公开(公告)号：CN116463719A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310234865.3

申请日：2023-03-13

Applicant: 中南大学

Inventor： 钟绵增 ,  袁乐 ,  徐子杰 ,  李嘉晨 ,  束传存 ,  夏庆林 ,  何军

IPC: C30B25/00 ,  C30B28/14 ,  C30B29/46 ,  C30B23/00 ,  C30B28/12 ,  H01G4/08

Abstract: 本发明公开了一种高介电常数镉磷硫晶体的制备方法、应用及电子器件。该制备方法包括以下步骤：根据镉磷硫晶体对应化学结构式中各组成元素的摩尔比提供镉单质、磷单质和硫单质；镉磷硫晶体的化学结构式为CdPS3。采用化学气相输运法直接生长镉磷硫晶体；或采用化学气相沉积法、物理气相沉积法、金属有机源化学气相沉积法直接在绝缘衬底上生长镉磷硫晶体。上述的高介电常数镉磷硫晶体的制备方法中，以镉单质、磷单质和硫单质为原料，不包含其他元素；至少减少高介电常数镉磷硫晶体中其他元素的含量，提高其纯度，同时高介电常数镉磷硫晶体的颗粒较为完整，粒径较大，且具有较高的相对介电常数。