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公开(公告)号：CN114497363A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111242297.9
申请日：2021-10-25
Applicant: 延世大学校产学协力团
Inventor： 洪钟一
Abstract: 本发明公开一种磁性隧道结器件、使用其的磁存储器装置以及其制造方法。根据本发明实施例的磁性隧道结器件的制造方法，可以包括：层叠步骤，在衬底上形成包括至少一个金属氧化物层和金属层的初始多层结构；热处理步骤，对所述初始多层结构进行热处理；以及器件形成步骤，形成通过所述热处理所述至少一个金属氧化物层及所述金属层变换为至少一个铁磁层及氧化物层的最终多层结构的磁性隧道结器件。
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公开(公告)号：CN104555998B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410556854.8
申请日：2014-10-17
Applicant: 延世大学校产学协力团
IPC: C01B32/194
CPC classification number: C01B31/0484 , C01B31/02 , C01B32/05 , C01B32/194
Abstract: 本发明涉及氢表面处理石墨烯、其形成方法和包含该石墨烯的电子设备。根据本发明一示例性实施例，可以利用通过间接氢等离子体处理的简单方法将石墨烯制成氢表面处理石墨烯。并且，根据本发明一示例性实施例，可通过间接氢等离子体处理在石墨烯上形成具有不同带隙的两个区域，因此，由于该石墨烯能够直接应用于电子设备如晶体管和触摸屏等，从而可以减少处理时间和处理成本。
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公开(公告)号：CN104555998A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410556854.8
申请日：2014-10-17
Applicant: 延世大学校产学协力团
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/0484 , C01B31/02 , C01B32/05 , C01B32/194
Abstract: 本发明涉及氢表面处理石墨烯、其形成方法和包含该石墨烯的电子设备。根据本发明一示例性实施例，可以利用通过间接氢等离子体处理的简单方法将石墨烯制成氢表面处理石墨烯。并且，根据本发明一示例性实施例，可通过间接氢等离子体处理在石墨烯上形成具有不同带隙的两个区域，因此，由于该石墨烯能够直接应用于电子设备如晶体管和触摸屏等，从而可以减少处理时间和处理成本。
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公开(公告)号：CN109427959A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811012162.1
申请日：2018-08-31
Applicant: 延世大学校产学协力团
Inventor： 洪钟一
Abstract: 本发明涉及自旋轨道转矩磁性器件。本发明一实施例的磁性器件包括：自旋电流图案，配置于基板上，通过面内电流生成垂直于配置平面的自旋电流；以及自由磁性层，以与上述自旋电流图案相接触的方式配置，具有通过上述自旋电流进行磁化反转的垂直磁各向异性。上述自旋电流图案包括：第一非磁性导电层；第二非磁性导电层，以与上述第一非磁性导电层对齐的方式配置；以及磁性层，介于上述第一非磁性导电层与上述第二非磁性导电层之间，与上述第一非磁性导电层对齐，具有垂直磁各向异性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103857437A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201380002940.8
申请日：2013-01-25
Applicant: 延世大学校产学协力团
CPC classification number: A61N1/36067 , A61B5/0031 , A61B5/4041 , A61B5/6877 , A61L31/16 , A61N1/0529 , A61N1/0551 , A61N1/36125
Abstract: 本发明涉及一种包括纳米线和支撑层的神经装置。所提供的神经装置包括衬底，一根或更多根纳米线，每根纳米线的一端固定在衬底上并在垂直方向上延伸，纳米线插入到神经中以从神经纤维获取电信号或将电信号施加到神经纤维；以及支撑层，该支撑层布置在衬底上以部分地覆盖纳米线和支撑纳米线。
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公开(公告)号：CN109427959B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201811012162.1
申请日：2018-08-31
Applicant: 延世大学校产学协力团
Inventor： 洪钟一
Abstract: 本发明涉及自旋轨道转矩磁性器件。本发明一实施例的磁性器件包括：自旋电流图案，配置于基板上，通过面内电流生成垂直于配置平面的自旋电流；以及自由磁性层，以与上述自旋电流图案相接触的方式配置，具有通过上述自旋电流进行磁化反转的垂直磁各向异性。上述自旋电流图案包括：第一非磁性导电层；第二非磁性导电层，以与上述第一非磁性导电层对齐的方式配置；以及磁性层，介于上述第一非磁性导电层与上述第二非磁性导电层之间，与上述第一非磁性导电层对齐，具有垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：CN103857437B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201380002940.8
申请日：2013-01-25
Applicant: 延世大学校产学协力团
CPC classification number: A61N1/36067 , A61B5/0031 , A61B5/4041 , A61B5/6877 , A61L31/16 , A61N1/0529 , A61N1/0551 , A61N1/36125
Abstract: 本发明涉及一种包括纳米线和支撑层的神经装置。所提供的神经装置包括衬底，一根或更多根纳米线，每根纳米线的一端固定在衬底上并在垂直方向上延伸，纳米线插入到神经中以从神经纤维获取电信号或将电信号施加到神经纤维；以及支撑层，该支撑层布置在衬底上以部分地覆盖纳米线和支撑纳米线。
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公开(公告)号：CN101835706B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200880112985.X
申请日：2008-02-18
Applicant: 延世大学校产学协力团
IPC: B82B3/00
CPC classification number: A61N1/0558 , A61N1/0541 , A61N1/36036 , B82Y5/00
Abstract: 本发明涉及一种包括传输和接收电信号的导线的神经装置。更具体地说，本发明涉及一种包括导线的神经装置的结构，所述导线有效获得在神经纤维中发展的电信号并将电刺激传输到所述神经纤维。根据本发明的神经装置连接到处理从神经纤维检测到的电信号的处理模块，并且通过纳米线将神经装置插入到神经纤维中以从神经纤维获得电信号，或者将神经装置插入到神经纤维中以传输电刺激。神经装置还可以具有至少一个通孔和支撑件。根据本发明的神经装置的优点在于可以在不杀死神经纤维的情况下获得电信号或者将电刺激提供给神经纤维。
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公开(公告)号：CN101835706A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880112985.X
申请日：2008-02-18
Applicant: 延世大学校产学协力团
IPC: B82B3/00
CPC classification number: A61N1/0558 , A61N1/0541 , A61N1/36036 , B82Y5/00
Abstract: 本发明涉及一种包括传输和接收电信号的导线的神经装置。更具体地说，本发明涉及一种包括导线的神经装置的结构，所述导线有效获得在神经纤维中发展的电信号并将电刺激传输到所述神经纤维。根据本发明的神经装置连接到处理从神经纤维检测到的电信号的处理模块，并且通过纳米线将神经装置插入到神经纤维中以从神经纤维获得电信号，或者将神经装置插入到神经纤维中以传输电刺激。神经装置还可以具有至少一个通孔和支撑件。根据本发明的神经装置的优点在于可以在不杀死神经纤维的情况下获得电信号或者将电刺激提供给神经纤维。
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