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公开(公告)号：CN114715898B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210280440.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00 , H01M4/38 , H01M10/052
Abstract: 一种高密度的二维硅基纳米材料，包括硅纳米片和硅基板，且硅纳米片垂直于硅基板并形成阵列；硅纳米片之间的间距达到10~100nm，硅纳米片组成的阵列呈现对称形貌，厚度在5~150nm之间；它是按照以下步骤制备而得的：将硅基板预处理后与钙于真空中分段加热反应，后降至室温，再置于氯化锰的乙醇溶液浸泡，然后与氯化锰颗粒分别置于分段加热炉的两端，全程通入氮气，将氯化锰颗粒一端加热至700~830℃，基板一端加热至500~600℃保温反应，反应结束后冷却至室温。本发明纳米材料中硅纳米片不团聚、不垮塌，厚度在5~150nm之间可有效调控，高度达到2μm左右，产率高，形成高密度的硅纳米片阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114715898A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210280440.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00 , H01M4/38 , H01M10/052
Abstract: 一种高密度的二维硅基纳米材料，包括硅纳米片和硅基板，且硅纳米片垂直于硅基板并形成阵列；硅纳米片之间的间距达到10~100nm，硅纳米片组成的阵列呈现对称形貌，厚度在5~150nm之间；它是按照以下步骤制备而得的：将硅基板预处理后与钙于真空中分段加热反应，后降至室温，再置于氯化锰的乙醇溶液浸泡，然后与氯化锰颗粒分别置于分段加热炉的两端，全程通入氮气，将氯化锰颗粒一端加热至700~830℃，基板一端加热至500~600℃保温反应，反应结束后冷却至室温。本发明纳米材料中硅纳米片不团聚、不垮塌，厚度在5~150nm之间可有效调控，高度达到2μm左右，产率高，形成高密度的硅纳米片阵列。
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公开(公告)号：CN112573521B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011312799.X
申请日：2020-11-20
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种CaSi纳米线的制备方法，将晶面为（111）的单晶硅基板进行预处理，随后与钙不接触置于石英容器中，预处理后的硅基板置于钙的上方，容器口放置少量石英棉，石英容器在真空中加热至630~690℃，保温反应，然后快速降至室温。本发明一步反应制备产物中没有生成其他硅化物杂相，产物为单相的CaSi单晶纳米线，纯度高，CaSi纳米线垂直于晶面（111）的单晶硅基板，没有团聚缠绕现象，分布均匀性优异，密度大，粒径控制在30~50nm之间，生长的纳米线直径均匀，能有效适应较大的体积变化而不发生粉化，具有优异的电接触和导电性，其均匀的一维结构，促进电荷的有效传输，每根纳米线基本垂直于基板，不团聚，增强了其导电性能，无需额外添加粘合剂或导电剂。
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公开(公告)号：CN112408393B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202011308192.4
申请日：2020-11-20
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00 , H01M10/052 , H01M4/38
Abstract: 一种硅纳米片阵列的制备方法，是将晶面为（111）的硅基板预处理后，与钙置于真空中依次在630~640℃和700~720℃下进行分段加热反应，反应完成后降至室温，将反应后的硅基板置于氯化锰的乙醇溶液浸泡2h，然后与氯化锰颗粒分别置于分段加热炉的两端，全程通入氮气，将氯化锰颗粒一端加热至700~830℃，基板一端加热至500~600℃保温反应，反应结束后冷却至室温。本发明制备的硅纳米片垂直于硅基板并形成阵列，纳米片之间的间距达到10~100nm，纳米片不团聚、不垮塌，纳米片厚度在5~150nm之间可有效调控，高度达到2μm左右，产率高，产率可达到原材料的55.7~63.9%，形成高密度的硅纳米片阵列，纯度高达96.4%。
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公开(公告)号：CN112573521A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011312799.X
申请日：2020-11-20
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种CaSi纳米线的制备方法，将晶面为（111）的单晶硅基板进行预处理，随后与钙不接触置于石英容器中，预处理后的硅基板置于钙的上方，容器口放置少量石英棉，石英容器在真空中加热至630~690℃，保温反应，然后快速降至室温。本发明一步反应制备产物中没有生成其他硅化物杂相，产物为单相的CaSi单晶纳米线，纯度高，CaSi纳米线垂直于晶面（111）的单晶硅基板，没有团聚缠绕现象，分布均匀性优异，密度大，粒径控制在30~50nm之间，生长的纳米线直径均匀，能有效适应较大的体积变化而不发生粉化，具有优异的电接触和导电性，其均匀的一维结构，促进电荷的有效传输，每根纳米线基本垂直于基板，不团聚，增强了其导电性能，无需额外添加粘合剂或导电剂。
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公开(公告)号：CN112408393A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011308192.4
申请日：2020-11-20
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00 , H01M10/052 , H01M4/38
Abstract: 一种硅纳米片阵列的制备方法，是将晶面为（111）的硅基板预处理后，与钙置于真空中依次在630~640℃和700~720℃下进行分段加热反应，反应完成后降至室温，将反应后的硅基板置于氯化锰的乙醇溶液浸泡2h，然后与氯化锰颗粒分别置于分段加热炉的两端，全程通入氮气，将氯化锰颗粒一端加热至700~830℃，基板一端加热至500~600℃保温反应，反应结束后冷却至室温。本发明制备的硅纳米片垂直于硅基板并形成阵列，纳米片之间的间距达到10~100nm，纳米片不团聚、不垮塌，纳米片厚度在5~150nm之间可有效调控，高度达到2μm左右，产率高，产率可达到原材料的55.7~63.9%，形成高密度的硅纳米片阵列，纯度高达96.4%。
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