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公开(公告)号:CN100375156C
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:CN200610008960.8
申请日:2006-01-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种图案化磁记录介质具有形成在基底(11)上的磁记录层(13)和保护层(14),其中,该磁记录层(13)包括图案化为磁轨的磁性材料(15)和填充在数据区域(33)内的磁轨间的非磁材料(16),并且具有在距离介质外侧端1mm内的区域(42)中形成并延伸到该介质端部的一凹进部分(32)。该凹进部分(32)被形成为比该数据区域(33)深1到50nm。
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公开(公告)号:CN100405464C
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN200610082664.2
申请日:2006-05-24
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 兵藤浩之
IPC: G11B5/62
CPC classification number: C23C16/4585 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质,包含一个非磁性衬底(11),在非磁性衬底(11)上沉积的磁记录层(13),磁记录层(13)上彼此隔离的图形,填充在磁记录层(13)图形之间的非磁性材料(14),在磁记录层(13)的图形和非磁性材料(14)上沉积的金属膜(15),以及在金属膜(15)上沉积的碳保护膜(16)。
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公开(公告)号:CN1870142A
公开(公告)日:2006-11-29
申请号:CN200610082664.2
申请日:2006-05-24
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 兵藤浩之
IPC: G11B5/62
CPC classification number: C23C16/4585 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质,包含一个非磁性衬底(11),在非磁性衬底(11)上沉积的磁记录层(13),磁记录层(13)上彼此隔离的图形,填充在磁记录层(13)图形之间的非磁性材料(14),在磁记录层(13)的图形和非磁性材料(14)上沉积的金属膜(15),以及在金属膜(15)上沉积的碳保护膜(16)。
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公开(公告)号:CN113053419A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202010617971.6
申请日:2020-06-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 兵藤浩之
Abstract: 本发明的实施方式提供能抑制记录或再现时产生的热所导致的保护膜的劣化的磁头滑块、磁头组件和磁盘装置。实施方式的磁头滑块包括:滑块本体;设置于滑块本体的磁记录再现元件;第1保护层,该第1保护层至少设置于滑块本体和磁记录再现元件的空气上浮面的至少一部分,包含具有200W/m‑1K‑1以上的热传导率的材料,并具有热传导性;以及设置于第1保护层上的第2保护层。
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公开(公告)号:CN116030843A
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202210538321.1
申请日:2022-05-17
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 兵藤浩之
Abstract: 本发明提供抑制润滑剂的下落而提高了可靠性的头悬架组件和磁盘装置。根据实施方式,头悬架组件(30)具有:基体板(38),所述基体板具有第一主面(S1)、贯通第一主面的通孔(38a)、以及在通孔延伸出来的凸缘部(38b);加载梁(42),所述加载梁具有固定于基体板的基端部并从基体板延伸出来;配线部件(40),所述配线部件与基体板的第一主面和加载梁重叠地配置,并具有与加载梁的伸出端部相对向的万向节部(36);以及载置于万向节部的磁头(17)。基体板具有分隔凹部(80),所述分隔凹部形成于第一主面并以分隔磁头与通孔之间的方式连续或间断地延伸。
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公开(公告)号:CN1819033A
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:CN200610008960.8
申请日:2006-01-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种图案化磁记录介质具有形成在基底(11)上的磁记录层(13)和保护层(14),其中,该磁记录层(13)包括图案化为磁轨的磁性材料(15)和填充在数据区域(33)内的磁轨间的非磁材料(16),并且具有在距离介质外侧端1mm内的区域(42)中形成并延伸到该介质端部的一凹进部分(32)。该凹进部分(32)被形成为比该数据区域(33)深1到50nm。
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