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公开(公告)号：CN106464228B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580024395.1
申请日：2015-04-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H03H9/145 , H01L41/187 , H03H9/25
Abstract: 本发明的目的在于提供一种翘曲小，无破裂、损伤，温度特性良好的用于表面声波元件等的压电性氧化物单晶基板。本发明是具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布曲线的压电性氧化物单晶基板，具体地说，具有在基板的厚度方向上越靠近基板表面则Li浓度越高，越靠近基板的厚度方向的中心部则Li浓度越减小的浓度分布曲线。另外，在本发明的压电性氧化物单晶基板中，从基板表面到Li浓度开始减小为止的范围或者到Li浓度结束增大为止的范围为伪化学计量组成，基板的厚度方向的中心部为大致同成分组成。
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公开(公告)号：CN106948005A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710003835.6
申请日：2017-01-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 阿部淳
Abstract: 本发明提供一种不需减压工序的，均质性高的体积电阻率为1×1010Ω·cm以上，1×1012Ω·cm未满的钽酸锂单晶基板的制造方法。本发明包括，将体积电阻率为1×1012Ω·cm以上，且单区域构造的钽酸锂单晶基板，常压下，氢氛围中，400℃以上，居里温度以下的温度进行热处理的第一工序和，将该第一工序处理的钽酸锂单晶基板，与碳酸锂一起，常压下，氢或氮氛围中，400℃以上，居里温度以下的温度进行热处理的第二工序。
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公开(公告)号：CN1550465B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410032419.1
申请日：2004-04-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C03B37/012 , C03B37/014 , G02B6/00
CPC classification number: C03B37/01446 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2203/22 , C03C3/06 , C03C13/046 , C03C2201/12 , C03C2203/22
Abstract: 本发明是关于一种掺氟石英玻璃制品及其制造方法，其揭露了一种通过在氟气气氛中烧结正在一加热区内移动的多孔玻璃预制体来制造一种掺氟石英玻璃制品的方法，其中进行的氟气处理是将多孔玻璃预制体在温度为1000℃或以上的加热区内的移动速度设定为L/V为40分钟或更长，其中L为加热器的长度(mm)，V为移动速度(mm/分钟)。加热区的温度可以是玻璃化温度。氟气处理可在温度为1000℃或以上但不进行玻璃化处理的加热区内进行，然后可通过增加加热区的温度进行玻璃化处理。
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公开(公告)号：CN1550465A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410032419.1
申请日：2004-04-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C03B37/012 , C03B37/014 , G02B6/00
CPC classification number: C03B37/01446 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2203/22 , C03C3/06 , C03C13/046 , C03C2201/12 , C03C2203/22
Abstract: 本发明是关于一种掺氟石英玻璃制品及其制造方法，其揭露了一种通过在氟气气氛中烧结正在一加热区内移动的多孔玻璃预制体来制造一种掺氟石英玻璃制品的方法，其中进行的氟气处理是将多孔玻璃预制体在温度为1000℃或以上的加热区内的移动速度设定为L/V为40分钟或更长，其中L为加热器的长度(mm)，V为移动速度(mm/分钟)。加热区的温度可以是玻璃化温度。氟气处理可在温度为1000℃或以上但不进行玻璃化处理的加热区内进行，然后可通过增加加热区的温度进行玻璃化处理。
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公开(公告)号：CN114318538A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111121680.9
申请日：2021-09-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供钽酸锂单晶基板的制造方法，其即便在钽酸锂单晶基板的热处理中反复使用碳酸锂粉末，也能够抑制由钽酸锂单晶基板的还原不足导致的体积电阻率的增加。本发明是体积电阻率为1×1010Ω・cm以上且小于1×1012Ω・cm的钽酸锂单晶基板的制造方法，其包括：将体积电阻率为1×1012Ω・cm以上且单晶域结构的钽酸锂单晶基板填埋至BET比表面积为0.13m2/g以上的碳酸锂粉末中，并且，在常压下、350℃以上且居里温度以下的温度下进行热处理的工序，碳酸锂粉末是在常压下、350℃以上且居里温度以下的温度下的钽酸锂单晶基板的热处理时用于填埋钽酸锂单晶基板的使用过的碳酸锂粉末，进行热处理的工序中，开始热处理时，在非活性气体与还原性气体的混合气体气氛中进行热处理，在混合气体气氛中进行热处理后，在非活性气体的单一气体气氛中进行热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112746323A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011188769.2
