-
公开(公告)号：CN102219558A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110097277.7
申请日：2011-04-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C04B41/85
CPC classification number: C04B41/009 , C04B41/5063 , C04B41/87 , C04B2111/80 , Y10T428/31678 , C04B35/00 , C04B35/10 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B41/0072 , C04B41/4531
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝膜及覆盖该膜的部件。提供一种很少发生颜色不均且很少受卤素气体腐蚀的氮化铝膜。本发明的氮化铝膜的特征在于其明度L*为60或小于60。比较理想的是：对波长0.35～2.5μm的透射率为15％或小于15％；A1以外的杂质浓度小于50ppm；经过1050℃～1400℃下的热处理；由CVD法进行成膜。并且，本发明的部件的特征在于：在由氮化物、氧化物、炭化物等的陶瓷或者钨、钼、钽等低热膨胀金属所组成的基材上，覆盖本发明的氮化铝膜。
-
公开(公告)号：CN100490110C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710105051.0
申请日：2007-05-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831
Abstract: 本发明是一种静电吸附装置，其用来吸附半导体晶圆、玻璃基板等被吸附物，其特征为：形成有一绝缘层，其覆盖形成于支持基板一面上的静电吸附用电极，且作为吸附上述被吸附物的吸附面，该绝缘层是由含有碳，且含有自硅、铝、钇以及钛选出1种或2种以上的元素，且维氏硬度在Hv50～1000的热分解氮化硼所构成。本发明之静电吸附装置，在将硅晶圆或玻璃基板等被吸附物，以静电吸附于静电吸附装置载置面上，并进行加热、冷却时，能够防止晶圆吸附面或静电吸附装置载置面产生损伤，且对氟系半导体清洗气的耐蚀性优异，使用寿命增长。
-
公开(公告)号：CN109896515B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201811468226.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B32/05 , C01B32/914
Abstract: 本发明涉及覆碳化钽的碳材料和其制造方法、半导体单晶制造装置用构件。[课题]提供制品寿命长的半导体单晶制造装置用构件和覆碳化钽的碳材料。[解决方案]本发明的覆碳化钽的碳材料的特征在于，其为用以碳化钽为主成分的碳化钽覆膜覆盖碳基材表面的至少一部分的覆碳化钽的碳材料，对于碳化钽覆膜，针对面外方向，与(200)面对应的X射线衍射线的强度大于与其他晶面对应的X射线衍射线的强度，其强度比相对于与全部晶面对应的X射线衍射线的强度之和为60％以上。
-
公开(公告)号：CN106245000B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201610405107.3
申请日：2016-06-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 狩野正树
Abstract: 本发明提供一种热分解氮化硼容器及其制造方法，所述热分解氮化硼容器不易于产生脱膜、剥离等，且最适于培养单晶。为此，本发明提供一种热分解氮化硼容器的制造方法以及热分解氮化硼容器，所述热分解氮化硼容器的制造方法，是制造热分解氮化硼容器的方法，其由以下步骤构成：使用热化学气相沉积法，将热分解氮化硼成膜于碳制的容器模具材料上；通过将所述成膜物从所述容器模具材料卸下，来获得容器形状的成型体；通过氧化处理所述容器形状的成型体，来去除源自所述容器模具材料并附着于表面上的碳；之后，对所述容器形状的成型体，从与模具材料相接侧的面实施薄化处理，形成一容器。
-
公开(公告)号：CN109896515A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201811468226.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B32/05 , C01B32/914
Abstract: 本发明涉及覆碳化钽的碳材料和其制造方法、半导体单晶制造装置用构件。[课题]提供制品寿命长的半导体单晶制造装置用构件和覆碳化钽的碳材料。[解决方案]本发明的覆碳化钽的碳材料的特征在于，其为用以碳化钽为主成分的碳化钽覆膜覆盖碳基材表面的至少一部分的覆碳化钽的碳材料，对于碳化钽覆膜，针对面外方向，与(200)面对应的X射线衍射线的强度大于与其他晶面对应的X射线衍射线的强度，其强度比相对于与全部晶面对应的X射线衍射线的强度之和为60％以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103387418B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310172453.8
申请日：2013-05-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 狩野正树
CPC classification number: C23C16/342 , C23C16/0209 , C23C16/0218 , Y10T428/30
Abstract: 提供一种在石墨材料的表面，可以形成耐热冲击强，坚固且不剥离的热分解氮素化硼（PBN）被膜，在石墨材料进行热分解氮素化硼涂布的方法以及由该方法得到的被覆物。本发明为一种将石墨材料的表面用CVI处理致密化，进一步用反应性气体进行表面处理后，在该处理面，使热分解氮素化硼被膜形成的热分解氮素化硼的涂布方法，以及由该方法得到的被覆物。
-
公开(公告)号：CN103387418A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310172453.8
申请日：2013-05-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 狩野正树
CPC classification number: C23C16/342 , C23C16/0209 , C23C16/0218 , Y10T428/30
Abstract: 提供一种在石墨材料的表面，可以形成耐热冲击强，坚固且不剥离的热分解氮素化硼（PBN）被膜，在石墨材料进行热分解氮素化硼涂布的方法以及由该方法得到的被覆物。本发明为一种将石墨材料的表面用CVI处理致密化，进一步用反应性气体进行表面处理后，在该处理面，使热分解氮素化硼被膜形成的热分解氮素化硼的涂布方法，以及由该方法得到的被覆物。
-
公开(公告)号：CN108012351A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711047285.4
申请日：2017-10-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 狩野正树
CPC classification number: H05B3/143 , H01L21/67103 , H01L21/68757 , H01L21/68785 , H01L21/68792 , H01L2021/6015 , H05B3/265 , H05B3/44 , H05B3/748 , H05B2203/002 , H05B2203/013 , H05B3/20 , H05B3/08 , H05B3/10
Abstract: 本发明是一种加热元件，其在棒状部的与发热体的连接部中，棒状部的与发热体相连接的面上设置有连接手段，在棒状部的设置有连接手段的面的相反侧的面上形成有供电端子，所述供电端子用于供电至加热元件，并且在供电端子上具有用于固定加热元件的固定手段，并且，棒状部在连接手段与固定手段之间具有空洞部。由此，提供一种加热元件，其能够抑制供电端子的腐蚀，耐久性高、制造成本低并且温度分布良好。
-
公开(公告)号：CN106245000A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610405107.3
申请日：2016-06-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 狩野正树
Abstract: 本发明提供一种热分解氮化硼容器及其制造方法，所述热分解氮化硼容器不易于产生脱膜、剥离等，且最适于培养单晶。为此，本发明提供一种热分解氮化硼容器的制造方法以及热分解氮化硼容器，所述热分解氮化硼容器的制造方法，是制造热分解氮化硼容器的方法，其由以下步骤构成：使用热化学气相沉积法，将热分解氮化硼成膜于碳制的容器模具材料上；通过将所述成膜物从所述容器模具材料卸下，来获得容器形状的成型体；通过氧化处理所述容器形状的成型体，来去除源自所述容器模具材料并附着于表面上的碳；之后，对所述容器形状的成型体，从与模具材料相接侧的面实施薄化处理，形成一容器。
-
公开(公告)号：CN102453884A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110325937.2
申请日：2011-10-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/34 , C23C16/45576
Abstract: 本发明提供一种采用CVD法，形成耐冲击性高，且质地细密的氮化铝薄膜的形成方法，在含铝原子(Al)的气体和含氮原子(N)的气体中，混合含氧原子(O)的气体，并且，朝着由氮化铝薄膜被覆的被处理物供给。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.03 seconds)
