公开(公告)号：CN113644146A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110906752.4

申请日：2021-08-09

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 唐华 ,  唐明睿 ,  程江 ,  李璐

IPC: H01L31/0272 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

Abstract: 一种用于太阳能电池的薄膜，其成分的化学表达为AgInxSbS(2+3x/2)(Se)，其中x=0.25~1.0；本发明中AgInxSbS(2+3x/2)(Se)薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，本发明方法降低了Se对薄膜结构损害，制备的薄膜致密性、均匀性优异，以该薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgInxSbS(2+3x/2)(Se)/Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到20.65mA cm‑2，FF达到42.8%，PEC达到最大值为1.98%，EQE达到70%；均有优异的稳定性。

公开(公告)号：CN113644146B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202110906752.4

申请日：2021-08-09

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 唐华 ,  唐明睿 ,  程江 ,  李璐

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: 一种用于太阳能电池的薄膜，其成分的化学表达为AgInxSbS(2+3x/2)(Se)，其中x=0.25~1.0；本发明中AgInxSbS(2+3x/2)(Se)薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，本发明方法降低了Se对薄膜结构损害，制备的薄膜致密性、均匀性优异，以该薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgInxSbS(2+3x/2)(Se)/Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到20.65mA cm‑2，FF达到42.8%，PEC达到最大值为1.98%，EQE达到70%；均有优异的稳定性。