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公开(公告)号：CN101114694A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710140950.4
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低在进行基于电流直接驱动的磁化反转时的反转电流的磁单元和使用它的磁存储器。该磁单元的特征在于具备：磁化(M1)的方向被实质上固定在第1方向上的第1强磁性层(C1)；磁化(M2)的方向被实质上固定在与上述第1方向相反的第2方向上的第2强磁性层(C2)；设置在上述第1和第2强磁性层之间，磁化(M)方向可变的第3强磁性层(A)；设置在上述第1和第3强磁性层之间的第1中间层(B1)；设置在上述第2和上述第3强磁性层之间的第2中间层(B2)。
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公开(公告)号：CN1770316B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200510109730.6
申请日：2005-09-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B2005/0002 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/329 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 自旋极化电子被注入其中的磁记录元件具有磁化方向由自旋极化电子根据该自旋极化电子的流动方向改变的层次，以及根据该磁化方向记录信息。磁记录元件包括其磁化方向由自旋极化电子的作用改变以及具有自旋极化度Pf的自由层FF。其磁化方向固定的固定层FP具有比自旋极化度Pf大的自旋极化度Pp。中间层设置于固定层和自由层之间，实质上由非磁性材料构成。
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公开(公告)号：CN100514688C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610162993.8
申请日：2006-11-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/26 , B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3224 , H01S5/3412
Abstract: 一种发光器件包括：有源层，包括具有四面体结构的母体半导体的原子A、替换晶格位置中所述原子A的异质原子D和插入到与所述异质原子D最邻近的间隙位置中的异质原子Z，所述异质原子D的价电子数与所述原子A的价电子数相差+1或-1，并且通过与所述异质原子D的电荷补偿，所述异质原子Z具有满壳层结构的电子组态；以及n电极和p电极，适于向所述有源层提供电流。
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公开(公告)号：CN1254790C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN03108385.4
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/3263 , H01F10/329 , H01L27/228
Abstract: 提供一种固体磁性元件，其特征在于：具备，包含磁化方向被固定在第1方向上的第1铁磁性体的第1参照磁性部；包含磁化方向被固定在第2方向上的第2铁磁性体的第2参照磁性部；被设置在上述第1以及第2参照磁性部之间，包含第3铁磁性体的记录磁性部；被设置在上述第1参照磁性部和上述记录磁性部之间的磁区分断部；被设置在上述第2参照磁性部和上述记录磁性部之间的中间部，通过使写入电流在上述第1参照磁性部和上述记录磁性部之间流过，使上述第3铁磁性体的磁化方向与上述第1方向大致平行或者大致反平行，通过使读出电流在上述第2参照磁性部和上述记录磁性部之间流过，可以检测上述第3铁磁性体的磁化方向与上述第2方向的相对关系。
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公开(公告)号：CN1448946A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108383.8
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3263 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H03K19/168
Abstract: 提供一种小型、能进行逻辑处理的新的磁性体逻辑元件及将该元件阵列化了的磁性体逻辑元件阵列。该磁性体逻辑元件具有：至少两个以上的磁性层(HM、SM)；磁性层之间的中间单元；以及磁性层(SM)的磁化方向控制单元，将控制磁性层(SM)的磁化方向用的输入信号设为A、B两个以上，分别分配0、1，用输入信号A、B的组合，决定磁性层(SM)的磁化，将通过了中间单元的磁致电阻效应的大小作为输出信号C。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1937074A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610139885.9
申请日：2006-09-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16 , H03K19/168
CPC classification number: H01F10/3268 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/329 , H01L29/66984 , H01L43/08 , Y10S977/933
Abstract: 一种磁性元件包括：沟道层；与该沟道层接触的第一磁性电极；与该沟道层接触、并与第一磁性电极绝缘的第二磁性电极；与第一磁性电极邻接设置、并具有第一绝缘层的第一中间层；设置为与该第一中间层的与位于接触第一磁性电极的表面的相反侧的表面接触，以将磁化传递给第一磁性电极的第一磁性层；与第一磁性电极连接的第一电极；以及与第二磁性电极连接的第二电极，第一电极和第二电极中的至少一个输出随第一磁性电极和第二磁性电极的磁化配置变化的第一信号。
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公开(公告)号：CN1677558A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062839.9
申请日：2005-03-31
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据本发明的一方面，提供一种磁致电阻元件，包括：其中磁化方向通过自旋极化电子改变的自由层，该自由层具有被非磁性层分开的铁磁层，其中在铁磁层中，有非磁性层插入其间的两个相邻的铁磁层以反铁磁性的方式彼此耦合；在铁磁层中，其中磁化方向是第一方向的至少一个铁磁层的总的磁化强度的绝对值和其中磁化方向是与第一方向相反的第二方向的至少一个铁磁层的总的磁化强度的绝对值之间的差值等于或小于5×10－15emu；并且，与铁磁层的衬底平行的平面越远离该衬底，所述平面越小。
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公开(公告)号：CN100433182C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510062839.9
申请日：2005-03-31
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据本发明的一方面，提供一种磁致电阻元件，包括：其中磁化方向通过自旋极化电子改变的自由层，该自由层具有被非磁性层分开的铁磁层，其中在铁磁层中，有非磁性层插入其间的两个相邻的铁磁层以反铁磁性的方式彼此耦合；在铁磁层中，其中磁化方向是第一方向的至少一个铁磁层的总的磁化强度的绝对值和其中磁化方向是与第一方向相反的第二方向的至少一个铁磁层的总的磁化强度的绝对值之间的差值等于或小于5×10-15emu；并且，与铁磁层的衬底平行的平面越远离该衬底，所述平面越小。
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公开(公告)号：CN100351946C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN03108383.8
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3263 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H03K19/168
Abstract: 提供一种小型、能进行逻辑处理的新的磁性体逻辑元件及将该元件阵列化了的磁性体逻辑元件阵列。该磁性体逻辑元件具有：至少两个以上的磁性层(HM、SM)；磁性层之间的中间单元；以及磁性层(SM)的磁化方向控制单元，将控制磁性层(SM)的磁化方向用的输入信号设为A、B两个以上，分别分配0、1，用输入信号A、B的组合，决定磁性层(SM)的磁化，将通过了中间单元的磁致电阻效应的大小作为输出信号C。
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公开(公告)号：CN1503270A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310118602.9
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低在进行基于电流直接驱动的磁化反转时的反转电流的磁单元和使用它的磁存储器。该磁单元的特征在于具备：磁化(M1)的方向被实质上固定在第1方向上的第1强磁性层(C1)；磁化(M2)的方向被实质上固定在与上述第1方向相反的第2方向上的第2强磁性层(C2)；设置在上述第1和第2强磁性层之间，磁化(M)方向可变的第3强磁性层(A)；设置在上述第1和第3强磁性层之间的第1中间层(B1)；设置在上述第2和上述第3强磁性层之间的第2中间层(B2)。
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