半导体装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105448941A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201510530580.X

    申请日:2015-08-26

    Abstract: 本发明实施方式的半导体装置具有多个像素。所述多个像素分别包括光电转换部、第一杂质扩散区、电压供给线、第二杂质扩散区、电位障壁部和检测部。第一杂质扩散区对由所述光电转换部光电转换出的电荷进行保持。第二杂质扩散区与所述电压供给线相连接。电位障壁部在所述第一杂质扩散区与所述第二杂质扩散区之间形成恒定的电位障壁,限制电荷在所述第一杂质扩散区与所述第二杂质扩散区之间移动。检测部检测所述第一杂质扩散区所保持的电荷。

    固体摄像装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN104517986A

    公开(公告)日:2015-04-15

    申请号:CN201410589069.2

    申请日:2014-09-12

    Abstract: 一种固体摄像装置及其制造方法,该固体摄像装置包括:具有主面的摄像基板部,该主面包括具有多个像素的第1区域与具有多个像素的第2区域;透镜部,在与主面相垂直的第1方向,与主面分开,该透镜部包括第1透镜和第2透镜,该第1透镜在投影于主面上时,与第1区域的多个像素重合,该第2透镜在投影于主面上时,与第2区域的多个像素重合;以及滤色器部,设置于摄像基板部和透镜部之间,与摄像基板部分开,该滤色器部包括第1滤色器和第2滤色器,该第1滤色器设置于第1区域和第1透镜之间,具有第1色,该第2滤色器设置于第2区域和第2透镜之间,具有不同于第1色的第2色。

    半导体装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101391742A

    公开(公告)日:2009-03-25

    申请号:CN200810149077.X

    申请日:2008-09-22

    Abstract: 本发明的半导体装置包括:第一芯片(20),其内部包含具有悬空支承结构的MEMS器件(24),顶面具有与MEMS器件电连接的第一焊垫(27)和第一接合区域(28);第二芯片(10),其内部包含与MEMS器件电连接的半导体器件(14),顶面具有与半导体器件电连接的第二焊垫(17)和第二接合区域(18),该第二芯片(10)与第一芯片相对配置,并使得第二焊垫和第二接合区域分别与第一焊垫和第一接合区域相对;对第一焊垫和第二焊垫进行电连接的电连接部;以及设置于第一接合区域和与该第一接合区域相对的第二接合区域之间,将第一芯片和第二芯片相接合的接合部(38)。本发明能够尽可能抑制安装体积的增大,并能尽可能抑制性能的降低。

    成像透镜和固态成像设备

    公开(公告)号:CN104459955A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410428742.4

    申请日:2014-08-27

    Abstract: 本发明提供了成像透镜和固态成像设备。根据一个实施例,成像透镜包括第一光学系统和微透镜阵列。该第一光学系统包括光轴。该微透镜阵列设置在该第一光学系统和成像元件之间。微透镜阵列包括设置在第一平面内的微透镜单元。成像元件包括像素组。每一个像素组包括像素。当投影到第一平面上时,微透镜单元分别覆盖像素组。该第一光学系统包括孔径光阑、以及第一、第二、和第三透镜。该第一透镜设置在孔径光阑和微透镜阵列之间,且具有正折射率。该第二透镜设置在第一透镜和微透镜阵列之间,且具有负折射率。该第三透镜设置在第二透镜和微透镜阵列之间,且具有正折射率。

    信号处理设备与信号处理方法

    公开(公告)号:CN104434161A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410465791.5

    申请日:2014-09-12

    CPC classification number: H04N5/32 H03M1/145 H03M1/46 H03M1/60 H04N5/378

    Abstract: 本发明公开了信号处理设备与信号处理方法。根据一实施例,信号处理设备包括积分器、第一模拟数字转换器、和直方图创建器。积分器配置为对与电磁波对应的电荷进行积分。第一模拟数字转换器配置为,与由积分器执行的积分操作并行地,执行模拟数字转换操作,该模拟数字转换操作使用来自积分器的积分输出来生成电荷的数字数据。直方图创建器配置为根据由第一模拟数字转换器生成的数字数据来创建表示电磁波的能量分布的直方图。

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