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公开(公告)号：CN107078210A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580045843.6
申请日：2015-11-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/10
Abstract: 本实施方案提供能降低漏磁场的磁阻效应元件和使用其的磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备第1磁性层、第2磁性层以及设置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的第1非磁性层，所述第2磁性层具备包含选自由Mn、Fe、Co和Ni组成的第1组的至少一种元素、选自由Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au组成的第2组的至少一种元素、以及选自由Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的第3组的至少一种元素的磁性体。
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公开(公告)号：CN101546807B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910127673.2
申请日：2009-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，ν是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：
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公开(公告)号：CN106875969B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201610811820.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。
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公开(公告)号：CN106716661B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201580045837.0
申请日：2015-11-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L43/08 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/10
CPC classification number: H01L43/02 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L27/105 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 提供即使将存储层薄膜化，也能降低底基层中所含元素的扩散的影响的磁阻元件和磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备：包含Ni和Co中的至少一种元素及Al的具有CsCl结构的第1层、第1磁性层、所述第1层和所述第1磁性层之间的第1非磁性层、以及所述第1层和所述第1非磁性层之间的包含Mn和Ga的第2磁性层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106875969A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610811820.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。
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公开(公告)号：CN101399312A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810215231.9
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/228
Abstract: 磁阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L10构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。
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公开(公告)号：CN101546807A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127673.2
申请日：2009-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 本发明涉及一种磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，v是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：|×a1/2－a2|/a2＜b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+v)}。
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公开(公告)号：CN106716661A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580045837.0
申请日：2015-11-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L43/08 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/10
CPC classification number: H01L43/02 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L27/105 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 提供即使将存储层薄膜化，也能降低底基层中所含元素的扩散的影响的磁阻元件和磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备：包含Ni和Co中的至少一种元素及Al的具有CsCl结构的第1层、第1磁性层、所述第1层和所述第1磁性层之间的第1非磁性层、以及所述第1层和所述第1非磁性层之间的包含Mn和Ga的第2磁性层。
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公开(公告)号：CN101399312B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200810215231.9
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁电阻元件以及磁性存储器。磁电阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L10构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。
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