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公开(公告)号：CN113437173A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010944838.1
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第三半导体区域设置于第二半导体区域之上。结构体在与第一方向垂直的第一面中设置于元件的周围。结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。含金属部设置于比第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。第二绝缘部在所述第一面中位于含金属部与元件之间。第一绝缘部的厚度大于所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。
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公开(公告)号：CN104935790A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510108729.5
申请日：2015-03-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G02B13/0015 , G01S7/4813 , G02B3/0056 , H04N5/2254 , H04N13/218 , H04N13/254 , H04N13/271
Abstract: 本申请公开了成像系统。根据一个实施例，成像系统包括图像传感器、成像透镜、微透镜阵列、辐射器、距离信息获取单元、以及控制器。微透镜阵列包括以预定节距布置的多个微透镜，这些微透镜分别关联于像素块。辐射器发射光以将图案投影到物体上。距离信息获取单元基于源自由图像传感器执行的光电转换的信号而获取与深度方向上至物体的距离有关的信息。控制器控制辐射器，以使包含在由物体反射的并由成像透镜和微透镜在图像传感器上缩小的图案中所包含的图像小于由每个微透镜各自形成在图像传感器上的图像的布置节距并大于像素的两倍。
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公开(公告)号：CN112447774B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202010160103.X
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/144 , G01S17/894 , G01S17/931 , G01S7/4861 , G01S7/4913 , G01S7/481
Abstract: 提供能够提高性能的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括导电层、第1元件、第2元件、导电性的第1构件、第1绝缘部及第2绝缘部。导电层包括第1导电部分及第2导电部分。第1构件设置于第1元件与第2元件之间。第1构件与导电层电连接。第1绝缘部设置于第1元件与第1构件之间。第2绝缘部设置于第2元件与第1构件之间。
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公开(公告)号：CN104517986A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410589069.2
申请日：2014-09-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/148 , H01L21/78
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14685
Abstract: 一种固体摄像装置及其制造方法，该固体摄像装置包括：具有主面的摄像基板部，该主面包括具有多个像素的第1区域与具有多个像素的第2区域；透镜部，在与主面相垂直的第1方向，与主面分开，该透镜部包括第1透镜和第2透镜，该第1透镜在投影于主面上时，与第1区域的多个像素重合，该第2透镜在投影于主面上时，与第2区域的多个像素重合；以及滤色器部，设置于摄像基板部和透镜部之间，与摄像基板部分开，该滤色器部包括第1滤色器和第2滤色器，该第1滤色器设置于第1区域和第1透镜之间，具有第1色，该第2滤色器设置于第2区域和第2透镜之间，具有不同于第1色的第2色。
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公开(公告)号：CN104460219A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410403931.6
申请日：2014-08-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03B35/10
CPC classification number: H04N13/271 , G01S5/00 , G01S11/12 , G02B3/0037 , G02B27/0075 , G06T7/557 , G06T7/593 , G06T2207/10016 , H04N5/2251 , H04N13/239 , H04N2013/0081 , G03B35/10
Abstract: 根据一个实施例，固态成像设备包括第一成像设备、第二成像设备、以及计算单元。该第一成像设备包括第一光学系统、第一成像单元、以及在该第一光学系统和第一成像单元之间提供的第二光学系统。该第二成像设备包括第三光学系统、第二成像单元，以及在该第三光学系统和第二成像单元之间提供的第四光学系统。该计算单元被配置为执行第一计算以及第二计算。该第一计算包括从立体差异推导出第一距离。该第二计算包括从视差图像推导出第二距离。该计算单元被配置为基于从该第一距离和第二距离中选择出的至少一个估算目标距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101391742A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810149077.X
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01C19/5719 , B81C1/00238 , B81C2203/0109 , B81C2203/019
Abstract: 本发明的半导体装置包括：第一芯片(20)，其内部包含具有悬空支承结构的MEMS器件(24)，顶面具有与MEMS器件电连接的第一焊垫(27)和第一接合区域(28)；第二芯片(10)，其内部包含与MEMS器件电连接的半导体器件(14)，顶面具有与半导体器件电连接的第二焊垫(17)和第二接合区域(18)，该第二芯片(10)与第一芯片相对配置，并使得第二焊垫和第二接合区域分别与第一焊垫和第一接合区域相对；对第一焊垫和第二焊垫进行电连接的电连接部；以及设置于第一接合区域和与该第一接合区域相对的第二接合区域之间，将第一芯片和第二芯片相接合的接合部(38)。本发明能够尽可能抑制安装体积的增大，并能尽可能抑制性能的降低。
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公开(公告)号：CN112614899A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202010160592.9
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/02 , H01L23/64 , H01L23/62 , H01L25/16 , H01L31/107 , G01S17/08 , G01S17/894 , G01S7/486 , G01S7/4912
Abstract: 提供能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及淬灭电阻。所述元件包括光电二极管。所述淬灭电阻与所述元件电连接，并且包括元件、半导体构件及互相分离地设置且与所述半导体构件电连接的多个第1金属构件。根据上述构成的光检测器，能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性。
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公开(公告)号：CN104935793A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510121661.4
申请日：2015-03-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G02B5/201 , G02B3/0068 , H04N5/2254 , H04N5/332 , H04N9/045 , H04N13/232 , H04N13/257 , H04N2013/0081
Abstract: 本申请公开了一种配有滤光器阵列的微透镜和固态成像设备。根据一实施例，配有滤色器阵列的微透镜包括滤色器阵列和微透镜阵列。滤光器阵列包括用于选择性透射红外区的光的多个第一滤光器、以及选择性透射第一可见波长区的光的多个第二滤光器。微透镜阵列包括多个微透镜，每个微透镜对应于第一滤光器和第二滤光器中的任一个。
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公开(公告)号：CN104459955A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410428742.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02B13/18
CPC classification number: H01L27/14627 , G02B3/0056 , G02B13/0035 , G02B15/173 , H04N5/2254 , H04N5/2257
Abstract: 本发明提供了成像透镜和固态成像设备。根据一个实施例，成像透镜包括第一光学系统和微透镜阵列。该第一光学系统包括光轴。该微透镜阵列设置在该第一光学系统和成像元件之间。微透镜阵列包括设置在第一平面内的微透镜单元。成像元件包括像素组。每一个像素组包括像素。当投影到第一平面上时，微透镜单元分别覆盖像素组。该第一光学系统包括孔径光阑、以及第一、第二、和第三透镜。该第一透镜设置在孔径光阑和微透镜阵列之间，且具有正折射率。该第二透镜设置在第一透镜和微透镜阵列之间，且具有负折射率。该第三透镜设置在第二透镜和微透镜阵列之间，且具有正折射率。
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公开(公告)号：CN113437173B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202010944838.1
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第三半导体区域设置于第二半导体区域之上。结构体在与第一方向垂直的第一面中设置于元件的周围。结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。含金属部设置于比第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。第二绝缘部在所述第一面中位于含金属部与元件之间。第一绝缘部的厚度大于所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。
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