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公开(公告)号：CN102453884A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110325937.2
申请日：2011-10-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/34 , C23C16/45576
Abstract: 本发明提供一种采用CVD法，形成耐冲击性高，且质地细密的氮化铝薄膜的形成方法，在含铝原子(Al)的气体和含氮原子(N)的气体中，混合含氧原子(O)的气体，并且，朝着由氮化铝薄膜被覆的被处理物供给。
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公开(公告)号：CN109698266A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811245902.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/22 , H01L41/18 , H01L41/187 , C04B37/00 , C30B29/30 , C30B31/02 , C30B33/04 , C30B33/06 , H03H9/02
Abstract: 钽酸锂单晶体衬底是具有36°Y-49°Y切向的晶体取向的旋转Y切向LiTaO3单晶体衬底，其特征在于：所述衬底从其表面向其一定深度中用Li扩散，使得所述衬底具有展示出在所述衬底表面与所述衬底的所述深度之间的Li浓度差异的Li浓度分布；并且所述衬底以单偏振处理进行处理，因此所述Li浓度从所述衬底表面到相当于在LiTaO3衬底表面中传播的表面声波或泄漏表面声波的波长的5-15倍的深度是大致上一致的。
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公开(公告)号：CN108885971B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201780021504.3
申请日：2017-04-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于制备复合晶圆的方法，其在包括具有低的热膨胀系数的支撑衬底和在支撑衬底上堆叠的具有高的热膨胀系数的钽酸锂薄膜的复合晶圆中，能够减少由钽酸锂薄膜和支撑衬底之间的接合界面上的入射信号的反射引起的杂散。用于制备复合晶圆的方法是这样的用于制备复合晶圆的方法：其通过将具有高的热膨胀系数的钽酸锂晶圆粘合到具有低的热膨胀系数的支撑晶圆上来制备复合晶圆，其中在粘合到一起之前，从钽酸锂晶圆和/或支撑晶圆的粘合表面注入离子，以干扰各个粘合表面附近的结晶度。
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公开(公告)号：CN114318538A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111121680.9
申请日：2021-09-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供钽酸锂单晶基板的制造方法，其即便在钽酸锂单晶基板的热处理中反复使用碳酸锂粉末，也能够抑制由钽酸锂单晶基板的还原不足导致的体积电阻率的增加。本发明是体积电阻率为1×1010Ω・cm以上且小于1×1012Ω・cm的钽酸锂单晶基板的制造方法，其包括：将体积电阻率为1×1012Ω・cm以上且单晶域结构的钽酸锂单晶基板填埋至BET比表面积为0.13m2/g以上的碳酸锂粉末中，并且，在常压下、350℃以上且居里温度以下的温度下进行热处理的工序，碳酸锂粉末是在常压下、350℃以上且居里温度以下的温度下的钽酸锂单晶基板的热处理时用于填埋钽酸锂单晶基板的使用过的碳酸锂粉末，进行热处理的工序中，开始热处理时，在非活性气体与还原性气体的混合气体气氛中进行热处理，在混合气体气氛中进行热处理后，在非活性气体的单一气体气氛中进行热处理。
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公开(公告)号：CN107429425A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680022206.1
申请日：2016-04-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C30B29/30 , C01D15/02 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/90 , C04B37/00 , C04B37/02 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C30B29/605 , C30B31/02 , C30B33/04 , C30B33/06 , H03H9/02559
Abstract: 本发明的目的在于提供一种钽酸锂单晶基板，其翘曲小，无破损、瑕疵，并且温度特性比现有的旋转Y切割LiTaO3基板好，机电耦合系数大，而且器件的Q值高。本发明的钽酸锂单晶基板是使Li从晶体方位为旋转36°Y～49°Y切割的旋转Y切割LiTaO3基板的表面向内部扩散，而具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布的LiTaO3单晶基板，其特征在于，该LiTaO3单晶基板被实施了单一极化处理，从基板表面到在LiTaO3基板表面传播的表面声波或者泄露表面声波的波长的5～15倍的深度为止具有大致均匀的Li浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103572261A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310244299.0
