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公开(公告)号：CN115295642B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202210882645.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种双添加硫锑银基薄膜，所述双添加是同时添加In（铟）和Sb（锑），所述薄膜的化学表达式为AgInxSb1+y(S,Se)2，其中0＜x+y≤0.55。本发明通过In和Sb的双添加，有效去除了薄膜中的杂相，膜的纯度明显提高，薄膜的结晶度得到改善，薄膜显示出大面积均匀且致密的形貌，有效减少了载流子的复合，最终器件的提高了器件Jsc和FF，从而使得光电转换效率得到提升，从原来的1.98%升至现在的2.43%。
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公开(公告)号：CN115966618A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211383955.0
申请日：2022-11-07
Applicant: 重庆文理学院
IPC: H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18 , C23C14/34 , C23C14/18
Abstract: 一种双层堆叠硫锑银基梯度薄膜，以硫锑银（AgSbS2）为基体，添加铟（In）制备的AgInxSb(S,Se)2为第一层，添加锑（Sb）形成AgSb1+y(S,Se)2为第二层，其中x=0.1~0.5，y=0.1~0.5。本发明中双吸收层梯度带隙AgInxSb(S,Se)2/AgSb1+y(S,Se)2薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，双吸收层的配合在保有AgInxSb(S,Se)2薄膜高的短路电流的基础上，通过第二层的AgSb1+y(S,Se)2减小了开路电压的降低，通过双吸收层配合，使得整个太阳能电池的效率提升至最大3.5%，以AgInxSb(S,Se)2/AgSb1+y(S,Se)2薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgIn0.5Sb(S,Se)2/AgSb1.25(S,Se)2/Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到17mA·cm‑2，Voc达到396.5mV，FF为52.7%。
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公开(公告)号：CN115295642A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210882645.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 重庆文理学院
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 一种双添加硫锑银基薄膜，所述双添加是同时添加In（铟）和Sb（锑），所述薄膜的化学表达式为AgInxSb1+y (S,Se)2，其中0＜x+y≤0.55。本发明通过In和Sb的双添加，有效去除了薄膜中的杂相，膜的纯度明显提高，薄膜的结晶度得到改善，薄膜显示出大面积均匀且致密的形貌，有效减少了载流子的复合，最终器件的提高了器件Jsc和FF，从而使得光电转换效率得到提升，从原来的1.98%升至现在的2.43%。
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公开(公告)号：CN115966618B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202211383955.0
申请日：2022-11-07
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种双层堆叠硫锑银基梯度薄膜，以硫锑银（AgSbS2）为基体，添加铟（In）制备的AgInxSb(S,Se)2为第一层，添加锑（Sb）形成AgSb1+y(S,Se)2为第二层，其中x=0.1~0.5，y=0.1~0.5。本发明中双吸收层梯度带隙AgInxSb(S,Se)2/AgSb1+y(S,Se)2薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，双吸收层的配合在保有AgInxSb(S,Se)2薄膜高的短路电流的基础上，通过第二层的AgSb1+y(S,Se)2减小了开路电压的降低，通过双吸收层配合，使得整个太阳能电池的效率提升至最大3.5%，以AgInxSb(S,Se)2/AgSb1+y(S,Se)2薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgIn0.5Sb(S,Se)2/AgSb1.25(S,Se)2/Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到17mA·cm‑2，Voc达到396.5mV，FF为52.7%。
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