公开(公告)号：CN100350499C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200310118330.2

申请日：2003-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 与田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  宫本順一 ,  岸达也 ,  天野实 ,  梶山健 ,  相川尚德

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L29/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明的磁随机访问存储器具有以下特征：写入线被磁轭材料覆盖。MTJ元件的记录层与磁轭材料交换结合。MTJ元件的记录层和与该记录层交换结合的部分的磁轭材料的合计磁量(∑Msi×ti)的值比覆盖写入线的其他部分的磁轭材料的磁量(∑Msi’×ti’)的值小。

公开(公告)号：CN1252824C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03152413.3

申请日：2003-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 與田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  天野実 ,  岸逹也 ,  細谷啓司 ,  宫本順一

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁存储装置，包括：在第一方向上延伸的第一布线；在与上述第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线；配置在上述第一和第二布线间的上述第一和第二布线的交点上的磁电阻效应元件；至少覆盖上述第一布线的下面和两个侧面中的某一个面的第一磁轭主体部；至少覆盖上述第二布线的上面和两个侧面中的某一个面的第二磁轭主体部；在上述磁电阻效应元件的上述第一方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第一和第二磁轭尖部；在上述磁电阻效应元件的上述第二方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第三和第四磁轭尖部。

公开(公告)号：CN1503269A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310118330.2

申请日：2003-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 与田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  宫本順一 ,  岸达也 ,  天野实 ,  梶山健 ,  相川尚德

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L29/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明的磁随机访问存储器具有以下特征：写入线被磁轭材料覆盖。MTJ元件的记录层与磁轭材料交换结合。MTJ元件的记录层和与该记录层交换结合的部分的磁轭材料的合计磁量(∑Msi×ti)的值比覆盖写入线的其他部分的磁轭材料的磁量(∑Msi’×ti’)的值小。

公开(公告)号：CN1476019A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03152413.3

申请日：2003-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 舆田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  天野実 ,  岸逹也 ,  細谷啓司 ,  宫本順一

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁存储装置，包括：在第一方向上延伸的第一布线；在与上述第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线；配置在上述第一和第二布线间的上述第一和第二布线的交点上的磁电阻效应元件；至少覆盖上述第一布线的下面和两个侧面中的某一个面的第一磁轭主体部；至少覆盖上述第二布线的上面和两个侧面中的某一个面的第二磁轭主体部；在上述磁电阻效应元件的上述第一方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第一和第二磁轭尖部；在上述磁电阻效应元件的上述第二方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第三和第四磁轭尖部。