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公开(公告)号：CN118496622A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410638290.6
申请日：2024-05-22
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 本发明公开了一种高绝缘填充型高导热环氧树脂复合材料及其制备方法和应用，属于导热绝缘复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有高含量填充型导热环氧树脂绝缘性能劣化的问题。本发明以环氧树脂掺杂氮化硼与氧化铝为前驱体，通过将绝缘介质PI加入前驱体中，通过高温固化，获得高绝缘填充型导热环氧树脂复合材料。本发明制备得到的高绝缘填充型高导热环氧树脂复合材料击穿场强为219.9kV/mm，体积电阻率为3.57×1016Ω·m，导热系数为1.918W/m·K，有望作为一种新能源驱动电机的导热封装绝缘材料。此外，本发明提供的制备方法成本较低，实施较易，环保性好，所需仪器的操作简便安全。
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公开(公告)号：CN117887213B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410287976.5
申请日：2024-03-14
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 高导热低介电损耗氮化硼/环氧树脂复合材料及制备方法。本发明属于复合材料领域。本发明的目的是为了解决基于现有方法构建的导热骨架的环氧树脂复合材料无法兼顾导热性能和介电性能的技术问题。本发明的方法：步骤1：采用蔗糖溶液对氮化硼进行羟基化处理，得到BNNSs‑OH；步骤2：将琼脂糖和BNNSs‑OH进行凝胶反应；步骤3：将凝胶溶液冷冻为氮化硼气凝胶；步骤4：将环氧基体真空浸渍入氮化硼气凝胶，热压固化。本发明的氮化硼/环氧树脂复合材料兼具高导热和低介电损耗。应用于电子封装领域。
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公开(公告)号：CN117683351A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311549291.5
申请日：2023-11-21
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 本发明公开了一种聚酰亚胺基复合电介质薄膜及其制备方法和在电气绝缘中的应用，属于聚酰亚胺基改性复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚酰亚胺电介质材料本征绝缘特性较差的技术问题。本发明通过向聚酰亚胺分子链上引入大体积基团芴和金属氧化铝团簇(‑AOC)，制备了具有高击穿场强的聚酰亚胺薄膜材料，该聚酰亚胺介质材料在室温下的直流击穿场强为672.2MV/m，比传统选用均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚制备的聚酰亚胺介质材料提高了54.6％，在150℃下的直流击穿场强为651.9MV/m，比传统选用均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚制备的聚酰亚胺介质材料提高了56.9％。
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公开(公告)号：CN111665220B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010689301.5
申请日：2020-07-16
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 本发明公开了一种基于花生结构的无温度干扰M‑Z型折射率传感器，包括宽带光源、第一单模光纤、第一花生结构、第一熔接点、第一少模光纤、细芯光纤、第二少模光纤、第二花生结构、第二熔接点、第二单模光纤、光谱仪；使用时，宽带光源连接第一单模光纤的输入端，第二单模光纤的输出端连接光谱仪；通过对光谱仪上谐振波长的位置进行实时监测，能实现无温度干扰的高灵敏度折射率测量。与现有技术相比，本发明在显著提高整个传感器的消光比的同时，还能够避免折射率测量时温度的交叉敏感问题，具有灵敏度高、自由光谱范围大、结构简单、机械强度高等优点。
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公开(公告)号：CN112980188B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110493387.9
申请日：2021-05-07
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 本发明涉及一种锆钛酸钡钙纤维/聚醚砜(BZCT NFs/PESU)复合电介质及其制备方法，属于电介质储能材料技术领域，此发明是为解决聚醚砜电介质材料击穿场强、储能密度和能量效率低的问题。本发明采用热处理技术探索出对电介质薄膜性能相对最佳的热处理温度，并采用静电纺丝技术制备无机锆钛酸钡钙纤维填充相，填充相的掺杂量为复合介质的1wt.％、2wt.％、3wt.％、5wt.％、7wt.％，并用刮涂法与线性聚合物PESU进行复合，通过热处理技术制备致密均匀的复合薄膜。本发明提高了聚合物基复合介质的介电性能、储能性能，在电介质储能领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110532721B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201910834418.5
