磁存储器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106875969A

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201610811820.8

    申请日:2016-09-09

    Abstract: 本发明涉及磁存储器,具备:导电层,具有第1端子及第2端子;多个磁阻元件,相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层,各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层;以及电路,对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位,并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过,对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。

    磁存储器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106875969B

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201610811820.8

    申请日:2016-09-09

    Abstract: 本发明涉及磁存储器,具备:导电层,具有第1端子及第2端子;多个磁阻元件,相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层,各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层;以及电路,对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位,并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过,对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。

    凹凸图案形成方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102428544A

    公开(公告)日:2012-04-25

    申请号:CN200980159359.0

    申请日:2009-05-20

    CPC classification number: G11B5/855 H01L21/0337 H01L21/31116 H01L21/31122

    Abstract: 本发明提供凹凸图案形成方法,能够尽可能地抑制凹凸图案的凸部的垂肩。所述凹凸图案形成方法的特征在于,具备以下工序:在形成有凹凸图案的基材(2,4)上形成备有具有凸部的图案的导向图案(6)的工序;在导向图案上形成具有层叠有第一层(8)和第二层(10)的形成层的工序,第一层(8)包含选自第一金属元素及类金属元素中的至少一个元素,所述第二层(10)包含与所述第一金属元素不同的第二金属元素;通过蚀刻形成层,仅在凸部的侧部选择性地留置形成层的工序;除去导向图案的工序;以及通过以留置的形成层作为掩膜来蚀刻基材,由此在基材上形成凹凸图案的工序。

    凹凸图案形成方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102428544B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN200980159359.0

    申请日:2009-05-20

    CPC classification number: G11B5/855 H01L21/0337 H01L21/31116 H01L21/31122

    Abstract: 本发明提供凹凸图案形成方法,能够尽可能地抑制凹凸图案的凸部的垂肩。所述凹凸图案形成方法的特征在于,具备以下工序:在形成有凹凸图案的基材(2,4)上形成备有具有凸部的图案的导向图案(6)的工序;在导向图案上形成具有层叠有第一层(8)和第二层(10)的形成层的工序,第一层(8)包含选自第一金属元素及类金属元素中的至少一个元素,所述第二层(10)包含与所述第一金属元素不同的第二金属元素;通过蚀刻形成层,仅在凸部的侧部选择性地留置形成层的工序;除去导向图案的工序;以及通过以留置的形成层作为掩膜来蚀刻基材,由此在基材上形成凹凸图案的工序。

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