依次进行硒化锑多晶原料的合成和硒化锑单晶体的生长，所述硒化锑单晶体的生长是将硒化锑多晶原料密封于石英安瓿中，置于晶体生长炉中，高温区温度控制为710~750℃，低温区控制为400~420℃，梯度区长度约为15cm，温度梯度控制在20~24℃/cm，结晶界面附近温度梯度为8~15℃/cm。本发明制备的大尺寸硒化锑单晶体由1个单粒构成的单晶体，晶粒尺寸达到5.3cm以上，在用于制备太阳能电池时，本发明制备的硒化锑通过切割、抛光等处理依然能得到光滑的表面，不容易出现短路，载流子迁移率高，由于其较大的尺寸，可直接以单晶结构应用于光电探测领域，从而提高探测器性能。

公开(公告)号：CN113644146A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110906752.4

申请日：2021-08-09

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 唐华 ,  唐明睿 ,  程江 ,  李璐

IPC: H01L31/0272 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

Abstract: 一种用于太阳能电池的薄膜，其成分的化学表达为AgInxSbS(2+3x/2)(Se)，其中x=0.25~1.0；本发明中AgInxSbS(2+3x/2)(Se)薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，本发明方法降低了Se对薄膜结构损害，制备的薄膜致密性、均匀性优异，以该薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgInxSbS(2+3x/2)(Se)/Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到20.65mA cm‑2，FF达到42.8%，PEC达到最大值为1.98%，EQE达到70%；均有优异的稳定性。

公开(公告)号：CN113419106A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110672708.1

申请日：2021-06-17

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 程江 ,  唐华 ,  李璐

IPC: G01R21/06 ,  G01R19/00 ,  G01R15/12 ,  H02N2/18

Abstract: 本发明提供一种垂直受压发电模块测试系统，包括往复冲压组件（1）、升降测试组件（2）及监测设备（3）；升降测试组件（2）设置在往复冲压组件（1）下端；往复冲压组件（1）包括转动盘（11）、固定杆（12）、第一连接杆（13）、第二连接杆（14）、第一滑移板（15）及冲击锤（16），升降测试组件（2）包括支撑架（21）、第二滑移板（22）、压力传感器（23）、模块容器（24）、压力测试模块（25）、“L”形连杆（26）以及丝杠电机（27）。该系统压力力度可控、重复性好，能在低频率、高压力值条件下对压力发电模块实现精确测量，测量范围广；同时，该系统能实时测量电流、电压及压力随时间变化的值，有利于对压力发电组件性能的分析。

公开(公告)号：CN112573521A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011312799.X

申请日：2020-11-20

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 孟祥 ,  程江 ,  廖小青 ,  李璐 ,  立冈浩一

IPC: C01B33/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B1/10 ,  C30B29/10

Abstract: 一种CaSi纳米线的制备方法，将晶面为（111）的单晶硅基板进行预处理，随后与钙不接触置于石英容器中，预处理后的硅基板置于钙的上方，容器口放置少量石英棉，石英容器在真空中加热至630~690℃，保温反应，然后快速降至室温。本发明一步反应制备产物中没有生成其他硅化物杂相，产物为单相的CaSi单晶纳米线，纯度高，CaSi纳米线垂直于晶面（111）的单晶硅基板，没有团聚缠绕现象，分布均匀性优异，密度大，粒径控制在30~50nm之间，生长的纳米线直径均匀，能有效适应较大的体积变化而不发生粉化，具有优异的电接触和导电性，其均匀的一维结构，促进电荷的有效传输，每根纳米线基本垂直于基板，不团聚，增强了其导电性能，无需额外添加粘合剂或导电剂。

公开(公告)号：CN112408393A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011308192.4

申请日：2020-11-20

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 孟祥 ,  程江 ,  唐华 ,  李璐 ,  立冈浩一

IPC: C01B33/021 ,  B82Y40/00 ,  H01M10/052 ,  H01M4/38

Abstract: 一种硅纳米片阵列的制备方法，是将晶面为（111）的硅基板预处理后，与钙置于真空中依次在630~640℃和700~720℃下进行分段加热反应，反应完成后降至室温，将反应后的硅基板置于氯化锰的乙醇溶液浸泡2h，然后与氯化锰颗粒分别置于分段加热炉的两端，全程通入氮气，将氯化锰颗粒一端加热至700~830℃，基板一端加热至500~600℃保温反应，反应结束后冷却至室温。本发明制备的硅纳米片垂直于硅基板并形成阵列，纳米片之间的间距达到10~100nm，纳米片不团聚、不垮塌，纳米片厚度在5~150nm之间可有效调控，高度达到2μm左右，产率高，产率可达到原材料的55.7~63.9%，形成高密度的硅纳米片阵列，纯度高达96.4%。