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公开(公告)号：CN102148055B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201010509925.0
申请日：2010-10-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C14/0081
Abstract: 本发明提供使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路，其具备：第一p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极；第二p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的第四电极；第一n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第五电极和作为另一个的第六电极；第二n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第七电极和作为另一个的第八电极；第一n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第九电极和作为另一个的第十电极；以及第二n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第十一电极和作为另一个的第十二电极。
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公开(公告)号：CN101483428A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910002015.0
申请日：2009-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03K19/0944 , G11C11/16
CPC classification number: H03K19/1733 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1697
Abstract: 可以提供一个可重新配置逻辑电路，可以采用该可重新配置逻辑电路实现高集成度。可重新配置逻辑电路包括：包括多个自旋MOSFET和选择部分的多路复用器，每个所述自旋MOSFET具有包含磁材料的源极和漏极，并且所述选择部分包括多个MOSFET，并且基于从控制线传输的控制数据，从多个自旋MOSFET中选择一个自旋MOSFET；确定电路，其确定由选择部分选择的所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化处于第一状态还是第二状态；以及第一和第二写电路，其通过提供在所选择的自旋MOSFET的源极和漏极之间流动的写电流，分别将所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化置于第二和第一状态。
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公开(公告)号：CN107689416A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710109879.7
申请日：2017-02-28
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及磁存储器。提供一种改善了写入效率的SOT写入方式的磁存储器。根据本实施方案的磁存储器具备：第1至第3端子；导电性的第1非磁性层，具有第1至第3部分，所述第1部分位于所述第2部分与所述第3部分之间，所述第2部分与所述第1端子电连接，所述第3部分与所述第2端子电连接；第1磁阻元件，具有与所述第3端子电连接的第1磁性层、配置在所述第1磁性层与所述第1部分之间的第2磁性层、以及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第2非磁性层；和第1层，至少配置在所述第1部分与所述第2磁性层之间，包含Mg、Al、Si、Hf和稀土元素中的至少一种元素、以及氧和氮中的至少一种元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101378072A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810213097.9
申请日：2008-08-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 本发明的一个方面的自旋FET包括源/漏区域(13，14)，源/漏区域(13，14)之间的沟道区域，和沟道区域之上的栅电极(16)。源/漏区域(13，14)中的每一个包括由低逸出功材料(13)和铁磁物质(14)组成的堆结构。低逸出功材料(13)是由非氧化Mg，K，Ca，Sc中的一种组成的非氧化物或包含50at％或更多的所述非氧化物的合金。
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公开(公告)号：CN102194848B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201010294132.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/1697 , H01L27/224 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。
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公开(公告)号：CN101483428B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910002015.0
申请日：2009-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03K19/0944 , G11C11/16
CPC classification number: H03K19/1733 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1697
Abstract: 可以提供一个可重新配置逻辑电路，可以采用该可重新配置逻辑电路实现高集成度。可重新配置逻辑电路包括：包括多个自旋MOSFET和选择部分的多路复用器，每个所述自旋MOSFET具有包含磁材料的源极和漏极，并且所述选择部分包括多个MOSFET，并且基于从控制线传输的控制数据，从多个自旋MOSFET中选择一个自旋MOSFET；确定电路，其确定由选择部分选择的所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化处于第一状态还是第二状态；以及第一和第二写电路，其通过提供在所选择的自旋MOSFET的源极和漏极之间流动的写电流，分别将所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化置于第第二和第一状态。
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公开(公告)号：CN102194848A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010294132.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/1697 , H01L27/224 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。
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公开(公告)号：CN102148055A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010509925.0
申请日：2010-10-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C14/0081
Abstract: 本发明提供使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路，其具备：第一p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极；第二p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的第四电极；第一n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第五电极和作为另一个的第六电极；第二n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第七电极和作为另一个的第八电极；第一n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第九电极和作为另一个的第十电极；以及第二n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第十一电极和作为另一个的第十二电极。
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