Invention Grant
CN1173467C 声表面波装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 声表面波装置及其制造方法
- Patent Title (English): Sound surface wave device and its mfg. method
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Application No.: CN00108998.6Application Date: 2000-05-26
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Publication No.: CN1173467CPublication Date: 2004-10-27
- Inventor: 筏克弘 , 坂口健二
- Applicant: 株式会社村田制作所
- Applicant Address: 日本京都府
- Assignee: 株式会社村田制作所
- Current Assignee: 株式会社村田制作所
- Current Assignee Address: 日本京都府
- Agency: 上海专利商标事务所
- Agent 沈昭坤
- Priority: 146800/1999 1999.05.26 JP
- Main IPC: H03H9/25
- IPC: H03H9/25 ; H03H3/08

Abstract:
本发明提供了一种声表面波装置,其特征在于包含压电基片,具有设置在所述压电基片上的至少一个叉指式换能器的第一声表面波元件,具有设置在所述压电基片上的至少一个叉指式换能器的第二声表面波元件。第二声表面波元件的至少一个叉指式换能器的厚度不同于第一声表面波元件的叉指式换能器的厚度,并且第二声表面波元件的频率特性不同于第一声表面波元件。将绝缘薄膜提供给第一和第二声表面波元件。在第一声表面波元件上的区域的绝缘薄膜的厚度不同于第二声表面波元件上的区域的厚度。
Public/Granted literature
- CN1278123A 声表面波装置及其制造方法 Public/Granted day:2000-12-27
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