公开(公告)号：CN102260044B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201110112607.5

申请日：2011-04-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  张文俊 ,  刘心宇

IPC: C03C10/02

Abstract: 本发明涉及一种储能铌酸盐微晶玻璃电介质材料及其制备方法，其制备方法是以BaCO3、SrCO3、Na2CO3、Nb2O5、SiO2、B2O3、TiO2、BaF2为起始原料，按照aNa2O.bSrO.cBaO.dNb2O5.eSiO2.f B2O3.g XY2(X＝Ti，Ba；Y＝O，F)的比例配料，经球磨混料6h后烘干，在1530-1550℃高温熔化2-3h，再经快速冷却、退火得到高致密度的均匀玻璃，在一定温度下进行可控晶化得到微晶玻璃电介质材料。由该方法得到的微晶玻璃电介质的相对介电常数在30-100范围内可调，直流击穿场强最高达1500kV/cm。

公开(公告)号：CN102260044A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110112607.5

申请日：2011-04-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  张文俊 ,  刘心宇

IPC: C03C10/02

Abstract: 本发明涉及一种储能铌酸盐微晶玻璃电介质材料及其制备方法，其制备方法是以BaCO3、SrCO3、Na2CO3、Nb2O5、SiO2、B2O3、TiO2、BaF2为起始原料，按照aNa2O.bSrO.cBaO.dNb2O5.eSiO2.fB2O3.gXY2(X＝Ti，Ba；Y＝O，F)的比例配料，经球磨混料6h后烘干，在1530-1550℃高温熔化2-3h，再经快速冷却、退火得到高致密度的均匀玻璃，在一定温度下进行可控晶化得到微晶玻璃电介质材料。由该方法得到的微晶玻璃电介质的相对介电常数在30-100范围内可调，直流击穿场强最高达1500kV/cm。