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公开(公告)号：CN1463010A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03108271.8
申请日：2003-03-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01L27/224 , H01L27/228 , Y10T428/1114
Abstract: 能取得即使减小尺寸，也能实现MR比大、热稳定性优异、开关磁场小的磁阻效应元件和使用该磁阻效应元件的磁存储器。包含隔着非磁性层层叠多个铁磁性层的存储层、具有至少一层铁磁性层的磁性膜、设置在所述存储层和所述磁性膜之间的隧道势垒层；所述存储层的铁磁性层由Ni－Fe－Co三元合金构成；所述存储层和所述隧道势垒层的界面以及所述磁性膜和所述隧道势垒层的界面的最大粗糙度为0.4nm以下。
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公开(公告)号：CN1434455A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN02148057.5
申请日：2002-10-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/02
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , H01L21/76895 , H01L43/08
Abstract: 半导体集成电路器件包括：单元晶体管、位线、单元内局部布线、和磁阻元件。上述单元内局部布线设置于上述位线的上方，并与上述单元晶体管的源/漏区的一方连接。上述磁阻元件设置于上述位线的上方，并与上述位线和上述单元内局部布线连接。
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公开(公告)号：CN1452174A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN02151651.0
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。
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公开(公告)号：CN1448945A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108379.X
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/5607
Abstract: 提供了一种磁阻效应元件，其中：自由铁磁性层的形状包含具有平行四边形的轮廓的第一部分和从第一部分的一对对角部向与第一部分的一对对边平行的主方向分别伸出的一对第二部分；所述形状对于通过所述第一部分的中心且与主方向平行的直线是非对称的；自由铁磁性层的容易磁化轴在由第一方向对第二方向所成的锐角所规定的范围内；所述第一方向和所述主方向实质上是平行的；所述第二方向与连接所述第二部分的轮廓彼此间的最长的线段实质上是平行的。
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公开(公告)号：CN1433020A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03102766.0
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件(21)；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线(22、23)；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心(G)比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点(C)更向所述磁阻效应元件的方向偏心。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100470664C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN02151651.0
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。
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公开(公告)号：CN100351945C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN03108379.X
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/5607
Abstract: 提供了一种磁阻效应元件，其中：自由铁磁性层的形状包含具有平行四边形的轮廓的第一部分和从第一部分的一对对角部向与第一部分的一对对边平行的主方向分别伸出的一对第二部分；所述形状对于通过所述第一部分的中心且与主方向平行的直线是非对称的；自由铁磁性层的容易磁化轴在由第一方向对第二方向所成的锐角所规定的范围内；所述第一方向和所述主方向实质上是平行的；所述第二方向与连接所述第二部分的轮廓彼此间的最长的线段实质上是平行的。
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公开(公告)号：CN1448947A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108386.2
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , Y10T29/49021
Abstract: 一种写入布线开关电流小、离散小的磁存储装置，包括步骤：形成磁阻效应元件；形成第1绝缘膜使其覆盖上述磁阻效应元件；形成被覆膜使其覆盖上述第1绝缘膜；使上述磁阻效应元件的上面露出；在上述磁阻效应元件上形成上部写入布线；采用除去上述被覆膜的一部分或全部的方式使上述磁阻效应元件侧部的上述第1被覆膜露出；以及形成磁轭构造部件使其覆盖上述上部写入布线的至少侧部，同时与露出的上述第1绝缘膜接连。
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公开(公告)号：CN100362591C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN03108386.2
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , Y10T29/49021
Abstract: 一种写入布线开关电流小、离散小的磁存储装置，包括步骤：形成磁阻效应元件；形成第1绝缘膜使其覆盖上述磁阻效应元件；形成被覆膜使其覆盖上述第1绝缘膜；使上述磁阻效应元件的上面露出；在上述磁阻效应元件上形成上部写入布线；采用除去上述被覆膜的一部分或全部的方式使上述磁阻效应元件侧部的上述第1被覆膜露出；以及形成磁轭构造部件使其覆盖上述上部写入布线的至少侧部，同时与露出的上述第1绝缘膜接连。
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公开(公告)号：CN100342451C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03102768.7
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。
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