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公开(公告)号：CN107689417B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号：CN102856489B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210097760.X
申请日：2012-04-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。根据一个实施例，一种磁阻元件包括：存储层(2)，其具有垂直且可变的磁化；参考层(4)，其具有垂直且恒定的磁化；偏移调整层(6)，其具有沿与所述参考层(4)的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；第一非磁性层(3)，其在所述存储层(2)与所述参考层(4)之间；以及第二非磁性层(5)，其在所述参考层(4)与所述偏移调整层(6)之间。所述参考层(4)的切换磁场等于或小于所述存储层(2)的切换磁场，且所述参考层(4)的磁弛豫常数大于所述存储层(2)的磁弛豫常数。
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公开(公告)号：CN102176510B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110103692.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明涉及磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器。磁电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。
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公开(公告)号：CN102856489A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210097760.X
申请日：2012-04-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。根据一个实施例，一种磁阻元件包括：存储层(2)，其具有垂直且可变的磁化；参考层(4)，其具有垂直且恒定的磁化；偏移调整层(6)，其具有沿与所述参考层(4)的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；第一非磁性层(3)，其在所述存储层(2)与所述参考层(4)之间；以及第二非磁性层(5)，其在所述参考层(4)与所述偏移调整层(6)之间。所述参考层(4)的切换磁场等于或小于所述存储层(2)的切换磁场，且所述参考层(4)的磁弛豫常数大于所述存储层(2)的磁弛豫常数。
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公开(公告)号：CN101399312B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200810215231.9
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁电阻元件以及磁性存储器。磁电阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L10构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。
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公开(公告)号：CN100342451C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03102768.7
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。
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公开(公告)号：CN1941449A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610141248.5
申请日：2006-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 根据本发明一个方面的一种磁阻元件包括其磁化状态改变的自由层和其磁化状态固定的钉扎层。所述自由层包括第一和第二铁磁性层以及设置在所述第一和第二铁磁性层之间的非磁性层。设定所述第一和第二铁磁性层之间的交换耦合强度，以使星形曲线沿难磁化方向开口。
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公开(公告)号：CN1542845A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410032846.X
申请日：2004-04-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06K19/06187 , G11C11/16
Abstract: 提供能缩短数据传输时间的数据复制方法等，此方法包括经由网络连接数据复制装置与服务器的步骤、从此服务器的数据库中选择第一数据的步骤、将此第一数据下载到上述复制装置中的步骤、将此下载的上述第一数据写入第一磁存储器中的步骤、将第二磁存储器设于上述数据复制装置中的步骤、使上述第一磁存储器与第二磁存储器靠近以对上述第二磁存储器进行磁性复制而由此将第二数据写入上述第二磁存储器中的步骤。
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公开(公告)号：CN102176510A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110103692.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明涉及磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器。磁电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。
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公开(公告)号：CN101399313B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810215232.3
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供一种磁电阻元件(10)包括：具有与膜面垂直的磁各向异性，且磁化方向被固定的参照层(15)；由磁性层与非磁性层交互地经过层叠的层状结构组成，且具有与膜面垂直的磁各向异性，且磁化方向可以变化的记录层(17)；以及被设置在上述参照层(15)与上述记录层(17)之间，且由非磁性材料组成的中间层(16)。其中，构成上述记录层(17)的磁性层之中与上述中间层(16)相接的磁性层(17A-1)，由包含钴(Co)及铁(Fe)的合金组成，且其膜厚大于与上述中间层(16)不相接的磁性层的膜厚。
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