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公开(公告)号：CN1254790C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN03108385.4
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/3263 , H01F10/329 , H01L27/228
Abstract: 提供一种固体磁性元件，其特征在于：具备，包含磁化方向被固定在第1方向上的第1铁磁性体的第1参照磁性部；包含磁化方向被固定在第2方向上的第2铁磁性体的第2参照磁性部；被设置在上述第1以及第2参照磁性部之间，包含第3铁磁性体的记录磁性部；被设置在上述第1参照磁性部和上述记录磁性部之间的磁区分断部；被设置在上述第2参照磁性部和上述记录磁性部之间的中间部，通过使写入电流在上述第1参照磁性部和上述记录磁性部之间流过，使上述第3铁磁性体的磁化方向与上述第1方向大致平行或者大致反平行，通过使读出电流在上述第2参照磁性部和上述记录磁性部之间流过，可以检测上述第3铁磁性体的磁化方向与上述第2方向的相对关系。
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公开(公告)号：CN107689232B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201710122872.9
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1～第4磁性层、第1、第2中间层以及控制部。含金属层包括第1～第5部分。第1磁性层在与从第1部分向第2部分的第2方向交叉的第1方向上与第3部分分离。第2磁性层设置在第3部分的一部分与第1磁性层间。第1中间层设置在第1、第2磁性层间。第3磁性层在第1方向上与第4部分分离。第4磁性层设置在第4部分的一部分与第3磁性层间。第2中间层设置在第3、第4磁性层间。控制部与第1、第2部分连接。第3部分的与第1方向及第2方向交叉的第3方向的长度比第2磁性层的第3方向的长度长。第3部分的长度比第5部分的第3方向的长度长。
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公开(公告)号：CN100501865C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN02151653.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5607
Abstract: 提供一种磁存储器，其中，在第一配线(BL)的上下层叠第一和第二磁阻效应元件(C1，C2)，在与第一配线垂直的方向上设置第二和第三配线(DL1，DL2)，通过使电流分别流过上述第二和第三配线，并使电流流过上述第一配线，在分别使上述第一和第二磁阻效应元件的记录层的磁化在规定的方向上的同时反转记录二值信息中的任何一个，通过检测通过上述第一配线使检测电流流过上述第一和第二磁阻效应元件而获得的来自这些磁阻效应元件的输出的差值，作为二值信息的任意一个读出。
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公开(公告)号：CN1448947A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108386.2
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , Y10T29/49021
Abstract: 一种写入布线开关电流小、离散小的磁存储装置，包括步骤：形成磁阻效应元件；形成第1绝缘膜使其覆盖上述磁阻效应元件；形成被覆膜使其覆盖上述第1绝缘膜；使上述磁阻效应元件的上面露出；在上述磁阻效应元件上形成上部写入布线；采用除去上述被覆膜的一部分或全部的方式使上述磁阻效应元件侧部的上述第1被覆膜露出；以及形成磁轭构造部件使其覆盖上述上部写入布线的至少侧部，同时与露出的上述第1绝缘膜接连。
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公开(公告)号：CN100362591C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN03108386.2
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , Y10T29/49021
Abstract: 一种写入布线开关电流小、离散小的磁存储装置，包括步骤：形成磁阻效应元件；形成第1绝缘膜使其覆盖上述磁阻效应元件；形成被覆膜使其覆盖上述第1绝缘膜；使上述磁阻效应元件的上面露出；在上述磁阻效应元件上形成上部写入布线；采用除去上述被覆膜的一部分或全部的方式使上述磁阻效应元件侧部的上述第1被覆膜露出；以及形成磁轭构造部件使其覆盖上述上部写入布线的至少侧部，同时与露出的上述第1绝缘膜接连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1190776C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN01111867.9
申请日：2001-03-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3925 , G11B5/00 , G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49055 , Y10T29/49067
Abstract: 在此提供一种即使在较短磁通路长度和较短波长信号的情况下也能够有效执行磁头的记录或再现操作的磁头。该磁头包括：一对软磁性材料的磁质部分，每个磁质部分的主平面作为一个与记录介质相对的表面；以及位于该对磁质部分之间的一个磁隙，其被形成使得在主平面的相对侧上的该对磁质部分之间的距离大于在主平面上的该对磁质部分之间的距离，并且该对磁质部分之间的距离从主平面一侧到主平面的相对侧连续变化。
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公开(公告)号：CN1452175A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN02151653.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5607
Abstract: 提供一种磁存储器，其中，在第一配线(BL)的上下层叠第一和第二磁阻效应元件(C1，C2)，在与第一配线垂直的方向上设置第二和第三配线(DL1，DL2)，通过使电流分别流过上述第二和第三配线，并使电流流过上述第一配线，在分别使上述第一和第二磁阻效应元件的记录层的磁化在规定的方向上的同时反转记录二值信息中的任何一个，通过检测通过上述第一配线使检测电流流过上述第一和第二磁阻效应元件而获得的来自这些磁阻效应元件的输出的差值，作为二值信息的任意一个读出。
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公开(公告)号：CN1433020A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03102766.0
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件(21)；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线(22、23)；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心(G)比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点(C)更向所述磁阻效应元件的方向偏心。
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公开(公告)号：CN1315723A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN01111867.9
申请日：2001-03-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3925 , G11B5/00 , G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49055 , Y10T29/49067
Abstract: 在此提供一种即使在较短磁通路长度和较短波长信号的情况下也能够有效执行磁头的记录或再现操作的磁头。该磁头包括：一对软磁性材料的磁质部分,每个磁质部分的主平面作为一个与记录介质相对的表面;以及位于该对磁质部分之间的一个磁隙,其被形成使得在主平面的相对侧上的该对磁质部分之间的距离大于在主平面上的该对磁质部分之间的距离,并且该对磁质部分之间的距离从主平面一侧到主平面的相对侧连续变化。
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公开(公告)号：CN107689232A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710122872.9
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1～第4磁性层、第1、第2中间层以及控制部。含金属层包括第1～第5部分。第1磁性层在与从第1部分向第2部分的第2方向交叉的第1方向上与第3部分分离。第2磁性层设置在第3部分的一部分与第1磁性层间。第1中间层设置在第1、第2磁性层间。第3磁性层在第1方向上与第4部分分离。第4磁性层设置在第4部分的一部分与第3磁性层间。第2中间层设置在第3、第4磁性层间。控制部与第1、第2部分连接。第3部分的与第1方向及第2方向交叉的第3方向的长度比第2磁性层的第3方向的长度长。第3部分的长度比第5部分的第3方向的长度长。
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