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公开(公告)号：CN1302548C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200410058626.4
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3254 , H01F41/308 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 提供一种磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法。其中，在基板上形成绝缘层，在上述绝缘层上形成下部电极，在上述下部电极的上表面上形成磁阻效应膜，该磁阻效应膜包含绝缘阻挡层、和夹着该绝缘阻挡层而层叠的多个磁性体膜，在上述磁阻效应膜之上层叠掩模层，把上述掩模层用作掩模对上述磁阻效应膜进行离子蚀刻加工，形成磁阻效应元件，在上述掩模、上述磁阻效应元件、和上述下部电极的上表面上形成绝缘膜，利用离子束对上述绝缘膜进行蚀刻以使上述磁阻效应元件的侧面露出。
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公开(公告)号：CN102428544B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN200980159359.0
申请日：2009-05-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065
CPC classification number: G11B5/855 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31122
Abstract: 本发明提供凹凸图案形成方法，能够尽可能地抑制凹凸图案的凸部的垂肩。所述凹凸图案形成方法的特征在于，具备以下工序：在形成有凹凸图案的基材(2，4)上形成备有具有凸部的图案的导向图案(6)的工序；在导向图案上形成具有层叠有第一层(8)和第二层(10)的形成层的工序，第一层(8)包含选自第一金属元素及类金属元素中的至少一个元素，所述第二层(10)包含与所述第一金属元素不同的第二金属元素；通过蚀刻形成层，仅在凸部的侧部选择性地留置形成层的工序；除去导向图案的工序；以及通过以留置的形成层作为掩膜来蚀刻基材，由此在基材上形成凹凸图案的工序。
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公开(公告)号：CN1577845A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410058626.4
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3254 , H01F41/308 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 提供一种磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法。其中，在基板上形成绝缘层，在上述绝缘层上形成下部电极，在上述下部电极的上表面上形成磁阻效应膜，该磁阻效应膜包含绝缘阻挡层、和夹着该绝缘阻挡层而层叠的多个磁性体膜，在上述磁阻效应膜之上层叠掩模层，把上述掩模层用作掩模对上述磁阻效应膜进行离子蚀刻加工，形成磁阻效应元件，在上述掩模、上述磁阻效应元件、和上述下部电极的上表面上形成绝缘膜，利用离子束对上述绝缘膜进行蚀刻以使上述磁阻效应元件的侧面露出。
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公开(公告)号：CN101399313B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810215232.3
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供一种磁电阻元件(10)包括：具有与膜面垂直的磁各向异性，且磁化方向被固定的参照层(15)；由磁性层与非磁性层交互地经过层叠的层状结构组成，且具有与膜面垂直的磁各向异性，且磁化方向可以变化的记录层(17)；以及被设置在上述参照层(15)与上述记录层(17)之间，且由非磁性材料组成的中间层(16)。其中，构成上述记录层(17)的磁性层之中与上述中间层(16)相接的磁性层(17A-1)，由包含钴(Co)及铁(Fe)的合金组成，且其膜厚大于与上述中间层(16)不相接的磁性层的膜厚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101409326B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810169881.4
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01F10/123 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件以及磁随机存取存储器。磁阻效应元件具备基准层、记录层、以及非磁性层。基准层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第1磁化，且磁化的方向不变。记录层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第2磁化，且磁化的方向可变。上述非磁性层被设置在基准层与记录层之间。由记录层的磁各向异性、饱和磁化以及交换结合决定的、单磁区状态成为唯一的稳定状态的临界直径(单轴临界直径Ds＊)、或者单磁区状态为唯一的稳定状态、且即使在反转过程中也一边保持单磁区状态一边反转的临界直径(单轴反转临界直径Ds)大于磁阻效应元件的元件直径。
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公开(公告)号：CN102428544A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200980159359.0
申请日：2009-05-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065 , G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31122
Abstract: 本发明提供凹凸图案形成方法，能够尽可能地抑制凹凸图案的凸部的垂肩。所述凹凸图案形成方法的特征在于，具备以下工序：在形成有凹凸图案的基材(2，4)上形成备有具有凸部的图案的导向图案(6)的工序；在导向图案上形成具有层叠有第一层(8)和第二层(10)的形成层的工序，第一层(8)包含选自第一金属元素及类金属元素中的至少一个元素，所述第二层(10)包含与所述第一金属元素不同的第二金属元素；通过蚀刻形成层，仅在凸部的侧部选择性地留置形成层的工序；除去导向图案的工序；以及通过以留置的形成层作为掩膜来蚀刻基材，由此在基材上形成凹凸图案的工序。
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公开(公告)号：CN101409326A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810169881.4
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01F10/123 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件以及磁随机存取存储器。磁阻效应元件具备基准层、记录层、以及非磁性层。基准层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第1磁化，且磁化的方向不变。记录层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第2磁化，且磁化的方向可变。上述非磁性层被设置在基准层与记录层之间。由记录层的磁各向异性、饱和磁化以及交换结合决定的、单磁区状态成为唯一的稳定状态的临界直径(单轴临界直径Ds*)、或者单磁区状态为唯一的稳定状态、且即使在反转过程中也一边保持单磁区状态一边反转的临界直径(单轴反转临界直径Ds)大于磁阻效应元件的元件直径。
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公开(公告)号：CN101399313A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810215232.3
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供一种磁阻元件(10)包括：具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向被固定的参照层(15)；由磁性层与非磁性层交互地经过层叠的层状结构组成，且具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向可以变化的记录层(17)；以及被设置在上述参照层(15)与上述记录层(17)之间，且由非磁性材料组成的中间层(16)。其中，构成上述记录层(17)的磁性层之中与上述中间层(16)相接的磁性层(17A－1)，由包含钴(Co)及铁(Fe)的合金组成，且其膜厚大于与上述中间层(16)不相接的磁性层的膜厚。
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