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公开(公告)号：CN118899166A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410824428.1
申请日：2024-06-25
申请人： 西南科技大学
摘要： 本申请涉及薄膜介质储能材料技术领域，尤其涉及一种具有结晶和非结晶的同质结铁电多层膜及其制备方法；所述同质结铁电多层膜包括层叠设置的第一锆钛酸铅层和第二锆钛酸铅层；所述第一锆钛酸铅层和所述第二锆钛酸铅层分别掺杂有稀土元素，且所述第一锆钛酸铅层中稀土元素的掺杂量＜所第二锆钛酸铅层中稀土元素的掺杂量，以使所述第一锆钛酸铅层和所述第二锆钛酸铅层的晶态不同；通过使用非结晶的第一锆钛酸铅层和结晶态的第二锆钛酸铅层，可以得到击穿强度在5.2MV/cm以上以及储能密度在50J/cm3以上的同质结铁电多层膜产品。
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公开(公告)号：CN117894603A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311276873.0
申请日：2023-09-28
申请人： 意法半导体(图尔)公司
发明人： M·布夫尼克尔
摘要： 本公开涉及制造电容器的方法。本公开涉及一种电容器，所述电容器包括：第一导电层，在所述第一导电层上方形成堆叠件，所述堆叠件从所述第一层的上面起包括第一电极、第一电介质层、第二电极和第二导电层，所述堆叠件包括在所述第二导电层、所述第二电极和所述第一电介质层的部分厚度内的梯级，所述梯级填充有第二电介质层，使得所述第一电极的侧壁相对于所述第二电介质层的侧壁对准。
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公开(公告)号：CN117423548A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311744162.1
申请日：2023-12-19
申请人： 广州天极电子科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种电容器衬底、高容量密度电容器及其制造方法，涉及电容器的技术领域，包括衬底和三维异形图案，所述衬底上设置有若干个三维异形的凹槽或者立柱，在一个切割块内所述凹槽或者所述立柱呈错位排布，或者所述凹槽或者所述立柱的形心呈阵列排布，相邻的所述凹槽或者所述立柱的边缘距离不大于2倍的加工余量。本发明可在缩小电容器尺寸和厚度的情况下，利用凹槽或者立柱阵列的结合，增加了介质层的表面积，有效提高电容器的容量密度。
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公开(公告)号：CN116463719A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310234865.3
申请日：2023-03-13
申请人： 中南大学
摘要： 本发明公开了一种高介电常数镉磷硫晶体的制备方法、应用及电子器件。该制备方法包括以下步骤：根据镉磷硫晶体对应化学结构式中各组成元素的摩尔比提供镉单质、磷单质和硫单质；镉磷硫晶体的化学结构式为CdPS3。采用化学气相输运法直接生长镉磷硫晶体；或采用化学气相沉积法、物理气相沉积法、金属有机源化学气相沉积法直接在绝缘衬底上生长镉磷硫晶体。上述的高介电常数镉磷硫晶体的制备方法中，以镉单质、磷单质和硫单质为原料，不包含其他元素；至少减少高介电常数镉磷硫晶体中其他元素的含量，提高其纯度，同时高介电常数镉磷硫晶体的颗粒较为完整，粒径较大，且具有较高的相对介电常数。
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公开(公告)号：CN115483025A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211208073.0
申请日：2022-09-30
申请人： 安徽锐光电子科技有限公司
发明人： 温凯华
摘要： 本发明涉及云母片电容器生产技术领域，公开了云母片电容器的制备工艺，具体操作方法包括以下步骤：云母片挑选与剥片：将云母厚片进行挑选和修剪，接着对挑选后的厚云母片用剥刀剥片，经剥分后的云母片按厚度进行分档；云母片厚度分类：将上述步骤中的薄片云母用千分表进行厚度分类。本发明在配制银膏时采用的均为绿色无污染的原料，生产成本低，将银膏涂覆在云母片上通过印银与烧渗后，通过对生产出的产品进行耐压测试、绝缘电阻测试、测损耗正切值、电容器温度系数和容量稳定度测试，可以有效避免产品的不良率，同时一步一步的进行测试，对测试出的成品进行分类，有效减少不良品造成的原料浪费，符合云母片变色生产的大规模生产需求。
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公开(公告)号：CN115028197B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210964553.3
申请日：2022-08-12
申请人： 南昌大学
摘要： 本发明提供了一种低频超高介电常数材料及其制备方法，该方法通过将CsCl原料、PbCl2原料和SmCl3原料按照预设摩尔比称取，并混合均匀，得到待处理混合物；将待处理混合物置于真空环境中，并将真空环境的温度加热至预设温度；将待处理混合物在预设温度下烧结，静置冷却后，得到低频超高介电常数材料，使用该方法制备出的低频超高介电常数材料大幅度提高了其低频下的介电常数，使得该无机材料适用范围更大，应用更广泛，适用于器件的小型化和集成化发展。
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公开(公告)号：CN110739153B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201811516709.1
申请日：2018-12-12
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本公开提供一种多层电容器，所述多层电容器包括电容器主体、第一外电极和第二外电极。所述电容器主体包括交替地堆叠的多个第一内电极和多个第二内电极，并且介电层介于所述多个第一内电极和所述多个第二内电极之间。所述第一外电极和所述第二外电极分别电连接到所述多个第一内电极和所述多个第二内电极。第一肖特基层肖特基接合到所述电容器主体中的所述介电层与所述第一内电极之间的界面。第二肖特基层肖特基接合到所述电容器主体中的所述介电层与所述第二内电极之间的界面。所述第一肖特基层和所述第二肖特基层的功函数值高于所述第一内电极和所述第二内电极的功函数值。
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公开(公告)号：CN113493346B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110672536.8
申请日：2021-06-17
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/491 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/64 , H01G4/08
摘要： 本发明公开了一种高击穿场强的储能薄膜及其制备方法，属于高性能储能薄膜材料制备技术领域。本发明解决了现有制备的储能薄膜击穿场强低、性能调控过程复杂以及储能密度低下等技术问题。本发明通过分层退火的方式，实现了高退火温度下的极化层叠加低退火温度下的耐压层，成功制备了具有电学性能的铁电薄膜。相较于现有离子掺杂、调控退火温度等现有解决手段相比，该薄膜结构设计方案，极大地降低了制备工艺的操作难度以及能源消耗，更加贴近工业生产并显著提高了储能密度。
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