公开(公告)号：CN1308317A

公开(公告)日：2001-08-15

申请号：CN00135319.5

申请日：2000-09-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 猪俣浩一郎 ,  中岛健太郎 ,  齐藤好昭 ,  砂井正之 ,  岸达也

IPC: G11B5/39 ,  G11C11/02

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/115

Abstract: 本发明提供一种具有由第一反铁磁层/第一铁磁层/第一介电层/第二铁磁层/第二介电层/第三铁磁层/第二反铁磁层叠层的铁磁性双隧道结的磁电阻元件,作为自由层的第二铁磁层由Co基合金或Co基合金/Ni－Fe合金/Co基合金三层膜组成,在第一至第三铁磁层中流过隧道电流。

公开(公告)号：CN1213867A

公开(公告)日：1999-04-14

申请号：CN98114853.0

申请日：1998-05-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 猪俣浩一郎 ,  齐藤好昭 ,  柚须圭一郎 ,  市原胜太郎 ,  荻原英夫

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16 ,  G11C11/5607 ,  G11C2211/5615 ,  H01F10/3227 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/08 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/12111

Abstract: 本发明提供了一种磁性元件,它包括有具有分散在电感应体基质中的强磁性微粒的、并且不显示超常磁性的、具有有限矫顽力的微粒磁性膜,以及强磁性膜。微粒磁性膜和强磁性膜以叠层或沿着基板表面并列设置的方式构成为强磁性隧道结合膜。强磁性隧道结合膜将微粒磁性膜作为屏障。通过使微粒磁性膜和强磁性膜中的一个磁性膜的自旋方向在外部磁场的作用下变化的方式,可以获得巨磁电阻效应。这种磁性元件特征在于磁电阻变化率大、饱和磁场小、并可以将元件电阻调节为所需要的值,因此具有可获得偏差小而稳定的特性。

公开(公告)号：CN1210818C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN98114853.0

申请日：1998-05-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 猪俣浩一郎 ,  齐藤好昭 ,  柚须圭一郎 ,  市原胜太郎 ,  荻原英夫

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16 ,  G11C11/5607 ,  G11C2211/5615 ,  H01F10/3227 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/08 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/12111

Abstract: 本发明提供了一种磁性元件，它包括有具有分散在电感应体基质中的强磁性微粒的、并且不显示超常磁性的、具有有限矫顽力的微粒磁性膜，以及强磁性膜。微粒磁性膜和强磁性膜以叠层或沿着基板表面并列设置的方式构成为强磁性隧道结合膜。强磁性隧道结合膜将微粒磁性膜作为屏障。通过使微粒磁性膜和强磁性膜中的一个磁性膜的自旋方向在外部磁场的作用下变化的方式，可以获得巨磁电阻效应。这种磁性元件特征在于磁电阻变化率大、饱和磁场小、并可以将元件电阻调节为所需要的值，因此具有可获得偏差小而稳定的特性。

公开(公告)号：CN1185630C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN00135319.5

申请日：2000-09-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 猪俣浩一郎 ,  中岛健太郎 ,  齐藤好昭 ,  砂井正之 ,  岸达也

IPC: G11B5/39 ,  G11C11/02

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/115

Abstract: 一种磁存储装置，其特征在于包括：存储单元，其具有：磁化方向锁定的第一磁化锁定层、第一介电层、磁化方向可反转的磁记录层、第二介电层和磁化方向锁定的第二磁化锁定层；沿第一方向延伸的位线；和沿与上述第一方向相交的第二方向延伸的字线；上述磁记录层包含磁性层、非磁性层和磁性层三层膜，构成该三层膜的两个磁性层反铁磁性耦合；在与各介电层相接的区域中上述两个磁化锁定层的磁化方向基本是反平行的；在不施加电流磁场时，在与第一介电层相接的区域中上述第一磁化锁定层和上述磁记录层的磁性层的磁化方向基本是平行或反平行的；在不施加电流磁场时，在与第二介电层相接的区域中上述第二磁化锁定层和上述磁记录层的磁性层的磁化方向基本是平行或反平行的。