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公开(公告)号：CN101064114A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710102315.7
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件以及磁存储器，即使进行微观化也具有热稳定性，并且可以用低电流密度实现磁记录层的磁化反转。该磁阻效应元件具备：磁化方向固定的磁化固定层；磁化方向可变的磁化自由层；设置在磁化固定层与磁化自由层之间的隧道绝缘层；设置在磁化固定层的、与隧道绝缘层相反的一侧的第1反铁磁性层；以及设置在磁化自由层的、与隧道绝缘层相反的一侧，并且膜厚比第1反铁磁性层薄的第2反铁磁性层，其中，通过向磁化自由层注入自旋极化后的电子，可以使磁化自由层的磁化方向反转。
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公开(公告)号：CN1811984A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610002435.5
申请日：2006-01-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/16 , H01L43/08
Abstract: 根据本发明的一种自旋注入磁随机存取存储器，包括磁电阻元件，该磁电阻元件具有其磁化方向固定的磁性固定层、其磁化方向可以通过注入自旋极化电子改变的磁性记录层、和提供在磁性固定层和磁性记录层之间的隧道势垒层；位线，该位线使自旋注入电流通过磁电阻元件，自旋注入电流用于产生自旋极化的电子；写入字线，辅助电流通过该写入字线，辅助电流用于沿着磁电阻元件的易磁化轴方向产生辅助磁场；以及驱动器/吸收器，该驱动器/吸收器确定自旋注入电流的方向和辅助电流的方向。
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公开(公告)号：CN1452175A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN02151653.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5607
Abstract: 提供一种磁存储器，其中，在第一配线(BL)的上下层叠第一和第二磁阻效应元件(C1，C2)，在与第一配线垂直的方向上设置第二和第三配线(DL1，DL2)，通过使电流分别流过上述第二和第三配线，并使电流流过上述第一配线，在分别使上述第一和第二磁阻效应元件的记录层的磁化在规定的方向上的同时反转记录二值信息中的任何一个，通过检测通过上述第一配线使检测电流流过上述第一和第二磁阻效应元件而获得的来自这些磁阻效应元件的输出的差值，作为二值信息的任意一个读出。
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公开(公告)号：CN1213867A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN98114853.0
申请日：1998-05-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5615 , H01F10/3227 , H01F10/3254 , H01L43/08 , Y10S428/90 , Y10T428/1114 , Y10T428/12111
Abstract: 本发明提供了一种磁性元件,它包括有具有分散在电感应体基质中的强磁性微粒的、并且不显示超常磁性的、具有有限矫顽力的微粒磁性膜,以及强磁性膜。微粒磁性膜和强磁性膜以叠层或沿着基板表面并列设置的方式构成为强磁性隧道结合膜。强磁性隧道结合膜将微粒磁性膜作为屏障。通过使微粒磁性膜和强磁性膜中的一个磁性膜的自旋方向在外部磁场的作用下变化的方式,可以获得巨磁电阻效应。这种磁性元件特征在于磁电阻变化率大、饱和磁场小、并可以将元件电阻调节为所需要的值,因此具有可获得偏差小而稳定的特性。
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公开(公告)号：CN103023500B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210224176.6
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H03M1/1061 , H01L27/22 , H01L43/08 , H03M1/365
Abstract: 本发明涉及模数转换器。根据一个实施例，模数转换器包括电压生成单元以及多个比较器。电压生成单元被配置来利用多个可变电阻器对基准电压进行分压，以生成多个比较电压。所述多个比较器中的每一个被配置来将所述多个比较电压中的任意一个与模拟输入电压进行比较，以及基于比较电压和模拟输入电压之间的比较结果输出数字信号。所述多个可变电阻器中的每一个包括串联连接的多个可变电阻性元件，并且所述多个可变电阻性元件中的每一个具有根据外部信号可变地设置的电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102148055B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201010509925.0
申请日：2010-10-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C14/0081
Abstract: 本发明提供使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路，其具备：第一p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极；第二p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的第四电极；第一n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第五电极和作为另一个的第六电极；第二n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第七电极和作为另一个的第八电极；第一n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第九电极和作为另一个的第十电极；以及第二n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第十一电极和作为另一个的第十二电极。
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公开(公告)号：CN101140952B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200710149786.3
申请日：2007-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3272
Abstract: 一种自旋MOSFET，包括：半导体衬底；第一磁性膜，该第一磁性膜形成在该半导体衬底上且包括第一铁磁层，该第一铁磁层的磁化方向固定；第二磁性膜，该第二磁性膜形成在该半导体衬底上并与该第一磁性膜间隔开，并且包括磁化自由层、第一非磁性层以及磁化固定层，其中该第一非磁性层是隧道绝缘体且设置在该磁化自由层上，该磁化固定层设置在该第一非磁性层上，该磁化自由层的磁化方向可变而该磁化固定层的磁化方向固定；栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜至少设置在该第一磁性膜和该第二磁性膜之间的半导体衬底上；以及形成在该栅极绝缘膜上的栅电极。
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公开(公告)号：CN101483428A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910002015.0
申请日：2009-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03K19/0944 , G11C11/16
CPC classification number: H03K19/1733 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1697
Abstract: 可以提供一个可重新配置逻辑电路，可以采用该可重新配置逻辑电路实现高集成度。可重新配置逻辑电路包括：包括多个自旋MOSFET和选择部分的多路复用器，每个所述自旋MOSFET具有包含磁材料的源极和漏极，并且所述选择部分包括多个MOSFET，并且基于从控制线传输的控制数据，从多个自旋MOSFET中选择一个自旋MOSFET；确定电路，其确定由选择部分选择的所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化处于第一状态还是第二状态；以及第一和第二写电路，其通过提供在所选择的自旋MOSFET的源极和漏极之间流动的写电流，分别将所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化置于第二和第一状态。
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公开(公告)号：CN100501865C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN02151653.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5607
Abstract: 提供一种磁存储器，其中，在第一配线(BL)的上下层叠第一和第二磁阻效应元件(C1，C2)，在与第一配线垂直的方向上设置第二和第三配线(DL1，DL2)，通过使电流分别流过上述第二和第三配线，并使电流流过上述第一配线，在分别使上述第一和第二磁阻效应元件的记录层的磁化在规定的方向上的同时反转记录二值信息中的任何一个，通过检测通过上述第一配线使检测电流流过上述第一和第二磁阻效应元件而获得的来自这些磁阻效应元件的输出的差值，作为二值信息的任意一个读出。
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