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公开(公告)号：CN106206627A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510507361.X
申请日：2015-08-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请公开了一种图像感测设备和固态图像感测装置。根据某些实施例，图像感测设备具有存储电极、第二绝缘层、集电极、半导体层、光电转换层和上电极。存储电极被设置在第一绝缘层之上。第二绝缘层被设置在存储电极之上。集电极被设置在第一绝缘层之上并且通过半导体层与存储电极分开。半导体层被设置在存储电极、第二绝缘层和集电极之上并覆盖它们。光电转换层被设置在半导体层之上。上电极被设置在光电转换层之上。
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公开(公告)号：CN103033866A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210216133.3
申请日：2012-06-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02B5/28 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/201 , G02B5/286 , G02B5/288 , G02F2001/133521
Abstract: 本发明公开了干涉滤波器和显示设备。根据一个实施例，干涉滤波器包括基体、下部半透明层、以及上部半透明层。基体包括主表面。下侧半透射层设置在主表面上。上侧半透射层设置在下侧半透射层上。基体、下侧和上侧半透射层形成第一区域以选择性透射蓝光、形成第二区域以选择性透射绿光、并且形成第三区域以选择性透射红光，这些区域被配置在与主表面平行的平面中。第二区域中的下侧半透射层和上侧半透射层之间的距离短于第一区域中的下侧半透射层和上侧半透射层之间的距离，也短于第三区域中下侧半透射层和上侧半透射层之间的距离。
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公开(公告)号：CN101047226A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091368.3
申请日：2007-03-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/032 , H01G5/18 , H01H57/00 , H01H2057/006 , H01L41/094
Abstract: 一种MEMS器件包括：具有第一固定端的第一致动器，其包括第一下电极、第一压电膜、以及第一上电极的层叠结构，并且可通过在第一下电极和第一上电极上施加电压而工作；具有第二固定端的第二致动器，其与第一致动器平行设置，并且包括第二下电极、第二压电膜、以及第二上电极的层叠结构，并且可通过在第二下电极和第二上电极上施加电压而工作；以及电路元件，其具有连接到第一致动器的第一作用部分和连接到第二致动器的第二作用部分。
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公开(公告)号：CN105448941A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510530580.X
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施方式的半导体装置具有多个像素。所述多个像素分别包括光电转换部、第一杂质扩散区、电压供给线、第二杂质扩散区、电位障壁部和检测部。第一杂质扩散区对由所述光电转换部光电转换出的电荷进行保持。第二杂质扩散区与所述电压供给线相连接。电位障壁部在所述第一杂质扩散区与所述第二杂质扩散区之间形成恒定的电位障壁，限制电荷在所述第一杂质扩散区与所述第二杂质扩散区之间移动。检测部检测所述第一杂质扩散区所保持的电荷。
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公开(公告)号：CN102656492B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201080055911.4
申请日：2010-01-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02B5/28 , G02B5/20 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/28 , G02B5/201 , G02F1/133514 , G02F2001/133519 , G02F2001/133521
Abstract: 本发明的目的在于获得能用较少的工序数来形成、且光利用效率较高的带干涉型滤光片层的基板、以及使用该基板的显示装置。该带干涉型滤光片层的基板包括：平板状的基板；以及滤光片层，该滤光片层包括第一反射层、透射层、以及第二反射层，其中，所述第一反射层设置于基板上，并具有光半透射性，所述透射层由设置于所述第一反射层上的具有光透射性的第一间隔层、及设置于第一反射层上的一部分上的具有光透射性的第二间隔层和第三间隔层所形成，并具有第一区域、第二区域、及第三区域，所述第一区域、第二区域、及第三区域共同具有第一间隔层，且它们的光学膜厚因第二间隔层和第三间隔层而各不相同，所述第二反射层设置于所述透射层上，并具有光半透射性，并且，所述滤光片层使得在第一区域至第三区域中透过不同波长的光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102890359B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210189400.2
