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公开(公告)号：CN1326121C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410103870.8
申请日：2004-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/74 , G11B5/743 , G11B5/855 , G11B2005/001 , Y10T428/256 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种磁记录介质及其制造方法，可以进行高密度记录且耐久性优异。该磁记录介质，其特征在于包括：在非磁性基片上形成的软磁性层上分离排列的多个铁磁性体点；以及形成在各个铁磁性体点上的碳层，该碳层在通过铁磁性体点中心的截面上的膜面形状是平滑的，且具有从所述铁磁性体点的中心向外缘逐渐减小的膜厚。
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公开(公告)号：CN107689232B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201710122872.9
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1～第4磁性层、第1、第2中间层以及控制部。含金属层包括第1～第5部分。第1磁性层在与从第1部分向第2部分的第2方向交叉的第1方向上与第3部分分离。第2磁性层设置在第3部分的一部分与第1磁性层间。第1中间层设置在第1、第2磁性层间。第3磁性层在第1方向上与第4部分分离。第4磁性层设置在第4部分的一部分与第3磁性层间。第2中间层设置在第3、第4磁性层间。控制部与第1、第2部分连接。第3部分的与第1方向及第2方向交叉的第3方向的长度比第2磁性层的第3方向的长度长。第3部分的长度比第5部分的第3方向的长度长。
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公开(公告)号：CN107689417A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号：CN100533589C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200310118602.9
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低在进行基于电流直接驱动的磁化反转时的反转电流的磁单元和使用它的磁存储器。该磁单元的特征在于具备：磁化(M1)的方向被实质上固定在第1方向上的第1强磁性层(C1)；磁化(M2)的方向被实质上固定在与上述第1方向相反的第2方向上的第2强磁性层(C2)；设置在上述第1和第2强磁性层之间，磁化(M)方向可变的第3强磁性层(A)；设置在上述第1和第3强磁性层之间的第1中间层(B1)；设置在上述第2和上述第3强磁性层之间的第2中间层(B2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107689417B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号：CN101114694A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710140950.4
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低在进行基于电流直接驱动的磁化反转时的反转电流的磁单元和使用它的磁存储器。该磁单元的特征在于具备：磁化(M1)的方向被实质上固定在第1方向上的第1强磁性层(C1)；磁化(M2)的方向被实质上固定在与上述第1方向相反的第2方向上的第2强磁性层(C2)；设置在上述第1和第2强磁性层之间，磁化(M)方向可变的第3强磁性层(A)；设置在上述第1和第3强磁性层之间的第1中间层(B1)；设置在上述第2和上述第3强磁性层之间的第2中间层(B2)。
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公开(公告)号：CN107689232A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710122872.9
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1～第4磁性层、第1、第2中间层以及控制部。含金属层包括第1～第5部分。第1磁性层在与从第1部分向第2部分的第2方向交叉的第1方向上与第3部分分离。第2磁性层设置在第3部分的一部分与第1磁性层间。第1中间层设置在第1、第2磁性层间。第3磁性层在第1方向上与第4部分分离。第4磁性层设置在第4部分的一部分与第3磁性层间。第2中间层设置在第3、第4磁性层间。控制部与第1、第2部分连接。第3部分的与第1方向及第2方向交叉的第3方向的长度比第2磁性层的第3方向的长度长。第3部分的长度比第5部分的第3方向的长度长。
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公开(公告)号：CN1627372A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410103870.8
申请日：2004-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/74 , G11B5/743 , G11B5/855 , G11B2005/001 , Y10T428/256 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种磁记录介质及其制造方法，可以进行高密度记录且耐久性优异。该磁记录介质，其特征在于包括：在非磁性基片上形成的软磁性层上分离排列的多个铁磁性体点；以及形成在各个铁磁性体点上的碳层，该碳层在通过铁磁性体点中心的截面上的膜面形状是平滑的，且具有从所述铁磁性体点的中心向外缘逐渐减小的膜厚。
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公开(公告)号：CN1503270A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310118602.9
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低在进行基于电流直接驱动的磁化反转时的反转电流的磁单元和使用它的磁存储器。该磁单元的特征在于具备：磁化(M1)的方向被实质上固定在第1方向上的第1强磁性层(C1)；磁化(M2)的方向被实质上固定在与上述第1方向相反的第2方向上的第2强磁性层(C2)；设置在上述第1和第2强磁性层之间，磁化(M)方向可变的第3强磁性层(A)；设置在上述第1和第3强磁性层之间的第1中间层(B1)；设置在上述第2和上述第3强磁性层之间的第2中间层(B2)。
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