公开(公告)号：CN109896515B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201811468226.9

申请日：2018-12-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 森力 ,  山村和市 ,  狩野正树 ,  平手晓大

IPC: C01B32/05 ,  C01B32/914

Abstract: 本发明涉及覆碳化钽的碳材料和其制造方法、半导体单晶制造装置用构件。[课题]提供制品寿命长的半导体单晶制造装置用构件和覆碳化钽的碳材料。[解决方案]本发明的覆碳化钽的碳材料的特征在于，其为用以碳化钽为主成分的碳化钽覆膜覆盖碳基材表面的至少一部分的覆碳化钽的碳材料，对于碳化钽覆膜，针对面外方向，与(200)面对应的X射线衍射线的强度大于与其他晶面对应的X射线衍射线的强度，其强度比相对于与全部晶面对应的X射线衍射线的强度之和为60％以上。

公开(公告)号：CN115768723A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180047671.1

申请日：2021-06-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 平手晓大 ,  山村和市

IPC: C01B32/00

Abstract: 本发明的包覆有碳化物的碳材料(1)的特征在于，具备以碳为主成分且含有氯的基材(10)和设置在基材(10)上的以碳化物为主成分且含有氯的碳化物层(20)，基材(10)在与碳化物层的界面附近具有氯浓度沿着朝向碳化物层的方向连续变化的基材缓冲区域(11)，碳化物层(20)在与基材的界面附近具有氯浓度沿着朝向基材的方向连续变化的碳化物层缓冲区域(21)，基材缓冲区域(11)和碳化物层缓冲区域(21)的氯浓度的最大值为10000ppm以下。根据本发明，可提供在碳化物层与以碳为主成分的基材的界面具有充分的密合强度的包覆有碳化物的碳材料。

公开(公告)号：CN109896515A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811468226.9

申请日：2018-12-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 森力 ,  山村和市 ,  狩野正树 ,  平手晓大

IPC: C01B32/05 ,  C01B32/914

Abstract: 本发明涉及覆碳化钽的碳材料和其制造方法、半导体单晶制造装置用构件。[课题]提供制品寿命长的半导体单晶制造装置用构件和覆碳化钽的碳材料。[解决方案]本发明的覆碳化钽的碳材料的特征在于，其为用以碳化钽为主成分的碳化钽覆膜覆盖碳基材表面的至少一部分的覆碳化钽的碳材料，对于碳化钽覆膜，针对面外方向，与(200)面对应的X射线衍射线的强度大于与其他晶面对应的X射线衍射线的强度，其强度比相对于与全部晶面对应的X射线衍射线的强度之和为60％以上。