申请日：2013-06-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 加藤公二
CPC classification number: H05B3/145 , H01L21/67115 , H05B3/03 , H05B3/48
Abstract: 本发明提供一种既不使石墨加热器的电阻值有大的下降，而挠曲以及翘曲等的变形又极少的高温强度高的石墨加热器。本发明的石墨加热器，为了达成上述目的，在两端有电气连接部或端子部，在与电流流动的长方向上的交叉的截面上呈凹形的沟部形成，其特征在于∶所述沟部沿着所述长方向连续形成，但是在该沟部与所述长方向交叉的方向上有至少一个梁部形成。
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公开(公告)号：CN119156469A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202380038509.2
申请日：2023-05-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的氧化物单晶的制造方法的特征在于，包括：第一工序，加热坩埚(6)内的单晶用原料(8)使得将一部分单晶用原料(8)熔体化；第二工序，加热单晶用原料(8)使得将全部单晶用原料(8)熔体化，从而制作原料熔体(8)，并使晶种(2)与原料熔体(8)的液面接触；第三工序，在一边测定晶种棒(3)的重量一边提拉晶种棒(3)的同时，以使得从晶种(2)生长的单晶的单晶提拉重量速度为规定值的方式调整加热源(7)的输出功率，从晶种形成单晶的颈部、锥部和直体部，并将已形成直体部的单晶与液面分离；以及第四工序，以加热源(7)的预先规定的输出功率将与液面分离的单晶缓慢冷却；并自动运转第一～第四工序。本发明的氧化物单晶的制造装置是可自动运转上述第一～第四工序的制造装置。根据本发明，可提供减轻操作者负担，消除操作者的失误，进而导致氧化物单晶的成品率提高的氧化物单晶的制造方法及氧化物单晶的制造装置。
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公开(公告)号：CN115366010A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210548329.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 加藤公二
Abstract: 提供一种粗糙面压电性基板的制造方法，该方法即使在对具有解理面(2)的压电性基板(3)进行粗糙面化处理的情况下，也能够抑制在表面产生缺口。本发明的粗糙面压电性基板的制造方法包括：实施具有解理面(2)的压电性基板(3)的一个面的平坦加工的工序；和以使磨粒的入射方向与压电性基板(3)的解理面(2)构成的角度成为30°以下的方式将磨粒喷射至压电性基板(3)的一个面来实施压电性基板(3)的一个面的粗糙面化处理的工序。
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公开(公告)号：CN108885971A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780021504.3
申请日：2017-04-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于制备复合晶圆的方法，其在包括具有低的热膨胀系数的支撑衬底和在支撑衬底上堆叠的具有高的热膨胀系数的钽酸锂薄膜的复合晶圆中，能够减少由钽酸锂薄膜和支撑衬底之间的接合界面上的入射信号的反射引起的杂散。用于制备复合晶圆的方法是这样的用于制备复合晶圆的方法：其通过将具有高的热膨胀系数的钽酸锂晶圆粘合到具有低的热膨胀系数的支撑晶圆上来制备复合晶圆，其中在粘合到一起之前，从钽酸锂晶圆和/或支撑晶圆的粘合表面注入离子，以干扰各个粘合表面附近的结晶度。
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公开(公告)号：CN102219558A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110097277.7
申请日：2011-04-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C04B41/85
CPC classification number: C04B41/009 , C04B41/5063 , C04B41/87 , C04B2111/80 , Y10T428/31678 , C04B35/00 , C04B35/10 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B41/0072 , C04B41/4531
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝膜及覆盖该膜的部件。提供一种很少发生颜色不均且很少受卤素气体腐蚀的氮化铝膜。本发明的氮化铝膜的特征在于其明度L*为60或小于60。比较理想的是：对波长0.35～2.5μm的透射率为15％或小于15％；A1以外的杂质浓度小于50ppm；经过1050℃～1400℃下的热处理；由CVD法进行成膜。并且，本发明的部件的特征在于：在由氮化物、氧化物、炭化物等的陶瓷或者钨、钼、钽等低热膨胀金属所组成的基材上，覆盖本发明的氮化铝膜。
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