公开(公告)号：CN101308668A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810099519.4

申请日：2008-05-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 稻村良作 ,  贝津功刚 ,  涡卷拓也 ,  冈本岩 ,  菊池晓

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66

Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质及制造磁记录介质的方法、以及磁记录设备。根据本发明实施例的一方面，磁记录介质包括：基板；形成于该基板之上的第一粒状层，该第一粒状层具有多个第一磁性粒子和使所述多个第一磁性粒子分离的Si氧化物。该磁记录介质还包括形成于该第一粒状层之上的第二粒状层，该第二粒状层具有多个第二磁性粒子和使所述多个第二磁性粒子分离的Ti氧化物。

公开(公告)号：CN1577505A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410031312.5

申请日：2004-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 梅田久 ,  冈本岩

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/656 ,  G11B5/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/02 ,  G11B5/09 ,  G11B5/66 ,  G11B5/82 ,  G11B2005/001 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质、磁存储装置和记录方法。该磁记录介质具有交换层结构和在该交换层结构上提供的磁层。该交换层结构包括铁磁层和在该铁磁层上提供的非磁性耦合层，其中，该铁磁层和该磁层交换耦合并具有相互逆平行的磁化。该铁磁层和该磁层满足关系Hc1’≥Hc2’，其中Hc1’表示该铁磁层的动态矫顽力以及Hc2’表示该磁层的动态矫顽力。

公开(公告)号：CN100517470C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200410031312.5

申请日：2004-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 梅田久 ,  冈本岩

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/656 ,  G11B5/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/02 ,  G11B5/09 ,  G11B5/66 ,  G11B5/82 ,  G11B2005/001 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质、磁存储装置和记录方法。该磁记录介质具有交换层结构和在该交换层结构上提供的磁层。该交换层结构包括铁磁层和在该铁磁层上提供的非磁性耦合层，其中，该铁磁层和该磁层交换耦合并具有相互逆平行的磁化。该铁磁层和该磁层满足关系Hc1’≥Hc2’，其中Hc1’表示该铁磁层的动态矫顽力以及Hc2’表示该磁层的动态矫顽力，所述动态矫顽力Hc1’和Hc2’均指转变外部磁场的方向所需的时间在亚纳秒级至约一纳秒级的情况下的矫顽力。