公开(公告)号：CN102194848B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201010294132.1

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口智明 ,  丸龟孝生 ,  石川瑞惠 ,  杉山英行 ,  相川尚德 ,  中山昌彦 ,  岸达也 ,  与田博明 ,  斋藤好昭

IPC: H01L27/22 ,  H01L29/66 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L29/66984 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C11/1697 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。

公开(公告)号：CN102194848A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010294132.1

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口智明 ,  丸龟孝生 ,  石川瑞惠 ,  杉山英行 ,  相川尚德 ,  中山昌彦 ,  岸达也 ,  与田博明 ,  斋藤好昭

IPC: H01L27/22 ,  H01L29/66 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L29/66984 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C11/1697 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。