公开(公告)号：CN110527983A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910423113.5

申请日：2019-05-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 森力 ,  山村和市

IPC: C23C16/458

Abstract: 本发明是在保持于反应容器内的基材(6)的表面上成膜的化学气相生长装置，在反应容器内，具有能够保持基材(6)的第1保持部件(4)、和能够与第1保持部件(4)独立地保持基材(6)的第2保持部件(5)，第1保持部件(4)和第2保持部件(5)之中的至少一者的保持部件能够沿着上下方向移动。此外，本发明的覆膜形成方法包括：第一步骤，通过第1保持部件(4)而保持基材(6)，在基材表面上通过化学气相生长而形成覆膜；第二步骤，通过使第1保持部件(4)和第2保持部件(5)之中的至少一者的保持部件沿着上方向和下方向之中的至少一个方向移动，通过第2保持部件(5)保持基材(6)；和，第三步骤，在通过第2保持部件(5)而被保持的基材的表面上，通过化学气相生长而形成覆膜。根据本发明，能够提供能够通过1次成膜而在基材整面上形成覆膜的化学气相生长装置和覆膜形成方法。

公开(公告)号：CN109896515A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811468226.9

申请日：2018-12-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 森力 ,  山村和市 ,  狩野正树 ,  平手晓大

IPC: C01B32/05 ,  C01B32/914

Abstract: 本发明涉及覆碳化钽的碳材料和其制造方法、半导体单晶制造装置用构件。[课题]提供制品寿命长的半导体单晶制造装置用构件和覆碳化钽的碳材料。[解决方案]本发明的覆碳化钽的碳材料的特征在于，其为用以碳化钽为主成分的碳化钽覆膜覆盖碳基材表面的至少一部分的覆碳化钽的碳材料，对于碳化钽覆膜，针对面外方向，与(200)面对应的X射线衍射线的强度大于与其他晶面对应的X射线衍射线的强度，其强度比相对于与全部晶面对应的X射线衍射线的强度之和为60％以上。

公开(公告)号：CN109896515B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201811468226.9

申请日：2018-12-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 森力 ,  山村和市 ,  狩野正树 ,  平手晓大

IPC: C01B32/05 ,  C01B32/914

Abstract: 本发明涉及覆碳化钽的碳材料和其制造方法、半导体单晶制造装置用构件。[课题]提供制品寿命长的半导体单晶制造装置用构件和覆碳化钽的碳材料。[解决方案]本发明的覆碳化钽的碳材料的特征在于，其为用以碳化钽为主成分的碳化钽覆膜覆盖碳基材表面的至少一部分的覆碳化钽的碳材料，对于碳化钽覆膜，针对面外方向，与(200)面对应的X射线衍射线的强度大于与其他晶面对应的X射线衍射线的强度，其强度比相对于与全部晶面对应的X射线衍射线的强度之和为60％以上。

公开(公告)号：CN105324849B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201480032519.6

申请日：2014-05-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 森力 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种背接触型太阳能电池，其显示出小的功率损失、通过其可自由定位母线并且具有简单的生产工序。本发明提供：半导体基板；在半导体基板的背面侧上形成的第一导电型区域，所述背面侧在半导体基板受光面侧的相对侧上；在半导体基板的背面侧上形成的第二导电型区域；在第一导电型区域上直线状地形成的第一导电型集电电极；和在第二导电型区域上直线状地形成的第二导电型集电电极。第一导电型区域和第二导电型区域交替排列。第一导电型集电电极和第二导电型集电电极设置有不连续部位。在第一导电型区域和第二导电型区域交替排列的排列方向上，各导电型的不连续部位设置为呈基本上直线地排列。

公开(公告)号：CN105324849A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480032519.6

申请日：2014-05-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 森力 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种背接触型太阳能电池，其显示出小的功率损失、通过其可自由定位母线并且具有简单的生产工序。本发明提供：半导体基板；在半导体基板的背面侧上形成的第一导电型区域，所述背面侧在半导体基板受光面侧的相对侧上；在半导体基板的背面侧上形成的第二导电型区域；在第一导电型区域上直线状地形成的第一导电型集电电极；和在第二导电型区域上直线状地形成的第二导电型集电电极。第一导电型区域和第二导电型区域交替排列。第一导电型集电电极和第二导电型集电电极设置有不连续部位。在第一导电型区域和第二导电型区域交替排列的排列方向上，各导电型的不连续部位设置为呈基本上直线地排列。

公开(公告)号：CN303854420S

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201630047509.1

申请日：2016-02-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Designer： 大塚宽之 ,  渡部武纪 ,  桥上洋 ,  三田怜 ,  森山隼 ,  森力

Abstract: 1、本外观设计产品的名称：太阳能电池。2、本外观设计产品的用途：本外观设计产品作为太阳能电池来使用。3、本外观设计产品的设计要点：在于如图所示的形状等。4、最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1A部放大参考图。5、指定基本设计：设计1。6、在设计1主视参考图、设计2主视参考图、设计3主视参考图以及设计4主视参考图中，2表示太阳能电池的受光面的相反侧的面，3表示指状电极，5表示绝缘膜，6表示总线电极，在设计1使用状态立体参考图、设计2使用状态立体参考图、设计3使用状态立体参考图以及设计4使用状态立体参考图中，4表示引线。7、设计1A部放大参考图中用阴影线表示的部分，即设计1的绝缘膜5采用透明材质，设计3A部放大参考图中用阴影线表示的部分，即设计3的绝缘膜5采用透明材质。