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公开(公告)号：CN100470664C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN02151651.0
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。
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公开(公告)号：CN1302548C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200410058626.4
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3254 , H01F41/308 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 提供一种磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法。其中，在基板上形成绝缘层，在上述绝缘层上形成下部电极，在上述下部电极的上表面上形成磁阻效应膜，该磁阻效应膜包含绝缘阻挡层、和夹着该绝缘阻挡层而层叠的多个磁性体膜，在上述磁阻效应膜之上层叠掩模层，把上述掩模层用作掩模对上述磁阻效应膜进行离子蚀刻加工，形成磁阻效应元件，在上述掩模、上述磁阻效应元件、和上述下部电极的上表面上形成绝缘膜，利用离子束对上述绝缘膜进行蚀刻以使上述磁阻效应元件的侧面露出。
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公开(公告)号：CN1503229A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310118331.7
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3272 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 提供能获得功耗小、热稳定性好的磁阻效应元件、磁存储器以及磁头。该磁阻效应元件具有：隧道阻挡层；夹着该隧道阻挡层设置在一侧的成为磁化固定层的第一强磁性层；以及磁化自由层，该磁化自由层有：夹着隧道阻挡层设置在另一侧的第二强磁性层；在第二强磁性层的与隧道阻挡层相反的一侧形成、膜面面积比第二强磁性层大、且能利用外部磁场进行磁化方向反转的第三强磁性层；以及设置在第二强磁性层和第三强磁性层之间、将第三强磁性层的磁化的反转传递给第二强磁性层的中间层。
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公开(公告)号：CN100342451C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03102768.7
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。
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公开(公告)号：CN1434455A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN02148057.5
申请日：2002-10-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/02
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , H01L21/76895 , H01L43/08
Abstract: 半导体集成电路器件包括：单元晶体管、位线、单元内局部布线、和磁阻元件。上述单元内局部布线设置于上述位线的上方，并与上述单元晶体管的源/漏区的一方连接。上述磁阻元件设置于上述位线的上方，并与上述位线和上述单元内局部布线连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100476991C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN02148057.5
申请日：2002-10-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/02
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , H01L21/76895 , H01L43/08
Abstract: 半导体集成电路器件包括：单元晶体管、位线、单元内局部布线、和磁阻元件。上述单元内局部布线设置于上述位线的上方，并与上述单元晶体管的源/漏区的一方连接。上述磁阻元件设置于上述位线的上方，并与上述位线和上述单元内局部布线连接。
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公开(公告)号：CN100449814C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200310118331.7
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3272 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 提供能获得功耗小、热稳定性好的磁致电阻效应元件、磁存储器以及磁头。该磁致电阻效应元件具有：隧道阻挡层；夹着该隧道阻挡层设置在一侧的成为磁化固定层的第一强磁性层；以及磁化自由层，该磁化自由层有：夹着隧道阻挡层设置在另一侧的第二强磁性层；在第二强磁性层的与隧道阻挡层相反的一侧形成、膜面面积比第二强磁性层大、且能利用外部磁场进行磁化方向反转的第三强磁性层；以及设置在第二强磁性层和第三强磁性层之间、将第三强磁性层的磁化的反转传递给第二强磁性层的中间层。
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公开(公告)号：CN100350498C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN03155426.1
申请日：2003-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/16 , Y10T428/24917
Abstract: 提供一种磁电阻效应元件和磁存储器，具有热稳定的磁性结构、同时能降低写入信息时所必要的切换磁场。该磁电阻效应元件包括：磁化方向被固定的第一基准层；以及磁化方向随着外部磁场的变化而变化的存储层，该存储层有易磁化轴方向比难磁化轴方向长的本体部、和沿该本体部的中央部的难磁化轴方向设置的突出部。
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公开(公告)号：CN1489152A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03155426.1
申请日：2003-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/16 , Y10T428/24917
Abstract: 提供一种磁电阻效应元件和磁存储器，具有热稳定的磁性结构、同时能降低写入信息时所必要的切换磁场。该磁电阻效应元件包括：磁化方向被固定的第一基准层；以及磁化方向随着外部磁场的变化而变化的存储层，该存储层有易磁化轴方向比难磁化轴方向长的本体部、和沿该本体部的中央部的难磁化轴方向设置的突出部。
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公开(公告)号：CN1433021A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03102768.7
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。
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