申请日：2012-06-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1339 , G02F1/1333 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133509 , G02F1/133514 , G02F1/133553 , G02F1/1368 , G02F2001/133337 , G02F2001/133521 , G02F2001/136222
Abstract: 本发明的显示装置根据一个实施例，包括主基板、和光控制层。主基板包括具有主表面的主基底、设置在主表面上的波长选择透过层、和设置在波长选择透过层上的电路层。光控制层与主基板层叠且具有可变的光学特性。波长选择透过层包括下侧反射层和上侧反射层、以及第一间隔物层和第二间隔物层。上侧反射层设置在下侧反射层上。第一间隔物层设置在下侧反射层和上侧反射层之间。第二间隔物层设置在下侧反射层和上侧反射层之间，且具有与第一间隔物层不同的厚度。电路层包括第一像素电极和第二像素电极，以及第一开关元件和第二开关元件。
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公开(公告)号：CN104280807A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410598146.0
申请日：2010-01-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02B5/28 , G02B5/20 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/285 , G02F1/133514 , G02F1/133516 , G02F2001/133521
Abstract: 本发明的目的在于获得能用较少的工序数来形成、且光利用效率较高的带干涉型滤光片层的基板、以及使用该基板的显示装置。该带干涉型滤光片层的基板包括：平板状的基板；以及滤光片层，该滤光片层包括第一反射层、透射层、以及第二反射层，其中，所述第一反射层设置于基板上，并具有光半透射性，所述透射层由设置于所述第一反射层上的具有光透射性的第一间隔层、及设置于第一反射层上的一部分上的具有光透射性的第二间隔层和第三间隔层所形成，并具有第一区域、第二区域、及第三区域，所述第一区域、第二区域、及第三区域共同具有第一间隔层，且它们的光学膜厚因第二间隔层和第三间隔层而各不相同，所述第二反射层设置于所述透射层上，并具有光半透射性，并且，所述滤光片层使得在第一区域至第三区域中透过不同波长的光。
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公开(公告)号：CN100544049C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710091368.3
申请日：2007-03-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/032 , H01G5/18 , H01H57/00 , H01H2057/006 , H01L41/094
Abstract: 一种MEMS器件包括：具有第一固定端的第一致动器，其包括第一下电极、第一压电膜、以及第一上电极的层叠结构，并且可通过在第一下电极和第一上电极上施加电压而工作；具有第二固定端的第二致动器，其与第一致动器平行设置，并且包括第二下电极、第二压电膜、以及第二上电极的层叠结构，并且可通过在第二下电极和第二上电极上施加电压而工作；以及电路元件，其具有连接到第一致动器的第一作用部分和连接到第二致动器的第二作用部分。
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公开(公告)号：CN105448940A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510507277.8
申请日：2015-08-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本申请公开了一种图像感测设备和固态图像感测装置。根据某些实施例，图像感测设备具有集电极、第二绝缘层、存储电极、第三绝缘层、半导体层、光电转换层和上电极。第二绝缘层被设置在集电极之上。第二绝缘层具有第一开口。存储电极被设置在第二绝缘层之上。存储电极具有与第一开口重叠的第二开口。第三绝缘层覆盖存储电极。第三绝缘层具有与第二开口重叠的第三开口。半导体层覆盖第二绝缘层和第三绝缘层。半导体层被埋入第一开口、第二开口和第三开口中。光电转换层被设置在半导体层之上。上电极被设置在光电转换层之上。
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公开(公告)号：CN105407302A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510449864.6
申请日：2015-07-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 摄像装置包括半导体衬底、光电转换膜、第一晶体管、第一电容器、第二电容器、初始化电路部和控制部。光电转换膜层叠在半导体衬底上。第一晶体管的栅极与光电转换膜电连接。第一电容器与第一晶体管的漏极电连接。第二电容器与第一晶体管的源极电连接。初始化电路部将第一电容器的第一电荷量和第二电容器的第二电荷量分别初始化，使第一电容器的第一电荷量和第二电容器的第二电荷量的总量恒定，使第二电容器的第二电荷量达到规定量。控制部在由初始化电路部进行初始化后，按照第二电荷的量使第一电荷通过第一晶体管从第二电容器向第一电容器移动。信号处理部根据第一电容器的电压生成基于由光电转换膜产生的第二电荷的量的信号分量。
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