申请日：2019-09-05
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 本发明涉及一种基于优化量子粒子群算法准确提取未知相移量的方法，其首先基于衍射场的统计性质近似计算四步相移中各相移量的菲涅尔衍射场统计平均值；其次，根据相位随机条件求取中间值，用其表示近似相移量；最后，设置平均误差函数作为适应值函数，并改进量子粒子群算法以进一步逼近相移量的真实值，其中，量子粒子群算法中添加高斯变异操作，使算法符合粒子的初始分布规律。本发明构思合理，理论完善，不仅可以实现四步相移中未知相移量的近似预估计，提高计算方向的准确性，而且可以提高计算未知相移量的真实值的准确度和速度，有效克服传统迭代方法中出现在真实值附近的“锯齿解现象”，具有极快的速度和优秀的求解质量等优点。
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公开(公告)号：CN109097841B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201810819906.4
申请日：2018-07-24
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： D01D5/00 , D04H1/728 , D04H1/74 , D04H1/4374 , D04H1/558 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种各向异性纳米纤维聚偏氟乙烯基复合介质及其制备方法，所述复合介质由BZCT NFs填充相和PVDF复合而成，所述BZCT NFs填充相在复合介质中定向或非定向排布，含量为1～20vol％。本发明采用溶胶‑凝胶法和静电纺丝技术制备具有大长径比的BZCT NFs；进而利用溶液法配制纳米纤维均匀分散的PVDF混合溶液；最终结合静电纺丝技术和淬火工艺获得定向或非定向BZCT‑PVDF。本发明制备的一维无机填充相‑聚合物基复合介质具有明显的各向异性，具有集成、高效、灵活、轻量和低成本优势，可用于先进商业、航空航天和军事领域，推动高性能聚合物基纳米复合材料的发展。
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公开(公告)号：CN108998893B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810820695.6
申请日：2018-07-24
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： D04H1/728 , D04H1/4382 , D01F6/48 , D01F1/10 , H01G4/16
摘要： 本发明公开了一种梯度结构聚偏氟乙烯基复合介质及其制备方法，所述复合介质由BZCT NFs填充相和PVDF复合而成的，所述BZCT NFs填充相在复合介质中呈含量梯度多层排布。本发明结合溶胶‑凝胶法、静电纺丝技术以及热压等工艺制备了大长径比无机纳米纤维填充相和聚偏氟乙烯基复合薄膜介质，并将上述纳米纤维/聚合物基复合薄膜介质进行高温热压和淬火处理，获得了致密的复合薄膜。本发明制备的具有一维纳米填充相含量梯度的多层结构/聚合物基复合电介质具有柔韧性好、成本低、击穿强度高、储能性能优异等特点，能够缓冲高含量无机填充相带来的局部电场畸变，进而提高其储能性能，用以制造出高性能的能量储存器件。
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公开(公告)号：CN118969506A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411009771.7
申请日：2024-07-25
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 本发明公开了一种基于非对称异质结构的全有机复合电介质薄膜的储能性能优化方法，属于电介质储能材料技术领域。为有效提升复合介质的储能能力，本发明构筑一种新颖的绝缘层、过渡层和极化层的非对称异质结构。其中绝缘层选用击穿强度高、绝缘性能好的线性电介质；中间过渡层，使非对称异质三层复合材料的电场分布更加均匀，有效地避免了层间电压的过度集中；极化层选用具有优异极化强度的铁电聚合物。本发明中的PMMA/30wt.％PMMA‑PVDF/PVDF复合介电材料，在579.7kV/mm的场强下，其放电能量密度高达15.3J/cm3，充放电效率高达77.4％，放电能量密度较PVDF材料提高88.9％，效率提高86.5％。非对称异质结构的构筑结合了铁电聚合物以及线性电介质的优势，利用结构优势显著的提升了聚合物的储能性能以及充放电效率，这种非对称异质结构全有机介质复合薄膜制备策略为实现性能更好的介质储能材料提供了新的途径。
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公开(公告)号：CN117866127B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311689323.1
申请日：2023-12-11
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 本发明公开了一种高绝缘全有机复合电介质材料及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体，首先通过KOH处理脱氟化氢，然后使用H2SO4处理羟基化的两步处理方式制备分子改性羟基功能化的PVDF电介质薄膜，利用羟基与氟之间形成的氢键降低介质薄膜的介电损耗，改善介质绝缘性能。具体的薄膜具备较高的绝缘强度(～617.18MV/m)和较低的介电损耗，表明薄膜可在高电场强度下稳定运行。此外，本发明提供的制备工艺流程简洁，环保无污染，可推广实施。
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