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公开(公告)号：CN100358010C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200410042964.9
申请日：2004-06-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/09 , Y10T428/12882 , Y10T428/12937 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供了一种磁记录介质，所述磁记录介质包括第一磁性层、被提供在第一磁性层上的非磁性耦合层和被提供在非磁性耦合层上的第二磁性层。所述第一和第二磁性层交换耦合，且在没有对其施加外部磁场的状态中，具有互相平行的磁化强度方向，并且响应于反转第一和第二磁性层的磁化强度方向的记录磁场，第一磁性层在第二磁性层之前反转其磁化强度方向。
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公开(公告)号：CN100517470C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200410031312.5
申请日：2004-03-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/02 , G11B5/09 , G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/001 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质、磁存储装置和记录方法。该磁记录介质具有交换层结构和在该交换层结构上提供的磁层。该交换层结构包括铁磁层和在该铁磁层上提供的非磁性耦合层，其中，该铁磁层和该磁层交换耦合并具有相互逆平行的磁化。该铁磁层和该磁层满足关系Hc1’≥Hc2’，其中Hc1’表示该铁磁层的动态矫顽力以及Hc2’表示该磁层的动态矫顽力，所述动态矫顽力Hc1’和Hc2’均指转变外部磁场的方向所需的时间在亚纳秒级至约一纳秒级的情况下的矫顽力。
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公开(公告)号：CN1591585A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410042964.9
申请日：2004-06-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/09 , Y10T428/12882 , Y10T428/12937 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供了一种磁记录介质，所述磁记录介质包括第一磁性层、被提供在第一磁性层上的非磁性耦合层和被提供在非磁性耦合层上的第二磁性层。所述第一和第二磁性层交换耦合，且在没有对其施加外部磁场的状态中，具有互相平行的磁化强度方向，并且响应于反转第一和第二磁性层的磁化强度方向的记录磁场，第一磁性层在第二磁性层之前反转其磁化强度方向。
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公开(公告)号：CN1577505A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410031312.5
申请日：2004-03-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/02 , G11B5/09 , G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/001 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质、磁存储装置和记录方法。该磁记录介质具有交换层结构和在该交换层结构上提供的磁层。该交换层结构包括铁磁层和在该铁磁层上提供的非磁性耦合层，其中，该铁磁层和该磁层交换耦合并具有相互逆平行的磁化。该铁磁层和该磁层满足关系Hc1’≥Hc2’，其中Hc1’表示该铁磁层的动态矫顽力以及Hc2’表示该磁层的动态矫顽力。
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