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公开(公告)号：CN101047170A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091312.8
申请日：2007-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/0023 , B81C1/00246 , B81C2201/019 , B81C2203/0771 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1461 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 即使装置包含MEMS器件和半导体器件，也可以获得高度集成的薄装置。一种半导体装置包括：被接合芯片，其包括：第一芯片，包括形成于其中的MEMS器件；第二芯片，包括形成于其中的半导体器件；以及粘合层，将所述第一芯片的侧面接合到所述第二芯片的侧面，并具有低于所述第一和第二芯片的材料的杨式模量。
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公开(公告)号：CN101510543B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910007167.X
申请日：2009-02-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/00 , H01L23/498 , B81B7/02
Abstract: 本发明涉及一种集成半导体器件，其包括：多个半导体元件，具有不同的集成元件电路或不同的尺寸；绝缘材料，设置在所述半导体元件之间；有机绝缘膜，完全设置在所述半导体元件和所述绝缘材料上；细薄层布线，设置在所述有机绝缘膜上，且连接所述半导体元件；第一输入/输出电极，设置在所述绝缘材料的区域上；以及第一凸起电极，形成在所述第一输入/输出电极上。
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公开(公告)号：CN1591920A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074977.4
申请日：2004-09-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K1/0274 , G02B6/43 , H01L25/167 , H01L33/486 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/423 , H05K1/181 , H05K3/4602 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 提供一种光半导体装置及光信号输入输出装置。该光半导体装置(1)具有以下部分：至少一个光半导体元件(2，4)；至少一个半导体集成电路元件(3)；以及电路布线基板(10)。电路布线基板(10)至少有一个光输入输出用贯通孔(7)、以及电气连接用贯通孔(6s)。上述光半导体元件(2)通过上述光输入输出用贯通孔(7)，在上述第二面一侧进行光的输入输出。上述半导体集成电路元件(3)通过上述电气连接用贯通孔(6s)内埋设的布线层(6As)，与上述电极(5s)电气导通。将上述光输入输出用贯通孔(7)设在上述电路布线基板(10)中的非应力区域上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104010433B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410067244.1
申请日：2014-02-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H05K1/02
CPC classification number: H01P1/212 , H01P1/2005 , H05K1/0236 , H05K1/0298
Abstract: 实施方式涉及电子电路及电子设备，该电子电路具备电源线，该电源线设有第一EBG图案，该第一EBG图案具有第一线状部，该第一线状部沿电源线的伸长方向伸长，一个端部以外的周围被第一狭缝部包围。
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公开(公告)号：CN101510543A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910007167.X
申请日：2009-02-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/00 , H01L23/498 , B81B7/02
Abstract: 本发明涉及一种集成半导体器件，其包括：多个半导体元件，具有不同的集成元件电路或不同的尺寸；绝缘材料，设置在所述半导体元件之间；有机绝缘膜，完全设置在所述半导体元件和所述绝缘材料上；细薄层布线，设置在所述有机绝缘膜上，且连接所述半导体元件；第一输入/输出电极，设置在所述绝缘材料的区域上；以及第一凸起电极，形成在所述第一输入/输出电极上。
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公开(公告)号：CN100438089C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410074977.4
申请日：2004-09-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K1/0274 , G02B6/43 , H01L25/167 , H01L33/486 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/423 , H05K1/181 , H05K3/4602 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置及光信号输入输出装置。该光半导体装置(1)具有以下部分：至少一个光半导体元件(2，4)；至少一个半导体集成电路元件(3)；以及电路布线基板(10)。电路布线基板(10)至少有一个光输入输出用贯通孔(7)、以及电气连接用贯通孔(6s)。上述光半导体元件(2)通过上述光输入输出用贯通孔(7)，在上述第二面一侧进行光的输入输出。上述半导体集成电路元件(3)通过上述电气连接用贯通孔(6s)内埋设的布线层(6As)，与上述电极(5s)电气导通。将上述光输入输出用贯通孔(7)设在上述电路布线基板(10)中的非应力区域上。
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公开(公告)号：CN104010433A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410067244.1
申请日：2014-02-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H05K1/02
CPC classification number: H01P1/212 , H01P1/2005 , H05K1/0236 , H05K1/0298
Abstract: 实施方式涉及电子电路及电子设备，该电子电路具备电源线，该电源线设有第一EBG图案，该第一EBG图案具有第一线状部，该第一线状部沿电源线的伸长方向伸长，一个端部以外的周围被第一狭缝部包围。
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公开(公告)号：CN100593853C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200710091312.8
申请日：2007-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/0023 , B81C1/00246 , B81C2201/019 , B81C2203/0771 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1461 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 即使装置包含MEMS器件和半导体器件，也可以获得高度集成的薄装置。一种半导体装置包括：被接合芯片，其包括：第一芯片，包括形成于其中的MEMS器件；第二芯片，包括形成于其中的半导体器件；以及粘合层，将所述第一芯片的侧面接合到所述第二芯片的侧面，并具有低于所述第一和第二芯片的材料的杨式模量。
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