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公开(公告)号：CN113437173B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202010944838.1
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第三半导体区域设置于第二半导体区域之上。结构体在与第一方向垂直的第一面中设置于元件的周围。结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。含金属部设置于比第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。第二绝缘部在所述第一面中位于含金属部与元件之间。第一绝缘部的厚度大于所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。
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公开(公告)号：CN114156362B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110211234.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L27/144 , G01S17/08 , G01S17/86
Abstract: 本发明涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置以及移动体，能够提高可靠性。根据实施方式，光检测器包括第1导电型的第1半导体层、第1区域、猝灭部、第2区域以及第1层。第1区域设置在第1半导体层的一部分之上。第1区域包括具有比第1半导体层高的第1导电型的杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域、和设置在第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域。猝灭部与第2半导体区域电连接。第2区域设置在第1半导体层的另外的一部分之上。第2区域包括第2导电型的第3半导体区域、和设置在第3半导体区域的一部分之上的第1导电型的第4半导体区域。第1层设置在第2区域之上，含有吸收或者反射光的树脂。
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公开(公告)号：CN101373597A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810210004.7
申请日：2008-08-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/17 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/3133 , G11B5/3146 , G11B2005/0002 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明公开了一种磁记录头，其包括主磁极、层叠体和一对电极。所述层叠体第一磁层、第二磁层和中间层，该第一磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力，该第二磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力，并且该中间层设置在所述第一磁层和第二磁层之间。所述一对电极可操作地使电流通过所述层叠体。
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公开(公告)号：CN101320567A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810108305.9
申请日：2008-06-06
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及用于实现高记录密度、高记录容量、高数据传送速度的数据储存的适合的磁记录头及磁记录装置，磁记录头的特征在于，具备旋转振荡元件，该旋转振荡元件具有：至少具有1层磁性体层的第一旋转振荡层、至少具有1层磁性体层的第二旋转振荡层和设在上述第一旋转振荡层与上述第二旋转振荡层之间的第一非磁性体层；上述第一旋转振荡层和上述第二旋转振荡层相互反铁磁耦合及/或静磁耦合；上述第一旋转振荡层和上述第二旋转振荡层在相对于媒体对置面大致平行且相对于与上述记录磁极的媒体对置面交叉的侧面大致平行的方向上层叠。
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公开(公告)号：CN113437173A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010944838.1
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第三半导体区域设置于第二半导体区域之上。结构体在与第一方向垂直的第一面中设置于元件的周围。结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。含金属部设置于比第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。第二绝缘部在所述第一面中位于含金属部与元件之间。第一绝缘部的厚度大于所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107689232B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201710122872.9
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1～第4磁性层、第1、第2中间层以及控制部。含金属层包括第1～第5部分。第1磁性层在与从第1部分向第2部分的第2方向交叉的第1方向上与第3部分分离。第2磁性层设置在第3部分的一部分与第1磁性层间。第1中间层设置在第1、第2磁性层间。第3磁性层在第1方向上与第4部分分离。第4磁性层设置在第4部分的一部分与第3磁性层间。第2中间层设置在第3、第4磁性层间。控制部与第1、第2部分连接。第3部分的与第1方向及第2方向交叉的第3方向的长度比第2磁性层的第3方向的长度长。第3部分的长度比第5部分的第3方向的长度长。
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公开(公告)号：CN107689417A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号：CN106067306A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510450671.2
申请日：2015-07-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/235 , G11B5/3146 , G11B5/315 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明的实施方式可获得可以使向振荡层的旋转注入效率上升、产生更强的高频磁场的高频辅助磁记录头。在实施方式所涉及的高频辅助磁记录头中，在与振荡层相比靠磁道宽度方向的外侧的区域或者振荡层的相对于上浮面垂直的深度方向的外侧的区域，还形成旋转注入层，从而将旋转注入层与振荡层之间的区域设得宽阔，并在该区域内形成中间层，由此可以增大中间层与振荡层接触的面积。
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公开(公告)号：CN107689232A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710122872.9
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1～第4磁性层、第1、第2中间层以及控制部。含金属层包括第1～第5部分。第1磁性层在与从第1部分向第2部分的第2方向交叉的第1方向上与第3部分分离。第2磁性层设置在第3部分的一部分与第1磁性层间。第1中间层设置在第1、第2磁性层间。第3磁性层在第1方向上与第4部分分离。第4磁性层设置在第4部分的一部分与第3磁性层间。第2中间层设置在第3、第4磁性层间。控制部与第1、第2部分连接。第3部分的与第1方向及第2方向交叉的第3方向的长度比第2磁性层的第3方向的长度长。第3部分的长度比第5部分的第3方向的长度长。
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公开(公告)号：CN105321530A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410586497.X
申请日：2014-10-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/35 , G11B5/1278 , G11B5/23 , G11B5/235 , G11B5/3133 , G11B5/3146 , G11B5/3912 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明提供高频的振荡效率提高、能够进行稳定的高频辅助记录的高频辅助记录头以及具备该高频辅助记录头的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置的高频辅助记录头具备：主磁极(66)，其施加记录磁场；写屏蔽磁极(68)，其隔着写间隙而与主磁极相对；自旋转矩振荡元件(74)，其在主磁极与写屏蔽磁极之间设置在介质相对面的附近，产生高频磁场；反强磁性层(80)，其与写屏蔽磁极接触地设置在自旋转矩振荡元件与写屏蔽磁极之间；和非磁性金属层(82)，其设置在自旋转矩振荡元件与反强磁性层之间。
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