Invention Publication
- Patent Title: 半导体装置及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and manufacturing method thereof
-
Application No.: CN200710091312.8Application Date: 2007-03-29
-
Publication No.: CN101047170APublication Date: 2007-10-03
- Inventor: 小野冢丰 , 山田浩 , 舟木英之 , 板谷和彦
- Applicant: 株式会社东芝
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 杨晓光; 李峥
- Priority: 091242/2006 2006.03.29 JP
- Main IPC: H01L25/00
- IPC: H01L25/00 ; H01L27/02 ; H01L21/50 ; H01L21/98 ; H01L21/82
Abstract:
即使装置包含MEMS器件和半导体器件，也可以获得高度集成的薄装置。一种半导体装置包括：被接合芯片，其包括：第一芯片，包括形成于其中的MEMS器件；第二芯片，包括形成于其中的半导体器件；以及粘合层，将所述第一芯片的侧面接合到所述第二芯片的侧面，并具有低于所述第一和第二芯片的材料的杨式模量。
Public/Granted literature
- CN100593853C 半导体装置及其制造方法 Public/Granted day:2010-03-10
Information query
IPC分类:
