磁单元和磁存储器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100533589C

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200310118602.9

    申请日:2003-11-26

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低在进行基于电流直接驱动的磁化反转时的反转电流的磁单元和使用它的磁存储器。该磁单元的特征在于具备:磁化(M1)的方向被实质上固定在第1方向上的第1强磁性层(C1);磁化(M2)的方向被实质上固定在与上述第1方向相反的第2方向上的第2强磁性层(C2);设置在上述第1和第2强磁性层之间,磁化(M)方向可变的第3强磁性层(A);设置在上述第1和第3强磁性层之间的第1中间层(B1);设置在上述第2和上述第3强磁性层之间的第2中间层(B2)。

    磁性器件和磁性存储器

    公开(公告)号:CN1310212C

    公开(公告)日:2007-04-11

    申请号:CN200410083228.8

    申请日:2004-09-29

    CPC classification number: G11C11/15 G11B5/1276

    Abstract: 本发明涉及提供一种能够减小在电流驱动的磁性反向中的反向电流的磁性器件和使用它的磁性存储器。该磁性器件包括第一铁磁层、第二铁磁层、第三铁磁层、第一中间层、第二中间层和一对电极。第一铁磁层包括交替地层叠的磁性层和一个或多个非磁性层,磁性层中的至少一个层具有基本固定到第一方向的磁化,以及磁性层中的两个或更多个层通过非磁性层铁磁地耦合同时具有与膜平面平行的易磁化轴。第二铁磁层具有基本固定到第二方向的磁化。第三铁磁层提供在第一铁磁层和第二铁磁层之间。该第三铁磁层具有可变化的磁化方向。第一中间层提供在第一铁磁层和第三铁磁层之间。第二中间层提供在第二铁磁层和第三铁磁层之间。该电极被构造成在第一和第二铁磁层之间提供写电流以使自旋极化的电子作用于第三铁磁层,从而根据该电流的方向确定第三铁磁层的磁化方向。在写电流通过时该铁磁耦合具有能够维持磁性层的平行磁性对准的强度。

    磁性器件和磁性存储器

    公开(公告)号:CN1658286A

    公开(公告)日:2005-08-24

    申请号:CN200410083228.8

    申请日:2004-09-29

    CPC classification number: G11C11/15 G11B5/1276

    Abstract: 本发明涉及提供一种能够减小在电流驱动的磁性反向中的反向电流的磁性器件和使用它的磁性存储器。该磁性器件包括第一铁磁层、第二铁磁层、第三铁磁层、第一中间层、第二中间层和一对电极。第一铁磁层包括交替地层叠的磁性层和一个或多个非磁性层,磁性层中的至少一个层具有基本固定到第一方向的磁化,以及磁性层中的两个或更多个层通过非磁性层铁磁地耦合同时具有与膜平面平行的易磁化轴。第二铁磁层具有基本固定到第二方向的磁化。第三铁磁层提供在第一铁磁层和第二铁磁层之间。该第三铁磁层具有可变化的磁化方向。第一中间层提供在第一铁磁层和第三铁磁层之间。第二中间层提供在第二铁磁层和第三铁磁层之间。该电极被构造成在第一和第二铁磁层之间提供写电流以使自旋极化的电子作用于第三铁磁层,从而根据该电流的方向确定第三铁磁层的磁化方向。在写电流通过时该铁磁耦合具有能够维持磁性层的平行磁性对准的强度。

    磁致电阻元件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100433182C

    公开(公告)日:2008-11-12

    申请号:CN200510062839.9

    申请日:2005-03-31

    CPC classification number: H01L43/08 G11B5/39

    Abstract: 根据本发明的一方面,提供一种磁致电阻元件,包括:其中磁化方向通过自旋极化电子改变的自由层,该自由层具有被非磁性层分开的铁磁层,其中在铁磁层中,有非磁性层插入其间的两个相邻的铁磁层以反铁磁性的方式彼此耦合;在铁磁层中,其中磁化方向是第一方向的至少一个铁磁层的总的磁化强度的绝对值和其中磁化方向是与第一方向相反的第二方向的至少一个铁磁层的总的磁化强度的绝对值之间的差值等于或小于5×10-15emu;并且,与铁磁层的衬底平行的平面越远离该衬底,所述平面越小。

    磁性体逻辑元件及磁性体逻辑元件阵列

    公开(公告)号:CN100351946C

    公开(公告)日:2007-11-28

    申请号:CN03108383.8

    申请日:2003-03-28

    CPC classification number: H01F10/3263 B82Y25/00 G11C11/16 H03K19/168

    Abstract: 提供一种小型、能进行逻辑处理的新的磁性体逻辑元件及将该元件阵列化了的磁性体逻辑元件阵列。该磁性体逻辑元件具有:至少两个以上的磁性层(HM、SM);磁性层之间的中间单元;以及磁性层(SM)的磁化方向控制单元,将控制磁性层(SM)的磁化方向用的输入信号设为A、B两个以上,分别分配0、1,用输入信号A、B的组合,决定磁性层(SM)的磁化,将通过了中间单元的磁致电阻效应的大小作为输出信号C。

    磁单元和磁存储器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1503270A

    公开(公告)日:2004-06-09

    申请号:CN200310118602.9

    申请日:2003-11-26

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低在进行基于电流直接驱动的磁化反转时的反转电流的磁单元和使用它的磁存储器。该磁单元的特征在于具备:磁化(M1)的方向被实质上固定在第1方向上的第1强磁性层(C1);磁化(M2)的方向被实质上固定在与上述第1方向相反的第2方向上的第2强磁性层(C2);设置在上述第1和第2强磁性层之间,磁化(M)方向可变的第3强磁性层(A);设置在上述第1和第3强磁性层之间的第1中间层(B1);设置在上述第2和上述第3强磁性层之间的第2中间层(B2)。

    固体磁性元件以及固体磁性元件阵列

    公开(公告)号:CN1448917A

    公开(公告)日:2003-10-15

    申请号:CN03108385.4

    申请日:2003-03-28

    Abstract: 提供一种固体磁性元件,其特征在于:具备,包含磁化方向被固定在第1方向上的第1铁磁性体的第1参照磁性部;包含磁化方向被固定在第2方向上的第2铁磁性体的第2参照磁性部;被设置在上述第1以及第2参照磁性部之间,包含第3铁磁性体的记录磁性部;被设置在上述第1参照磁性部和上述记录磁性部之间的磁区分断部;被设置在上述第2参照磁性部和上述记录磁性部之间的中间部,通过使写入电流在上述第1参照磁性部和上述记录磁性部之间流过,使上述第3铁磁性体的磁化方向与上述第1方向大致平行或者大致反平行,通过使读出电流在上述第2参照磁性部和上述记录磁性部之间流过,可以检测上述第3磁性体的磁化方向与上述第2方向的相对关系。

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