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公开(公告)号：CN1292406C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN02829330.4
申请日：2002-12-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种垂直磁记录媒体，包括：基板；在上述基板上形成的金属基底层；在上述金属基底层上用无电解镀敷法形成的、在上述基板的面内方向上具有易磁化轴的软磁性层；以及在上述软磁性层上形成的、在与基板面垂直的方向上具有易磁化轴的磁性记录层，且上述软磁性层具有100nm～600nm的厚度。金属基底层是由从Co、Ni、Fe中选出的元素的合金形成的，具有≤3Oe的矫顽力。
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公开(公告)号：CN1212610C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN02160839.3
申请日：2002-12-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/265
Abstract: 一种垂直磁性记录介质包括基片、形成在该基片上的软磁性垫层、形成在该垫层上的具有垂直磁各向异性的磁性记录层、以及形成在该磁性记录层上具有铁磁性的泄漏磁场控制层。该泄漏磁场控制层被反铁磁性或铁磁性地交换耦合到该磁性记录层，从而抑制来自垫层和磁性记录层的泄漏磁场的影响，并且减小介质噪声。
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公开(公告)号：CN1689078A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03824259.1
申请日：2003-02-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B32B1/00 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。
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公开(公告)号：CN1430208A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02160839.3
申请日：2002-12-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/265
Abstract: 一种垂直磁性记录介质包括基片、形成在该基片上的软磁性垫层、形成在该垫层上的具有垂直磁各向异性的磁性记录层、以及形成在该磁性记录层上具有铁磁性的泄漏磁场控制层。该泄漏磁场控制层被反铁磁性或铁磁性地交换耦合到该磁性记录层，从而抑制来自垫层和磁性记录层的泄漏磁场的影响，并且减小介质噪声。
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公开(公告)号：CN101308668A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810099519.4
申请日：2008-05-13
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质及制造磁记录介质的方法、以及磁记录设备。根据本发明实施例的一方面，磁记录介质包括：基板；形成于该基板之上的第一粒状层，该第一粒状层具有多个第一磁性粒子和使所述多个第一磁性粒子分离的Si氧化物。该磁记录介质还包括形成于该第一粒状层之上的第二粒状层，该第二粒状层具有多个第二磁性粒子和使所述多个第二磁性粒子分离的Ti氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100373457C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN03824259.1
申请日：2003-02-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B32B1/00 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。
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公开(公告)号：CN1639773A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN02829330.4
申请日：2002-12-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种垂直磁记录媒体，包括：基板；在上述基板上形成的金属基底层；在上述金属基底层上用无电解镀敷法形成的、在上述基板的面内方向上具有易磁化轴的软磁性层；以及在上述软磁性层上形成的、在与基板面垂直的方向上具有易磁化轴的磁性记录层。金属基底层是由从Co、Ni、Fe中选出的元素的合金形成的，具有≤3Oe的矫顽力。软磁性打底层具有100～600nm的厚度。
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公开(公告)号：CN1625769A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02828768.1
申请日：2002-05-24
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/8404 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种信息记录媒体和信息存储装置，该信息记录媒体是垂直磁记录媒体，包括：基板；在该基板上设置的、表面上具有粒径为5～20nm、平均粗糙度Ra为0.2～2.0nm的凹凸的凹凸控制层；在该凹凸控制层上设置的、包含大于等于30at％的、单质形式具有fcc结构的金属的取向控制层；以及与该取向控制层接触设置的、由交互层叠了铁磁性薄膜和非磁性薄膜的多层膜构成的、具有垂直磁各向异性的磁记录层。
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公开(公告)号：CN1976081A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610080850.2
申请日：2006-05-18
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明公开磁阻元件、磁头、磁存储装置以及磁内存装置。CPP型磁阻元件包括防扩散层以及叠置的固定磁化层、非磁性金属层和自由磁化层。该自由磁化层包含CoMnAl。该防扩散层设置在该非磁性金属层与该自由磁化层之间，以防止该自由磁化层内含有的Mn扩散到该非磁性金属层。CoMnAl具有在三元成分图中通过用直线依次连接点A(44，23，33)、点B(48，25，27)、点C(60，20，20)、点D(65，15，20)、点E(65，10，25)、点F(60，10，30)以及点A构成的区域内的成分，在该三元成分图中，将成分坐标表示为(Co含量，Mn含量，Al含量)，且Co含量、Mn含量、Al含量均以原子百分比来表示。
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公开(公告)号：CN1689079A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN02829763.6
申请日：2002-10-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/012 , G11B5/656 , G11B2005/0029 , Y10T428/24975
Abstract: 在衬底(31)的表面上方延伸的软磁底层(38)上形成辅助磁性层(37)。在辅助磁性层(37)上形成磁记录层(36)。辅助磁性层(37)在与衬底(31)表面垂直的垂直方向上具有易磁化轴。在与衬底(31)表面垂直的垂直方向上磁记录层(36)中的磁化得到加强。辅助磁性层(37)起到放大沿垂直方向从磁记录层泄漏出的磁场的作用。
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