申请日：2020-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够以良好的成品率制造结晶性优异的单晶锭的单晶锭的制造方法、和能够制造器件特性优异的晶片的单晶晶片的制造方法。本发明的单晶锭的制造方法包括：准备第一单晶锭的步骤；从第一单晶锭切出评价用基板102和晶种用锭103，在晶种用锭上形成投影面104的步骤；对评价用基板102测定局部音速，在评价用基板上的测定的音速的测定值为规定范围内的位置配置正常点105的步骤；在投影面上配置正常点105的映射107的步骤；从晶种用锭切出包含通过正常点105的映射107且与晶体生长轴平行的直线的晶体片109的步骤；和将晶体片109用作晶种制作第二单晶锭的步骤。本发明的单晶晶片的制造方法包括将通过本发明的单晶锭的制造方法制造的第二单晶锭切片制作单晶晶片的步骤。
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公开(公告)号：CN106464228A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024395.1
申请日：2015-04-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H03H9/145 , H01L41/187 , H03H9/25
CPC classification number: H01L41/1873 , H01L41/18 , H03H9/02559 , H03H9/145 , H03H9/25
Abstract: 本发明的目的在于提供一种翘曲小，无破裂、损伤，温度特性良好的用于表面声波元件等的压电性氧化物单晶基板。本发明是具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布曲线的压电性氧化物单晶基板，具体地说，具有在基板的厚度方向上越靠近基板表面则Li浓度越高，越靠近基板的厚度方向的中心部则Li浓度越减小的浓度分布曲线。另外，在本发明的压电性氧化物单晶基板中，从基板表面到Li浓度开始减小为止的范围或者到Li浓度结束增大为止的范围为伪化学计量组成，基板的厚度方向的中心部为大致同成分组成。
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公开(公告)号：CN1495135A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03149668.7
申请日：2003-08-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C03B37/012 , C03B37/014 , C03B37/018 , G02B6/00
CPC classification number: C03C13/045 , C03B37/01211 , C03B37/01291 , C03B37/01446 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , C03B2203/23 , G02B6/03694 , Y02P40/57
Abstract: 本发明是关于一种光导纤维预制品、光导纤维预制品的制造方法及其由该预制品拉制而成的光导纤维，其是通过拉制一种预制品而获得的一种光导纤维，该光导纤维即使是显露于氢气氛中，该光导纤维在波长约1385nm时的OH峰值也几乎没有升高，而与拉制条件无关。
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公开(公告)号：CN112609237A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011059877.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B15/00
Abstract: 课题在于提供可降低单晶的温度梯度的同时防止杂质混入导致的单晶的成品率的急剧变差的单晶培养装置。本发明的单晶培养装置90通过提拉法由坩埚1内的原料的熔融液12培养单晶13，其具备：覆盖坩埚1的上方的空间16的上部耐火材料容器10b、覆盖上部耐火材料容器10b的外周的绝热保温结构14和覆盖绝热保温结构14的外周的绝缘性陶瓷材料15。
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公开(公告)号：CN109698266A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811245902.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/22 , H01L41/18 , H01L41/187 , C04B37/00 , C30B29/30 , C30B31/02 , C30B33/04 , C30B33/06 , H03H9/02
Abstract: 钽酸锂单晶体衬底是具有36°Y-49°Y切向的晶体取向的旋转Y切向LiTaO3单晶体衬底，其特征在于：所述衬底从其表面向其一定深度中用Li扩散，使得所述衬底具有展示出在所述衬底表面与所述衬底的所述深度之间的Li浓度差异的Li浓度分布；并且所述衬底以单偏振处理进行处理，因此所述Li浓度从所述衬底表面到相当于在LiTaO3衬底表面中传播的表面声波或泄漏表面声波的波长的5-15倍的深度是大致上一致的。
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