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公开(公告)号：CN1819033A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610008960.8
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种图案化磁记录介质具有形成在基底(11)上的磁记录层(13)和保护层(14)，其中，该磁记录层(13)包括图案化为磁轨的磁性材料(15)和填充在数据区域(33)内的磁轨间的非磁材料(16)，并且具有在距离介质外侧端1mm内的区域(42)中形成并延伸到该介质端部的一凹进部分(32)。该凹进部分(32)被形成为比该数据区域(33)深1到50nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100338651C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200510087683.X
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3106 , G11B5/255 , G11B5/3163
Abstract: 一种在磁性记录介质附近使用的磁头，其特征在于该磁头包括：基片(4)；紧密接触层(3)，叠放在基片上；以及保护层，叠放在紧密接触层之上并且面对磁性记录介质，其中，保护层包括：利用过滤阴极真空电弧(FCVA)工艺在第一偏压下在紧密接触层上叠放叠层材料形成的第一层(2)；以及利用FCVA工艺在比第一偏压高的第二偏压下在第一层上叠放叠层材料形成的第二层(1)。
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公开(公告)号：CN1744199A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510087683.X
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3106 , G11B5/255 , G11B5/3163
Abstract: 一种在磁性记录介质附近使用的磁头，其特征在于该磁头包括：基片(4)；紧密接触层(3)，叠放在基片上；以及保护层，叠放在紧密接触层之上并且面对磁性记录介质，其中，保护层包括：利用过滤阴极真空电弧(FCVA)工艺在第一偏压下在紧密接触层上叠放叠层材料形成的第一层(2)；以及利用FCVA工艺在比第一偏压高的第二偏压下在第一层上叠放叠层材料形成的第二层(1)。
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公开(公告)号：CN100375156C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610008960.8
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种图案化磁记录介质具有形成在基底(11)上的磁记录层(13)和保护层(14)，其中，该磁记录层(13)包括图案化为磁轨的磁性材料(15)和填充在数据区域(33)内的磁轨间的非磁材料(16)，并且具有在距离介质外侧端1mm内的区域(42)中形成并延伸到该介质端部的一凹进部分(32)。该凹进部分(32)被形成为比该数据区域(33)深1到50nm。
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公开(公告)号：CN100356450C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510074222.9
申请日：2005-05-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/72 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11B2005/0029 , Y10T428/1164
Abstract: 通过在不恶化其电磁变换特性的情况下，容易地图形化磁记录层，通过在磁记录层(2)与光致抗蚀剂(3)之间形成基于硅的保护膜以及通过进行干蚀刻和氧等离子处理，获得磁记录介质。
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公开(公告)号：CN1713276A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510074222.9
申请日：2005-05-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/72 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11B2005/0029 , Y10T428/1164
Abstract: 通过在不恶化其电磁变换特性的情况下，容易地图形化磁记录层，通过在磁记录层(2)与光致抗蚀剂(3)之间形成基于硅的保护膜以及通过进行干蚀刻和氧等离子处理，获得磁记录介质。
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