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公开(公告)号:CN100338651C
公开(公告)日:2007-09-19
申请号:CN200510087683.X
申请日:2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3106 , G11B5/255 , G11B5/3163
Abstract: 一种在磁性记录介质附近使用的磁头,其特征在于该磁头包括:基片(4);紧密接触层(3),叠放在基片上;以及保护层,叠放在紧密接触层之上并且面对磁性记录介质,其中,保护层包括:利用过滤阴极真空电弧(FCVA)工艺在第一偏压下在紧密接触层上叠放叠层材料形成的第一层(2);以及利用FCVA工艺在比第一偏压高的第二偏压下在第一层上叠放叠层材料形成的第二层(1)。
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公开(公告)号:CN1744199A
公开(公告)日:2006-03-08
申请号:CN200510087683.X
申请日:2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3106 , G11B5/255 , G11B5/3163
Abstract: 一种在磁性记录介质附近使用的磁头,其特征在于该磁头包括:基片(4);紧密接触层(3),叠放在基片上;以及保护层,叠放在紧密接触层之上并且面对磁性记录介质,其中,保护层包括:利用过滤阴极真空电弧(FCVA)工艺在第一偏压下在紧密接触层上叠放叠层材料形成的第一层(2);以及利用FCVA工艺在比第一偏压高的第二偏压下在第一层上叠放叠层材料形成的第二层(1)。
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公开(公告)号:CN101114466A
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200710139708.5
申请日:2007-07-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/855 , Y10T428/11
Abstract: 根据一个实施例,提供一种制造磁记录介质的方法,该方法包括在基底(11)上沉积磁性层(13),并处理所述磁性层(13)以形成凸起的磁图形(13),在所述磁图形(13)之间的凹陷处和在所述磁图形(13)之上沉积平坦化层(16),以及在所述平坦化层(16)的表面上形成台阶。
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公开(公告)号:CN1937039A
公开(公告)日:2007-03-28
申请号:CN200610153898.1
申请日:2006-09-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/8408 , G11B5/72
Abstract: 一种磁记录介质(8),包括在其表面上形成有多个突起(7)的保护层(3)。这些突起(7)通过在保护层上形成蚀刻掩模、然后执行干蚀刻来形成,其中蚀刻掩模包括掩模衬层和掩模图形层,所述掩模图形层具有岛状结构。
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公开(公告)号:CN115394325A
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202210044237.4
申请日:2022-01-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明涉及磁记录再现装置及其制造方法。实施方式的目的在于通过在壳体内装入不可逆性吸附构件来吸附磁记录再现装置内的污染气体。本实施方式的磁记录再现装置及其制造方法在磁记录再现装置用的被密封了的壳体内具备不可逆性吸附构件。
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公开(公告)号:CN113948110A
公开(公告)日:2022-01-18
申请号:CN202011589062.2
申请日:2020-12-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 园田幸司
Abstract: 实施方式提供对由尘埃导致的故障进行抑制而提高了可靠性的盘装置。实施方式的盘装置具备:壳体(10);多片磁盘(18),其以能够自由旋转的方式设置在壳体内;磁头(17),其对磁盘进行信息处理;头致动器(22),其设置在壳体内,对磁头以能够使其移动的方式进行支承;以及捕获部件(40),其由带电序列中聚碳酸酯系以上的容易带电的材料形成,配置在壳体内。
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公开(公告)号:CN100433133C
公开(公告)日:2008-11-12
申请号:CN200610153898.1
申请日:2006-09-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/8408 , G11B5/72
Abstract: 一种磁记录介质(8),包括在其表面上形成有多个突起(7)的保护层(3)。这些突起(7)通过在保护层上形成蚀刻掩模、然后执行干蚀刻来形成,其中蚀刻掩模包括掩模衬层和掩模图形层,所述掩模图形层具有岛状结构,且所述掩模图形层通过利用对所述掩模衬层表面的亲和力较低的材料来形成。
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