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公开(公告)号：CN105989856A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510090534.2
申请日：2015-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/235 , G11B5/3146 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明的实施方式得到记录特性良好的高频辅助磁头及磁记录再现装置。实施方式涉及的高频辅助磁头具有旋转扭矩振荡元件，该旋转扭矩振荡元件包含直接形成于主磁极上的、含有从W、Mo、Re、Os及Ir选择的元素的非磁性的分离种子层/SIL/IL/FGL。
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公开(公告)号：CN101499515A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910004000.8
申请日：2009-02-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/04 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供可实现更大MR变化率的磁阻效应元件。一种磁阻效应元件，其特征在于，具有磁阻效应膜和用于使电流沿与上述磁阻效应膜的膜面垂直的方向流过的一对电极，所述磁阻效应膜含有磁化方向实质上固定在单向上的磁化固定层、磁化方向根据外部磁场而变化的磁化自由层、在上述磁化固定层与上述磁化自由层之间设置的中间层、在上述磁化固定层或者磁化自由层上设置的盖层，和在上述磁化固定层中、上述磁化自由层中、上述磁化固定层与上述中间层的界面、上述中间层与上述磁化自由层的界面、以及上述磁化固定层或者磁化自由层与上述盖层的界面的任一者上设置的功能层，上述功能层含有包含Fe含量大于等于5原子％的金属材料和氮的层。
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公开(公告)号：CN101373597A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810210004.7
申请日：2008-08-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/17 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/3133 , G11B5/3146 , G11B2005/0002 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明公开了一种磁记录头，其包括主磁极、层叠体和一对电极。所述层叠体第一磁层、第二磁层和中间层，该第一磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力，该第二磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力，并且该中间层设置在所述第一磁层和第二磁层之间。所述一对电极可操作地使电流通过所述层叠体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105321530A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410586497.X
申请日：2014-10-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/35 , G11B5/1278 , G11B5/23 , G11B5/235 , G11B5/3133 , G11B5/3146 , G11B5/3912 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明提供高频的振荡效率提高、能够进行稳定的高频辅助记录的高频辅助记录头以及具备该高频辅助记录头的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置的高频辅助记录头具备：主磁极(66)，其施加记录磁场；写屏蔽磁极(68)，其隔着写间隙而与主磁极相对；自旋转矩振荡元件(74)，其在主磁极与写屏蔽磁极之间设置在介质相对面的附近，产生高频磁场；反强磁性层(80)，其与写屏蔽磁极接触地设置在自旋转矩振荡元件与写屏蔽磁极之间；和非磁性金属层(82)，其设置在自旋转矩振荡元件与反强磁性层之间。
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公开(公告)号：CN104424958A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310661321.1
申请日：2013-12-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/3133 , G11B5/235 , G11B5/3106 , G11B5/3136 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明可获得即使在操作中的温度高的环境下，也可以使高频振荡元件的温度保持低且振荡无劣化的高频辅助磁记录头。实施例的磁记录头在振荡层叠体和主磁极间设置冷却发热材料，冷却发热材料包含从该振荡层叠体按顺序层叠的：具有与振荡层叠体的截面积相同截面积的第1热电材料层；具有与振荡层叠体的截面积相同截面积的第1金属材料层；具有与主磁极相同截面积的第2金属材料层；及具有与主磁极相同截面积的第2热电材料层。
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公开(公告)号：CN101373597B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810210004.7
申请日：2008-08-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/17 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/3133 , G11B5/3146 , G11B2005/0002 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明公开了一种磁记录头，其包括主磁极、层叠体和一对电极。所述层叠体第一磁层、第二磁层和中间层，该第一磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力，该第二磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力，并且该中间层设置在所述第一磁层和第二磁层之间。所述一对电极可操作地使电流通过所述层叠体。
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公开(公告)号：CN106067306A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510450671.2
申请日：2015-07-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/235 , G11B5/3146 , G11B5/315 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明的实施方式可获得可以使向振荡层的旋转注入效率上升、产生更强的高频磁场的高频辅助磁记录头。在实施方式所涉及的高频辅助磁记录头中，在与振荡层相比靠磁道宽度方向的外侧的区域或者振荡层的相对于上浮面垂直的深度方向的外侧的区域，还形成旋转注入层，从而将旋转注入层与振荡层之间的区域设得宽阔，并在该区域内形成中间层，由此可以增大中间层与振荡层接触的面积。
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公开(公告)号：CN101499514A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910003801.2
申请日：2009-02-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种可实现更大MR变化率的磁阻效应元件，该磁阻效应元件，其特征在于，具有：磁阻效应膜；以及用于使电流在上述磁阻效应膜的膜面上垂直流通的一对电极，该磁阻效应膜，含有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层；磁化方向对应于外部磁场而变化的磁化自由层；设置在上述磁化固定层和上述磁化自由层之间的中间层；设置在上述磁化固定层或上述磁化自由层上面的盖层；以及设于上述磁化固定层中、上述磁化自由层中、上述磁化固定层和上述磁化自由层的界面、上述中间层和上述磁化自由层的界面、以及上述磁化固定层或磁化自由层与上述盖层的界面的任何一个、并由含有氧或氮的材料形成的功能层，上述功能层的结晶取向面与其上或其下邻接的层的结晶取向面不同。
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