公开(公告)号：CN100499107C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610136621.8

申请日：2006-10-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杰克·A·曼德尔曼 ,  许履尘 ,  杨智超 ,  威廉·汤蒂

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/942 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了同时包含高k和低k电介质区域的制造方法及后端(BEOL)金属化结构。互连结构包含第一层间电介质(ILD)层和第二ILD层，该第一ILD层位于第二ILD层下方。多个柱状空气间隙形成于第一ILD层内。由双相光致抗蚀剂材料产生该柱状空气间隙结构，其中该双相光致抗蚀剂材料用于提供在后续工艺中的不同蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN101447458A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810089898.9

申请日：2008-04-08

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 郑宇荣

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/768 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/10855 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/95

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件硬掩模图案及其形成方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一硬掩模图案；形成第二硬掩模图案，所述第二硬掩模图案包括基本上垂直于第一硬掩模图案的第一图案和位于第一硬掩模图案之间的第二图案；在第一图案之间形成第三硬掩模图案。

公开(公告)号：CN101231473A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810007093.5

申请日：2003-09-17

Applicant: 利兰·斯坦福青年大学托管委员会

Inventor： 查尔斯·D·沙佩尔

IPC: G03F7/20

CPC classification number: B81C1/0046 ,  B29C33/52 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/091 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明披露了一种将微观图案从母片复制到基片的方法，其中外形结构的复制品在母片上形成并且当需要时利用各种印刷或压印技术之一转移到接受基片，然后溶解。在转移前利用复制品还可以进行另外的工艺步骤，包括形成纳米结构、微型器件、或它们的一部分。然后当复制品被转移时这些结构也被转移到基片上，并且当复制品被溶解时残留在基片上。在制造集成电路和其它微型器件时，这是一种可以用作补充工艺或代替各种光刻处理步骤的技术。

公开(公告)号：CN100340922C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN03142960.2

申请日：2003-06-17

Applicant: 惠普开发有限公司

Inventor： C·佩尔洛夫 ,  C·陶西 ,  P·梅

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: H05K3/20 ,  H05K1/0289 ,  H05K3/0041 ,  H05K3/061 ,  H05K2203/0108 ,  H05K2203/1476 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明公开了制造数字电路，例如制造已知的耐久廉价的稳定存储器(PIRM)交叉点阵列的多层组和方法，所述交叉点阵列可以采用透明压印工具(110)通过图形化和固化在柔性衬底(140)上制成。

公开(公告)号：CN1325997C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200410055265.8

申请日：2004-02-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 铃木启之 ,  大川秀树 ,  户野谷纯一

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70325 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/7035 ,  H01L21/0274 ,  Y10S438/942

Abstract: 提供一种曝光方法，实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂(13)和具有铬膜(22)的光掩模(20)靠近来对上述上层抗蚀剂(13)进行曝光的曝光方法中，具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部(23)的上述铬膜(22)通过纯水膜(15)与上述上层抗蚀剂(13)靠近，利用近场光(K)在与上述开口部(23)相对应的位置上对上述上层抗蚀剂(13)进行曝光。

公开(公告)号：CN1323278C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200480000167.2

申请日：2004-02-13

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 佐藤升男 ,  町田克之 ,  重松智志 ,  森村浩季

IPC: G01B7/28

CPC classification number: G06K9/0002 ,  Y10S438/942

Abstract: 一种包括突起和基本支撑突起中心的支撑部分的构件(113b)，其形成在每个下电极的上部区域内的上电极(110a)上，并与下电极(105a)一一对应，其中支撑部分的面积在上电极(110b)的二维方向小于突起部分的面积。表面形状传感对象例如指尖(1602)接触到该构件(113b)的突起表面，与传感对象接触的突起构件(113b)的支撑部件将部分上电极(110a)下推到下电极(105a)，由此使得上电极(110a)变形。

公开(公告)号：CN1832188A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610058934.6

申请日：2006-03-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高木贺子 ,  森裕之

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明提供了一种MOS固态成像装置，其中MOS晶体管的耐压和1/f噪声得以改善。在该MOS固态成像装置中，它的单位像素至少包括光电转换部分和多个绝缘栅场效应晶体管，其中，在多个绝缘栅场效应晶体管中，在部分绝缘栅场效应晶体管中的栅极绝缘膜的厚度与至少部分其它绝缘栅场效应晶体管的栅极绝缘膜的厚度不同。

公开(公告)号：CN1812100A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510129633.3

申请日：2005-12-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 油谷直毅

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/50 ,  H01L21/822 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/485 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11554 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  Y10S438/931 ,  Y10S438/942 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 具有良好的特性且能提高信赖度，还可以使用SiC晶片。在SiC芯片(9)上形成多个肖特基势垒二极管的单元(10)，各单元(10)具有独立的外部输出电极(4)。形成在SiC芯片(9)上的单元(10)中，只在合格的单元的外部输出电极(4)上形成凸点(11)(直径为数十～数百μm)，没有耐压或漏电电流多的不合格的单元的外部输出电极(4)上不形成凸点。由于不合格的单元上不形成凸点，所以肖特基势垒侧电极(3)依次通过外部输出电极(4)、凸点(11)、布线基板(12)的布线层(13)、外部导线(13a)与外部并联连接，只并联连接合格的单元(10)的外部输出电极(4)。

公开(公告)号：CN1244953C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200310115757.7

申请日：2003-11-28

Applicant: LG.飞利浦LCD有限公司

Inventor： 柳洵城 ,  张允琼 ,  赵兴烈

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  Y10S438/942

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列基板，包括：薄膜晶体管的栅极、与栅极相连的选通线，以及与选通线相连的栅焊盘；源/漏极图形，包含薄膜晶体管的源极和漏极、与源极相连的数据线、与数据线相连的数据焊盘、与数据线相交叠的存储电极；形成于基板较低部位的半导体图形；透明电极图形，包含与漏极和存储电极相连的像素电极、覆盖栅焊盘的栅焊盘保护电极以及覆盖数据焊盘的数据焊盘保护电极；以及在除形成有透明电极图形的区域之外的区域中层叠的保护图形和栅绝缘图形。

公开(公告)号：CN1227714C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN01110972.6

申请日：2001-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  广木正明 ,  石丸典子

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/0077 ,  C23C14/042 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0087 ,  H01L51/56 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明提供了一种通过蒸发借助于在所需位置选择地淀积用于形成EL层的材料从而形成EL层的方法。当用于形成EL层的材料被淀积时，在船形试样器皿(111)和衬底(110)之间提供一个掩模。通过对所述掩模(113)施加一个电压，用于形成EL层的EL材料的行进方向被控制，从而选择地使所述EL材料淀积在所需位置。