公开(公告)号：CN110828602B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201911028902.5

申请日：2019-10-28

申请人： 暨南大学

发明人： 沈凯 ,  麦耀华 ,  张玉 ,  陈增创 ,  黄才彰

IPC分类号： H01L31/073 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法，该硒化锑薄膜太阳电池在生长p型硒化锑吸收层之前插入p型硒化锑种子层，并且采用单一连续热过程生长p型硒化锑种子层以及p型硒化锑吸收层，促进晶粒外延和连续性生长，实现具有择优取向的高质量硒化锑薄膜，从而有效的促进电子的抽取和运输，进而提升硒化锑太阳电池器件的能量转换效率。

公开(公告)号：CN110828602A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911028902.5

申请日：2019-10-28

申请人： 暨南大学

发明人： 沈凯 ,  麦耀华 ,  张玉 ,  陈增创 ,  黄才彰

IPC分类号： H01L31/073 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法，该硒化锑薄膜太阳电池在生长p型硒化锑吸收层之前插入p型硒化锑种子层，并且采用单一连续热过程生长p型硒化锑种子层以及p型硒化锑吸收层，促进晶粒外延和连续性生长，实现具有择优取向的高质量硒化锑薄膜，从而有效的促进电子的抽取和运输，进而提升硒化锑太阳电池器件的能量转换效率。