公开(公告)号：CN103708829B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310702273.6

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  杨涛 ,  周秀娟 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种反常压电各向异性无铅压电陶瓷及其织构化制备方法，成分为(Bi1/2Na1/2)TiO3+x(Nb2O5+CeO2)，x为摩尔分数，0.005

公开(公告)号：CN103708817B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201310701728.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: H01G7/06 ,  C04B35/26 ,  C04B35/468

Abstract: 本发明公开了一种高耐压无铅高温铁电陶瓷陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)BiFeO3-xBaTiO3+[5%Bi2O3+1%MnO2+0.5%ZnO+1%Nb2O5]，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103803966A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310701726.3

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103708817A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310701728.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468

Abstract: 本发明公开了一种高耐压无铅高温铁电陶瓷陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)BiFeO3-xBaTiO3+[5%Bi2O3+1%MnO2+0.5%ZnO+1%Nb2O5]，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102005273A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010297410.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘心宇 ,  马家峰 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: H01C7/04 ,  H01C17/065

Abstract: 本发明公开了一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法，主要复合成分有两种组合方式：无机相Ⅰ组合方式为：(1-t)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+tBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3，0.4≤t≤0.95(t为摩尔比率)；无机相Ⅱ组合方式为：(1-m-l)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+mBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3+l/2Ag2O，0.3≤m≤0.65，0.05≤l≤0.3，m、l为摩尔比率，将上述复合成分与有机载体按质量比75∶25混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在750～850℃下烧结，保温40～80分钟即可得到无铅负温度系数热敏厚膜。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在10～100μm内，热敏常数值介于2500～5500K之间，室温电阻率处于150Ω·cm～10MΩ·cm范围内，耐老化时间超过800小时。

公开(公告)号：CN103803966B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310701726.3

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103708829A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310702273.6

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  杨涛 ,  周秀娟 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种反常压电各向异性无铅压电陶瓷及其织构化制备方法，成分为(Bi1/2Na1/2)TiO3+x(Nb2O5+CeO2)，x为摩尔分数，0.005

公开(公告)号：CN102351535B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110197606.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  胡耀斌 ,  江民红 ,  崔业让 ,  杨华斌 ,  马家峰

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电（磁）体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1，0＜t＜1，通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数，用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是：致密性好，介电损耗低，压电性能优良，居里温度高，压电性能热稳定性好，制备工艺稳定，采用传统手段获得；烧结温度较低，约1050～1130℃。

公开(公告)号：CN102351535A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110197606.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  胡耀斌 ,  江民红 ,  崔业让 ,  杨华斌 ,  马家峰

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电（磁）体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1，0＜t＜1，通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数，用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是：致密性好，介电损耗低，压电性能优良，居里温度高，压电性能热稳定性好，制备工艺稳定，采用传统手段获得；烧结温度较低，约1050～1130℃。

公开(公告)号：CN103632780B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310654586.9

申请日：2013-12-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李旭琼 ,  骆颖 ,  张廷玖 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰

IPC: H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C1/14

Abstract: 本发明公开了一种片式热敏电阻及其阻值调节方法。所述的片式热敏电阻，包括设置在片式热敏陶瓷表面上的一对电极对，以及从一对电极中的至少一个上伸出用于阻值调节的金属性图案；其中，电极对包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括均具有重复凹凸结构特征的第一分支和第二分支，所述第二电极包括具有重叠“工”字形结构特征的工字形分支，所述工字形分支的横端的两端分别穿插于第一电极上第一分支的凹部中和第二分支的凹部中；所述的金属性图案具有至少一个粗调焊接端和至少一个微调焊接端，粗调焊接端设置于金属性图案上与第一电极的第一分支和/或第二分支的凸部对应的区域中。本发明所述片式热敏电阻可同时实现阻值的粗调和微调功能。