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公开(公告)号：CN101126901A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710128050.8
申请日：2007-06-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/3086 , B82Y10/00 , Y10S438/942
Abstract: 提供一种图案形成方法，其中包括下列步骤：将包括嵌段共聚物、硅化合物、以及用于溶解上述组分的溶剂的组合物涂布到对象上，以便在该对象上形成一层该组合物；使该层组合物进行嵌段共聚物的自组织，以使相分离成其中定位有通过热处理或/和氧等离子体处理而具有较高抗刻蚀性能的硅化合物的第一相和包含通过热处理或/和氧等离子体处理而具有较低的抗刻蚀性能的聚合物相的第二相，从而形成具有精细图案的图案层；以及用这样形成的图案层作为掩模刻蚀该对象。
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公开(公告)号：CN101399050B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810215456.4
申请日：2008-08-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其包括在基材(11)上形成至少包含PS和PEO的二嵌段共聚物组合物的层(12)，使所述层经受相分离以获得相分离的层(13)，由此形成由PS构成并且具有沿第一方向延展的圆柱体或层状构型的易蚀刻区域(14)，在所述相分离的层上形成压印抗蚀剂层(16)，对所述压印抗蚀剂层进行压印，以在所述压印抗蚀剂层上形成沿与所述第一方向交叉的第二方向延展的由凸起(19)和凹陷(18)构成的不规则图案，从所述压印抗蚀剂层选择性地除去所述凹陷，由此仅剩下所述凸起，并且同时选择性地从所述相分离的层除去PS以获得包含PEO的耐蚀刻的图案，以及不仅使用所述凸起而且使用所述耐蚀刻的图案作为掩模来蚀刻所述基材。
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公开(公告)号：CN1937039A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610153898.1
申请日：2006-09-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/8408 , G11B5/72
Abstract: 一种磁记录介质(8)，包括在其表面上形成有多个突起(7)的保护层(3)。这些突起(7)通过在保护层上形成蚀刻掩模、然后执行干蚀刻来形成，其中蚀刻掩模包括掩模衬层和掩模图形层，所述掩模图形层具有岛状结构。
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公开(公告)号：CN100433133C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610153898.1
申请日：2006-09-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/8408 , G11B5/72
Abstract: 一种磁记录介质(8)，包括在其表面上形成有多个突起(7)的保护层(3)。这些突起(7)通过在保护层上形成蚀刻掩模、然后执行干蚀刻来形成，其中蚀刻掩模包括掩模衬层和掩模图形层，所述掩模图形层具有岛状结构，且所述掩模图形层通过利用对所述掩模衬层表面的亲和力较低的材料来形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1627372A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410103870.8
申请日：2004-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/74 , G11B5/743 , G11B5/855 , G11B2005/001 , Y10T428/256 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种磁记录介质及其制造方法，可以进行高密度记录且耐久性优异。该磁记录介质，其特征在于包括：在非磁性基片上形成的软磁性层上分离排列的多个铁磁性体点；以及形成在各个铁磁性体点上的碳层，该碳层在通过铁磁性体点中心的截面上的膜面形状是平滑的，且具有从所述铁磁性体点的中心向外缘逐渐减小的膜厚。
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公开(公告)号：CN101399050A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810215456.4
申请日：2008-08-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其包括在基材(11)上形成至少包含PS和PEO的二嵌段共聚物组合物的层(12)，使所述层经受相分离以获得相分离的层(13)，由此形成由PS构成并且具有沿第一方向延展的圆柱体或层状构型的易蚀刻区域(14)，在所述相分离的层上形成压印抗蚀剂层(16)，对所述压印抗蚀剂层进行压印，以在所述压印抗蚀剂层上形成沿与所述第一方向交叉的第二方向延展的由凸起(19)和凹陷(18)构成的不规则图案，从所述压印抗蚀剂层选择性地除去所述凹陷，由此仅剩下所述凸起，并且同时选择性地从所述相分离的层除去PS以获得包含PEO的耐蚀刻的图案，以及不仅使用所述凸起而且使用所述耐蚀刻的图案作为掩模来蚀刻所述基材。
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公开(公告)号：CN1326121C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410103870.8
申请日：2004-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/74 , G11B5/743 , G11B5/855 , G11B2005/001 , Y10T428/256 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种磁记录介质及其制造方法，可以进行高密度记录且耐久性优异。该磁记录介质，其特征在于包括：在非磁性基片上形成的软磁性层上分离排列的多个铁磁性体点；以及形成在各个铁磁性体点上的碳层，该碳层在通过铁磁性体点中心的截面上的膜面形状是平滑的，且具有从所述铁磁性体点的中心向外缘逐渐减小的膜厚。
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公开(公告)号：CN1193364C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN00135309.8
申请日：2000-09-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B9/08
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/1409 , G11B13/06
Abstract: 本发明提供了一种具有多个电荷积聚区和光电导区的记录介质，其中的每个电荷积聚区含能够积聚电荷的第一种材料，其中的光电导区含由于吸收光而使导电率增加的第二种材料。提供了一种包括这种记录介质的记录装置以及在这种记录介质上记录信息的记录方法。在本发明中，通过用光辐照光电导区，并且通过有光辐照光的电导区的那部分将电荷注入所述电荷积聚区，而将信息记录在所述记录介质上。
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公开(公告)号：CN1308327A
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN00135309.8
申请日：2000-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/1409 , G11B13/06
Abstract: 本发明提供了一种具有多个电荷积聚区和光电导区的记录介质,其中的每个电荷积聚区含能够积聚电荷的第一种材料,其中的光电导区含由于吸收光而使导电率增加的第二种材料。提供了一种包括这种记录介质的记录装置以及在这种记录介质上记录信息的记录方法。在本发明中,通过用光辐照光电导区,并且通过有光辐照光的电导区的那部分将电荷注入所述电荷积聚区,而将信息记录在所述记录介质上。
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